HgCrCdSe as an element of new heterostructure HgCrCdSe/HgMnTe
By using the EPR method we show that the introduction of the fourth component as the cadmium (Cd) into the solid solution CrₓHg₁₋ₓSe allows for increasing the transition temperature of magnetic ordering in this compound. The resistance, magnetoresistance, and current-voltage characteristics of new h...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135327 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | HgCrCdSe as an element of new heterostructure HgCrCdSe/HgMnTe / B. Bekirov, I. Ivanchenko, N. Popenko, V. Tkach // Functional Materials. — 2012. — Т. 19, № 3. — С. 319-324. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Features of spin dynamics in HgCrCdSe and HgCrSe crystals in the vicinity of phase transitions
за авторством: B. E. Bekirov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: B. E. Bekirov, та інші
Опубліковано: (2018)
Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals
за авторством: Popenko, N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Popenko, N., та інші
Опубліковано: (2006)
Growing Cd₀.₂₅Hg₀.₇₅Se layers by laser evaporation in static vacuum
за авторством: Gritsook, B.N., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Gritsook, B.N., та інші
Опубліковано: (2000)
Noise in HgCdTe LWIR arrays
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)
Polyassociative thermodynamic model of A²B⁶ semiconductor meltand phase equilibria in Cd-Hg-Te system. 4. p-T-x diagram of Cd-Hg-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2006)
Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
Electronic structure and optical properties of HgSe
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2018)
Electronic structure and optical properties of HgSe
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2018)
HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
за авторством: R. M. Balabai
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Balabai
Опубліковано: (2012)
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Residual stresses and piezoelectric properties of the HgCdTe - based compound heterostructures under anisotropic deformation restriction
за авторством: A. B. Smirnov
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. B. Smirnov
Опубліковано: (2012)
Residual stresses and piezoelectric properties of the HgCdTe – based compound heterostructures under the anisotropic deformation restriction
за авторством: Smirnov, A. B.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Smirnov, A. B.
Опубліковано: (2012)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1996)
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1996)
Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2003)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
за авторством: O. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of elastic strains on LPE growth kinetics in the Cd-Hg-Te System
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
за авторством: Балабай, Р.М.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Балабай, Р.М.
Опубліковано: (2012)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
за авторством: Цибрий, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Цибрий, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
Effect of thermal neutron irradiation on the electrophysical and photoelectric properties of Hg₀.₈Cd₀.₂Te crystals
за авторством: Virt, I.S., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Virt, I.S., та інші
Опубліковано: (2000)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Наноструктурування поверхні гетероепітаксіальної плівки CdHgTe методом йонної імплантації Ag⁺
за авторством: Удовицька, Р.С.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Удовицька, Р.С.
Опубліковано: (2015)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)
Optimization of bromine-emerging etching compositions K₂Cr₂O₇-HBr-ethylene glycol for forming a polished surface of CdTe, ZnxCd₁-xTe and CdxHg₁-xTe
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)
Polyassociative thermodynamical model of A²B⁶ semiconductor melt and phase equilibrium in Cd-Hg-Te system: 3. Optimization of the thermodynamical functions of the model and quasi-binary structural diagram of Cd-Hg-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Characterization of Hg₁₋xMnxTe single crystals and Hg₁₋xMnxTe -based photodiodes
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)