Growth of crystals with bent crystalline lattice in amorphous semiconductor films
Crystallization of amorphous films of gallium, indium and antimony chalkogenides (Sb₂S₃, ln₂Se₃, Ga₂Te₃ and Sb₂Te₃) has been investigated to elucidate the crystallization character and to determine conditions favoring the growth of crystals with bent crystalline lattice. It has been found that the l...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2008
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135275 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Growth of crystals with bent crystalline lattice in amorphous semiconductor films // A.G. Bagmut, S.N. Grigorov, V.M. Kosevich, E.A. Lyubchenko, G.P. Nikolaychuk, D.N. Samoylenko // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 3. — С. 332-337. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |