Питома електропровідність композиційних нагрівачів на основі графіту для НТНР вирощування алмазу

Вирощування монокристалів алмазу в області термодинамічної стабільності (НТНР вирощування) потребує стабільних температурних параметрів кристалізації за високого тиску (до 6– 6,5 ГПа). Для забезпечення відповідних умов слід контролювати властивості матеріалів, що становлять електричний ланцюг наг...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
Дата:2017
Автори: Савіцький, О.В., Лисаковський, В В., Серга, М.А.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2017
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135026
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Питома електропровідність композиційних нагрівачів на основі графіту для НТНР вирощування алмазу / О.В. Савіцький, В.В. Лисаковський, М.А. Серга // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2017. — Вип. 20. — С. 348-352. — Бібліогр.: 4 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Вирощування монокристалів алмазу в області термодинамічної стабільності (НТНР вирощування) потребує стабільних температурних параметрів кристалізації за високого тиску (до 6– 6,5 ГПа). Для забезпечення відповідних умов слід контролювати властивості матеріалів, що становлять електричний ланцюг нагрівання, Запропоновано та випробувано два методи визначення електропровідності, що різняться принципами взаємодії зі зразками. Визначено питому електропровідність композиційних нагрівачів ростових комірок високого тиску та розподіл питомого опору в нагрівальних елементах. Выращивание монокристаллов алмаза в области термодинамической стабильности (НТНР выращивания) требует стабильных температурных параметров кристаллизации при высоком давлении (6–6,5 ГПа). Для обеспечения соответствующих условий следует контролировать свойства материалов, составляющих электрическую цепь нагрева. Предложены и испытаны два метода определения электропроводности, различающиеся принципами взаимодействия с образцами. Определены удельная электропроводность композиционных нагревателей ростовых ячеек высокого давления и распределение удельного сопротивления в нагревательных элементах. Growing of diamond crystal has needed stable temperature parameters in condition of thermodynamic stability of diamond at high pressures and temperatures (HTHP growing). It has needed to control properties of material to involve in heating circuit. It has ensured necessary conditions for the crystallization process. It had been proposed and tested two methods for determining electrical conductivity, characterized by the principle of interaction models. It has determined conductivity of composite heater cells grown under high pressure, and also the resistivity distribution in the heating elements.
ISSN:2223-3938