Зображення обкладинки

The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals

Behavior of internal friction δ and electric resistance in silicon single crystals with low dislocation density (10-100 cm⁻²) has been studied during of bombardment with α-particles. Effect of strengthening has been found as well as change of direct hysteresis into reverse one in amplitude dependenc...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Functional Materials
Дата:	2006
Автори:	Pelikhaty, N.M., Rokhmanov, N.Ya., Onischnko, V.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2006
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135078
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals / N.M. Pelikhaty, N.Ya. Rokhmanov, V.V. Onischnko // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 4. — С. 613-617. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)

An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)

Peculiarities of the influence of high- and low-energy proton and electron irradiations on the characteristics of silicon solar cells
за авторством: Chernenko, V.V.
Опубліковано: (2010)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Peculiarities of the influence of high- and low-energy proton and electron irradiations on the characteristics of silicon solar cells
за авторством: V. V. Chernenko
Опубліковано: (2010)

Influence of high-energy electrons irradiation on nanoceramics properties of zirconia
за авторством: Aizatskyi, M.I., та інші
Опубліковано: (2013)

Evolution of the transverse electrical resistance of YBa2Cu3O7–δ single crystals under irradiation with high-energy electrons
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: Fodchuk, І.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Voids’ layer structures in silicon irradiated with high doses of high-energy helium ions
за авторством: Starchyk, M.I., та інші
Опубліковано: (2015)

The influence of high-temperature annealing on the temperature dependence of the pseudogap of YBa2Cu3O7–δ single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)

The effect of high-energy electron irradiation on the superconducting transition and anisotropy of the electrical resistance of YVa2Su3O7–δ single crystals
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal
за авторством: Ismailov, A.A., та інші
Опубліковано: (2009)

Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Evolution of over-conductivity of YВа₂Сu₃О₇-δ single crystals under the exposure of irradiation by high-energy electrons
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)

Cluster formations of conducting quantum structures in single-crystal silicon for solar energy
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2009)

Voids&#039; layer structures in silicon irradiated with high doses of high-energy helium ions
за авторством: M. I. Starchyk, та інші
Опубліковано: (2015)

Electric properties of TlInS₂ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2006)

Behavior of molybdenum target in condition of irradiation by the high current relativistic electron beam
за авторством: Donets, S.E., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of γ-irradiation on kinetic effects in indium-alloyed cadmium antimonide single crystals
за авторством: Koval, Yu.V.
Опубліковано: (2006)

The effect of annealing on the transverse electrotransport of single crystals YBa2Cu3O7–δ irradiated with high-energy electrons
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)

AN APPROXIMATE CALCULATION OF ENERGY DISSIPATION AND ELECTRIC EROSION OF ELECTRODES IN THE HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT AIR SWITCH OF ATMOSPHERIC PRESSURE
за авторством: Baranov, M. I., та інші
Опубліковано: (2017)

High-Resolution XPS Dataset for TIHgBr₃ Single Crystals
за авторством: O.Y. Khyzhun, та інші
Опубліковано: (2025)

Tin-induced crystallization of amorphous silicon assisted by a pulsed laser irradiation
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2017)

Energy dissipation after single vortex reconnection in He II at different temperatures
за авторством: V. A. Andrjushchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

The peculiarity of electric conductance of KDP single crystals
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Neutron irradiation influence on the silicon voltage limiter parameters
за авторством: Rakhmatov, A.Z., та інші
Опубліковано: (2012)

Tin-induced crystallization of amorphous silicon under pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)

Tin-induced crystallization of amorphous silicon under pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)

Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)