Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide
Influence of Cd and Se atoms on the quantum efficiency of photon emission through EL2 defects in gallium arsenide single crystals has been investigated. A comparative technique of impurity diffusion in vacuum and arsenic atmospheres has been used. The change character and extent of the photon emissi...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | Litvinova, M.B., Shutov, S.V., Shtan`ko, A.D., Kurak, V.V. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135018 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide / M.B. Litvinova, S.V. Shutov, A.D. Shtan`ko, V.V. Kurak // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 3. — С. 538-541. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field
за авторством: Shtan'ko, A.D., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Shtan'ko, A.D., та інші
Опубліковано: (2010)
Microwave irradiation of gallium arsenide
за авторством: Red'ko, R.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Red'ko, R.
Опубліковано: (2006)
Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002)
Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)
Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2007)
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers
за авторством: Red’ko, R., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Red’ko, R., та інші
Опубліковано: (2007)
Hot wall growth and properties of lead telluride films doped by germanium and gallium
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Cadmium phosphide as a new material for infrared converters
за авторством: Stepanchikov, D., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Stepanchikov, D., та інші
Опубліковано: (2006)
Luminescence effects in Ag-doped cadmium bromide layered nanostructures
за авторством: Stetsyk, N.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Stetsyk, N.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films
за авторством: Jabua, Z.U., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Jabua, Z.U., та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of low magnetic field treatment on spectra of radiative recombination centers in indium phosphide structures
за авторством: Red’ko, R. R.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Red’ko, R. R.
Опубліковано: (2009)
Crystal structure of the arsenide HfNiAs
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2018)
Dominant point defects in doped cadmium telluride CdTe:Ge
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (2007)
Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd2S3 films
за авторством: Z. U. Jabua, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Z. U. Jabua, та інші
Опубліковано: (2011)
Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. P. Kostylov, та інші
Опубліковано: (2013)
Optical approach to analysis of interaction of gallium nitride and weak magnetic fields
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)
Thermoluminescence from silicon quantum dots in the two traps–one recombination center model
за авторством: N. Gemechu, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. Gemechu, та інші
Опубліковано: (2017)
Thermoluminescence from silicon quantum dots in the two traps–one recombination center model
за авторством: N. Gemechu, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. Gemechu, та інші
Опубліковано: (2017)
Accumulation of chromium and selenium inside cells and in lipids of Shlorella vulgaris Beij. during the incubation from chromium by sodium chloride and selenium
за авторством: Ja. Lukashiv, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ja. Lukashiv, та інші
Опубліковано: (2017)
Synthesis and optical properties of the liquid-crystalline nanocomposites of cadmium caprylate with cadmium sulfide and cadmium selenide heteronanoparticles
за авторством: T. A. Mirnaja, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: T. A. Mirnaja, та інші
Опубліковано: (2014)
New selenium-containing ligand Se 9
за авторством: O. G. Janko
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. G. Janko
Опубліковано: (2011)
Luminescence of gallium-containing complex oxide crystal
за авторством: Shevchuk, V.N.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Shevchuk, V.N.
Опубліковано: (2005)
Microphytobenthos of the Red Sea Coast in the area of Sharm-el-Sheikh (Egypt)
за авторством: V. P. Gerasimjuk
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. P. Gerasimjuk
Опубліковано: (2019)
Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2004)
Current state of researches on the formation of selenium nanoparticles and their use in medicine
за авторством: Z. R. Ulberh, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Z. R. Ulberh, та інші
Опубліковано: (2020)
Features distribution of selenium in plants of different climatic zones
за авторством: E. S. Popenko
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. S. Popenko
Опубліковано: (2015)
Numerical simulation of multibeam systems by EL&ION code
за авторством: Martynenko, P.A.
Опубліковано: (2020)
за авторством: Martynenko, P.A.
Опубліковано: (2020)
Enrichment of Edible Mushroom Biomass with Compounds of Germanium, Selenium, and Molybdenum
за авторством: H. A. Hrodzynska, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: H. A. Hrodzynska, та інші
Опубліковано: (2019)
Direct surface-relief grating recording using selenium layers
за авторством: A. Meshalkin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. Meshalkin, та інші
Опубліковано: (2018)
El lenguaje de la memoria en Casandra de Christa Wolf
за авторством: Pérez, V.V.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Pérez, V.V.
Опубліковано: (2010)
Схожі ресурси
-
Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field
за авторством: Shtan'ko, A.D., та інші
Опубліковано: (2010) -
Microwave irradiation of gallium arsenide
за авторством: Red'ko, R.
Опубліковано: (2006) -
Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002) -
Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012) -
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)