IR luminescence of ZnSe-based scintillators
The work is aimed at the nature elucidation of IR photoluminescence (PL) bands with peaks at 1.3 and 1.6 eV (970 and 790 nm, respectively) in ZnSe and ZnSe(Te) crystals. Experimental studies of the PL of additionally purified crystals as well as calculations based on the charge carrier statistics in...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135237 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | IR luminescence of ZnSe-based scintillators / O.V. Vakulenko, V.M. Kravchenko // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 1. — С. 90-95. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-135237 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Vakulenko, O.V. Kravchenko, V.M. 2018-06-14T17:05:00Z 2018-06-14T17:05:00Z 2004 IR luminescence of ZnSe-based scintillators / O.V. Vakulenko, V.M. Kravchenko // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 1. — С. 90-95. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135237 The work is aimed at the nature elucidation of IR photoluminescence (PL) bands with peaks at 1.3 and 1.6 eV (970 and 790 nm, respectively) in ZnSe and ZnSe(Te) crystals. Experimental studies of the PL of additionally purified crystals as well as calculations based on the charge carrier statistics in semiconductors with multicharge centers have shown that the IR PL is due to multicharge intrinsic point defects. The 1.3 eV IR band is attributed to intracenter transitions between excited and ground states of singly ionized selenium vacancies, which are double donors, whereas the 1.6 eV one, to radiative transitions of electrons from singly ionized Se vacancies to the acceptor level of the [ VznTese] complex. Статья посвящена раскрытию природы полос ИК фотолюминесценции (ФЛ) 1.3 и 1.6 эВ (970 и 790 нм) кристаллов ZnSe и ZnSe(Te). На основе экспериментального исследования ФЛ дополнительно очищенных кристаллов, а также расчетов с использованием статистики носителей заряда в полупроводниках с многозарядными центрами установлено, что ИК ФЛ обусловлена многозарядными собственными точечными дефектами. ИК-полоса 1,3 эВ обусловлена внутрицентровыми переходами между возбужденным и основным состояниями однократно ионизированных вакансий Se, которые являются двузарядными донорами, а ИК-полоса 1,6 эВ — излучательными переходами электронов с однократно ионизированных вакансий селена на акцепторный уровень комплекса [VznTese]. Статтю присвячено виявленню природи смуг I4 Фотолюмінєсцєнції (ФЛ) 1,3 та 1,6 еВ (970 та 790 нм) кристалів ZnSe i ZnSe(Te). На основі експериментального дослідження ФЛ додатково очищених кристалів, а також розрахунків із застосуванням статистики носіїв заряду у напівпровідниках з багатозарядними центрами встановлено, що I4 ФЛ зумовлена багатозарядними власними точковими дефектами. ГЧ-смуга 1,3 еВ зумовлена внутрицентровими переходами між збудженим та основним станами однократно йонізованих вакансій селену, які є двозарядними донорами, а ЕЧ-смуга 1,6 еВ — випромінювальними переходами електронів з однократно йонізованих вакансій селену на акцепторний рівень комплекса [VZnTeSe]. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials IR luminescence of ZnSe-based scintillators ІЧ люмінесценція сцинтиляторів на основі ZnSe Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
IR luminescence of ZnSe-based scintillators |
| spellingShingle |
IR luminescence of ZnSe-based scintillators Vakulenko, O.V. Kravchenko, V.M. |
| title_short |
IR luminescence of ZnSe-based scintillators |
| title_full |
IR luminescence of ZnSe-based scintillators |
| title_fullStr |
IR luminescence of ZnSe-based scintillators |
| title_full_unstemmed |
IR luminescence of ZnSe-based scintillators |
| title_sort |
ir luminescence of znse-based scintillators |
| author |
Vakulenko, O.V. Kravchenko, V.M. |
| author_facet |
Vakulenko, O.V. Kravchenko, V.M. |
| publishDate |
2004 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
ІЧ люмінесценція сцинтиляторів на основі ZnSe |
| description |
The work is aimed at the nature elucidation of IR photoluminescence (PL) bands with peaks at 1.3 and 1.6 eV (970 and 790 nm, respectively) in ZnSe and ZnSe(Te) crystals. Experimental studies of the PL of additionally purified crystals as well as calculations based on the charge carrier statistics in semiconductors with multicharge centers have shown that the IR PL is due to multicharge intrinsic point defects. The 1.3 eV IR band is attributed to intracenter transitions between excited and ground states of singly ionized selenium vacancies, which are double donors, whereas the 1.6 eV one, to radiative transitions of electrons from singly ionized Se vacancies to the acceptor level of the [ VznTese] complex.
Статья посвящена раскрытию природы полос ИК фотолюминесценции (ФЛ) 1.3 и 1.6 эВ (970 и 790 нм) кристаллов ZnSe и ZnSe(Te). На основе экспериментального исследования ФЛ дополнительно очищенных кристаллов, а также расчетов с использованием статистики носителей заряда в полупроводниках с многозарядными центрами установлено, что ИК ФЛ обусловлена многозарядными собственными точечными дефектами. ИК-полоса 1,3 эВ обусловлена внутрицентровыми переходами между возбужденным и основным состояниями однократно ионизированных вакансий Se, которые являются двузарядными донорами, а ИК-полоса 1,6 эВ — излучательными переходами электронов с однократно ионизированных вакансий селена на акцепторный уровень комплекса [VznTese].
Статтю присвячено виявленню природи смуг I4 Фотолюмінєсцєнції (ФЛ) 1,3 та 1,6 еВ (970 та 790 нм) кристалів ZnSe i ZnSe(Te). На основі експериментального дослідження ФЛ додатково очищених кристалів, а також розрахунків із застосуванням статистики носіїв заряду у напівпровідниках з багатозарядними центрами встановлено, що I4 ФЛ зумовлена багатозарядними власними точковими дефектами. ГЧ-смуга 1,3 еВ зумовлена внутрицентровими переходами між збудженим та основним станами однократно йонізованих вакансій селену, які є двозарядними донорами, а ЕЧ-смуга 1,6 еВ — випромінювальними переходами електронів з однократно йонізованих вакансій селену на акцепторний рівень комплекса [VZnTeSe].
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135237 |
| citation_txt |
IR luminescence of ZnSe-based scintillators / O.V. Vakulenko, V.M. Kravchenko // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 1. — С. 90-95. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT vakulenkoov irluminescenceofznsebasedscintillators AT kravchenkovm irluminescenceofznsebasedscintillators AT vakulenkoov íčlûmínescencíâscintilâtorívnaosnovíznse AT kravchenkovm íčlûmínescencíâscintilâtorívnaosnovíznse |
| first_indexed |
2025-12-07T18:16:26Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:16:26Z |
| _version_ |
1850874408237793280 |