TlBr: Carrier transport as influenced by defects and Tl ion migration
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | Kazukauskas, V., Ziminskij, A., Davidyuk, G., Bozhko, V., Mironchuk, G. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135236 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | TlBr: Carrier transport as influenced by defects and Tl ion migration / V. Kazukauskas, A. Ziminskij, G. Davidyuk, V. Bozhko, G. Mironchuk // Functional Materials. — 2010. — Т. 17, № 2. — С. 191-195. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Фізико-хімічна взаємодія в системі TlSe—ТlСl—TlBr
за авторством: Слободян, Л.А.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Слободян, Л.А.
Опубліковано: (2000)
Influence of color centers on the luminescent response of radiation-damaged CsI:Tl crystal
за авторством: Yakovlev, V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yakovlev, V., та інші
Опубліковано: (2018)
Suppression mechanism of millisecond afterglow in CsI:Tl crystals by Eu²⁺ impurity
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2009)
Reconstruction of energy dependence of the sensitivity of CdZnTe- and TlBr-detectors through the restricted data
за авторством: Skrypnyk, A.I.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Skrypnyk, A.I.
Опубліковано: (2014)
CdZnTe- and TlBr-detectors response simulation for registration of the mixed beta- and gamma-radiation
за авторством: A. I. Skrypnik
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. I. Skrypnik
Опубліковано: (2015)
Time-resolved Ax-luminescence of NaI:Tl under electron pulse irradiation
за авторством: Yakovlev, V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yakovlev, V., та інші
Опубліковано: (2016)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
за авторством: Skrypnyk, A. I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Skrypnyk, A. I.
Опубліковано: (2015)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
за авторством: Скрыпник, А.И.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Скрыпник, А.И.
Опубліковано: (2015)
Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)
The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
Production and properties of CsSrBr₃:Eu²⁺ scintillator
за авторством: Cherginets, V.L., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Cherginets, V.L., та інші
Опубліковано: (2012)
Exciton absorption spectra of KPb₂Br₅ thin films
за авторством: Kovalenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kovalenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Obtaining and scintillation properties of crystals based on Eu²⁺ doped Ba(Br₀.₉Cl₀.₁)₂ solid solution
за авторством: Cherginets, V.L., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Cherginets, V.L., та інші
Опубліковано: (2015)
Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)
Scintillation properties of ACa₁₋yEuyX₃ (A = K, Rb, Cs, X = Cl, Br) crystals
за авторством: Grippa, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Grippa, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
XPS experiment dataset for crystal Tl3PbBr5
за авторством: O.Y. Khyzhun, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O.Y. Khyzhun, та інші
Опубліковано: (2012)
Features of exciton migration in pseudoisocyanine J-aggregates
за авторством: Sorokin, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sorokin, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)
The analysis of the defects on the surface of galvanized steel structures
за авторством: Lie-long Wang, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Lie-long Wang, та інші
Опубліковано: (2017)
Migration-enhanced energy transfer from host to dopant in Sr₂CeO₄:Eu crystal
за авторством: Masalov, A.A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Masalov, A.A., та інші
Опубліковано: (2008)
Defects related luminescence in yttrium-aluminum garnet crystals
за авторством: Shiran, N., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Shiran, N., та інші
Опубліковано: (2016)
Distribution and luminescence characteristics of Ce³⁺ ions in calcium hydroxyapatite
за авторством: Berezovskaya, I.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Berezovskaya, I.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Scintillation, phonon and defect channel balance, the sources for fundamental yield increase
за авторством: Gektin, A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Gektin, A., та інші
Опубліковано: (2016)
Structure and fluorescence of ZnWO₄ films prepared by ion beam sputtering
за авторством: Dubovik, A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dubovik, A., та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of ion implantation on the phase transitions in Cu₆PS₅I superionic conductors
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2010)
Structure solution problems for crystals containing planar defects at a high density
за авторством: Olikhovska, L.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Olikhovska, L.
Опубліковано: (2010)
Gamma-ray-induced decrease of L-defect concentration in KDP single crystals
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2011)
Ageing-dependent properties of ZnPc/C60 photovoltaic devices
за авторством: Kazukauskas, V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kazukauskas, V., та інші
Опубліковано: (2010)
Фазові рівноваги у квазіпотрійній системі Tl₄SnSe₄—TlBiSe₂—Tl₉BiSe₆
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2011)
КВАЗІПОТРІЙНА СИСТЕМА Tl2Se–TlInSe2–Tl4P2Se6
за авторством: Barchiy, Igor, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Barchiy, Igor, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014)
Investigation of the defect complexes in highly Mg-doped LiNbO₃ crystals by ⁹³Nb NMR method
за авторством: Yatsenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yatsenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Fast ion induced luminescence of silica implanted by molecular hydrogen
за авторством: Kalantaryan, O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kalantaryan, O., та інші
Опубліковано: (2014)
Spectroscopically detected segregation of Pr³⁺ ions in YPO₄:Pr³⁺ nanocrystals
за авторством: Seminko, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Seminko, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)
Properties of functional DNA:PEDOT layers
за авторством: Kazukauskas, V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kazukauskas, V., та інші
Опубліковано: (2010)
Effect of transverse and longitudinal magnetic field on the excess conductivity of YBa₂Cu₃₋zAlzO₇₋δ single crystals with a given topology of plane defects
за авторством: Vovk, R.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vovk, R.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of the composition of (TlGaS₂)₁₋ₓ(TlInSe₂)ₓ solid solutions on their physical properties
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2017)
Термоэлектрические свойства сплавов системы TlInTe₂-TlYbTe₂
за авторством: Зарбалиев, М.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Зарбалиев, М.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe₂ и TlInS₂
за авторством: Абдуллаев, Н.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Абдуллаев, Н.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Radiation induced defects in M₁₋ₓPrₓF₂₊ₓ (M²⁺ = Ca, Sr, Ba, x = 0.35) solid solutions
за авторством: Boiaryntseva, I.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Boiaryntseva, I.A., та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Фізико-хімічна взаємодія в системі TlSe—ТlСl—TlBr
за авторством: Слободян, Л.А.
Опубліковано: (2000) -
Influence of color centers on the luminescent response of radiation-damaged CsI:Tl crystal
за авторством: Yakovlev, V., та інші
Опубліковано: (2018) -
Suppression mechanism of millisecond afterglow in CsI:Tl crystals by Eu²⁺ impurity
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2009) -
Reconstruction of energy dependence of the sensitivity of CdZnTe- and TlBr-detectors through the restricted data
за авторством: Skrypnyk, A.I.
Опубліковано: (2014) -
CdZnTe- and TlBr-detectors response simulation for registration of the mixed beta- and gamma-radiation
за авторством: A. I. Skrypnik
Опубліковано: (2015)