Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum
The work is devoted to experimental investigation of the band structure, deep local centers and complexes as well as of generation/recombination processes in the ZnGeP₂ semiconductor crystal. The crystals grown by Bridgeman technique, annealed in Zn vapor
 and unannealed were studied. The dy...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135337 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum / I.I. Patskun, A.V. Rybalko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 235-239. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862611535562539008 |
|---|---|
| author | Patskun, I.I. Rybalko, A.V. |
| author_facet | Patskun, I.I. Rybalko, A.V. |
| citation_txt | Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum / I.I. Patskun, A.V. Rybalko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 235-239. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | The work is devoted to experimental investigation of the band structure, deep local centers and complexes as well as of generation/recombination processes in the ZnGeP₂ semiconductor crystal. The crystals grown by Bridgeman technique, annealed in Zn vapor
and unannealed were studied. The dynamics of the defect structure change in the ZnGeP₂ crystal due to annealing in Zn vapor has been considered as well as the presumable identification of impurity centers.
Статья посвящена экспериментальному исследованию зонной структуры, глубоких локальных центров и комплексов, а также генерационно-рекомбинационных процессов в полупроводниковом кристалле ZnGeP₂. Исследовались кристаллы, выращенные методом Бриджмена: отожженные и неотожженные в парах Zn. Рассмотрена динамика изменения дефектной структуры в кристалле ZnGeP₂ после отжига в парах Zn, а также возможная идентификация примесных центров.
|
| first_indexed | 2025-11-29T01:36:42Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-135337 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-29T01:36:42Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Patskun, I.I. Rybalko, A.V. 2018-06-15T03:57:41Z 2018-06-15T03:57:41Z 2005 Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum / I.I. Patskun, A.V. Rybalko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 235-239. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135337 The work is devoted to experimental investigation of the band structure, deep local centers and complexes as well as of generation/recombination processes in the ZnGeP₂ semiconductor crystal. The crystals grown by Bridgeman technique, annealed in Zn vapor
 and unannealed were studied. The dynamics of the defect structure change in the ZnGeP₂ crystal due to annealing in Zn vapor has been considered as well as the presumable identification of impurity centers. Статья посвящена экспериментальному исследованию зонной структуры, глубоких локальных центров и комплексов, а также генерационно-рекомбинационных процессов в полупроводниковом кристалле ZnGeP₂. Исследовались кристаллы, выращенные методом Бриджмена: отожженные и неотожженные в парах Zn. Рассмотрена динамика изменения дефектной структуры в кристалле ZnGeP₂ после отжига в парах Zn, а также возможная идентификация примесных центров. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum Article published earlier |
| spellingShingle | Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum Patskun, I.I. Rybalko, A.V. |
| title | Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum |
| title_full | Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum |
| title_fullStr | Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum |
| title_full_unstemmed | Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum |
| title_short | Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum |
| title_sort | effect of zngep₂ annealing in zn vapor on the laser spectrum |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135337 |
| work_keys_str_mv | AT patskunii effectofzngep2annealinginznvaporonthelaserspectrum AT rybalkoav effectofzngep2annealinginznvaporonthelaserspectrum |