Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum

• Опубліковано в: : Functional Materials
• Дата: 2005
• Автори: Patskun, I.I., Rybalko, A.V.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135337
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum / I.I. Patskun, A.V. Rybalko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 235-239. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

The work is devoted to experimental investigation of the band structure, deep local centers and complexes as well as of generation/recombination processes in the ZnGeP₂ semiconductor crystal. The crystals grown by Bridgeman technique, annealed in Zn vapor and unannealed were studied. The dynamics of the defect structure change in the ZnGeP₂ crystal due to annealing in Zn vapor has been considered as well as the presumable identification of impurity centers. Статья посвящена экспериментальному исследованию зонной структуры, глубоких локальных центров и комплексов, а также генерационно-рекомбинационных процессов в полупроводниковом кристалле ZnGeP₂. Исследовались кристаллы, выращенные методом Бриджмена: отожженные и неотожженные в парах Zn. Рассмотрена динамика изменения дефектной структуры в кристалле ZnGeP₂ после отжига в парах Zn, а также возможная идентификация примесных центров.