Зображення обкладинки

Extreme HT-HP conditions for activation of noticeable oxygen diffusion in GaN

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в:	Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
Дата:	2017
ISSN:	2223-3938
Автори:	Sadovyi, B., Petrusha, I., Nikolenko, A., Weyher, J.L., Porowski, S., Turkevich, V., Karbovnyk, I., Kapustianyk, V., Grzegory, I.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2017
Теми:	Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135031
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Extreme HT-HP conditions for activation of noticeable oxygen diffusion in GaN / B. Sadovyi, I. Petrusha, A. Nikolenko, J.L. Weyher, S. Porowski, V. Turkevich3, I. Karbovnyk, V. Kapustianyk, I. Grzegory // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2017. — Вип. 20. — С. 394. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Extreme HT-HP conditions for activation of noticeable oxygen diffusion in GaN
за авторством: B. Sadovyi, та інші
Опубліковано: (2017)

Preventive action of silicon nitride at HT-HP sintering of cubic boron nitride
за авторством: I. A. Petrusha, та інші
Опубліковано: (2015)

HP-HT sintering, microstructure, and properties of B6O and TiC-containing composites based on cBN
за авторством: D. V. Turkevich, та інші
Опубліковано: (2015)

HP-HT sintering of cBN based materials with ZrC and Al
за авторством: K. V. Slipchenko, та інші
Опубліковано: (2020)

HP-HT treatment of hexagonal boron nitride for higher photocatalytic degradation of organic pollutants
за авторством: Cui Liang, та інші
Опубліковано: (2023)

HP-HT-спекание, микроструктура и свойства B₆O-, TiC-содержащих композитов на основе сBN
за авторством: Туркевич, Д.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Фононні та поляронні стани циліндричних дротів ZnO/GaN та GaN/AlN
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2022)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Untilated crimes in the stationary environment. To portrait of public notice of the 16th century
за авторством: B. I. Petryshak
Опубліковано: (2017)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: Golenkov, A.G., та інші
Опубліковано: (2015)

Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
за авторством: Kaliuzhnyi, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
за авторством: Zinovchuk, A.V., та інші
Опубліковано: (2025)

Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films
за авторством: Oleksenko, P.Ph., та інші
Опубліковано: (1998)

Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures
за авторством: Vitusevich, S.A., та інші
Опубліковано: (2006)

Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
за авторством: Kundu, J., та інші
Опубліковано: (2007)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
за авторством: Onikienko, Y. O., та інші
Опубліковано: (2020)

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2021)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: A. V. Naumov, та інші
Опубліковано: (2015)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of the sapphire substrate on spectral emission features of LEDs based on InGaN/AlGaN/GaN heterostructures
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: G. I. Syngaivska, та інші
Опубліковано: (2018)

Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)

Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
за авторством: Elkadadra, A., та інші
Опубліковано: (2010)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)

Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
за авторством: G. I. Syngayivska, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
за авторством: H. I. Synhaivska, та інші
Опубліковано: (2013)

The Conception of the Cosmic Egg (swHt) in the Ancient Egyptian and in the Orphic Cosmovision
за авторством: A. Maravelia
Опубліковано: (2019)