Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy
The composition control possibility of the GaAs₁₋ₓPₓ solid solution on GaAs substrate at liquid phase electroepitaxy from the Ga-As-P solution-melt is theoretically considered. It has been established that under steady-state conditions specifying the process parameters such as temperature and/or the...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135360 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy // V. Tsybulenko, Ye. Baganov, V. Krasnov, S. Shutov // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 3. — С. 413-419. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862700125327982592 |
|---|---|
| author | Tsybulenko, V. Baganov, Ye. Krasnov, V. Shutov, S. |
| author_facet | Tsybulenko, V. Baganov, Ye. Krasnov, V. Shutov, S. |
| citation_txt | Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy // V. Tsybulenko, Ye. Baganov, V. Krasnov, S. Shutov // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 3. — С. 413-419. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | The composition control possibility of the GaAs₁₋ₓPₓ solid solution on GaAs substrate at liquid phase electroepitaxy from the Ga-As-P solution-melt is theoretically considered. It has been established that under steady-state conditions specifying the process parameters such as temperature and/or the thickness of the growth space, it is possible to obtain graded bandgap layers of the GaAs₁₋ₓPₓ solid solution with P content increasing towards the surface of the layer that possesses the composition gradient from 0.5·10⁻⁴ mole fraction/nm to 2.0·10⁻³ mole fraction/nm. It has been also shown that the composition control of ternary solid solutions at liquid phase electroepitaxy can be realized by use of unsteady electric field.
Теоретично розглянуто можливість управління складом твердого розчину GaAs₁₋ₓPₓ на підкладці GaAs при рідиннофазній елентроепітаксії з розчину-розплаву GaAs- P. Встановлено, що у стаціонарних умовах, задаючи такі параметри процесу, як температура та/або товщина ростового зазору, можна отримати варизонні шари твердого розчину GaAs₁₋ₓPₓ із збільшенням вмісту Р до поверхні шару, що мають градієнт складу від 0.5·10⁻⁴ мольн.частка/нм до 2.0·10⁻³ мольн.частка/нм. Показано, що керування снладом тернарного твердого розчину у процесі рідиннофазної електроепітаксії може бути здійснене при використанні нестаціонарного електричного поля.
Теоретически рассмотрена возможность управления составом твердого раствора GaAs₁₋ₓPₓ на подложке GaAs при жидкофазной электроэпитаксии из раствора-расплава Ga-As-P. Установлено, что в стационарных условиях, задавая такие параметры как температура и/или толщина ростового зазора, можно получить варизонные слои твердого раствора GaAs₁₋ₓPₓ с увеличением содержания Р к поверхности слоя, который имеет градиент состава от 0.5·10⁻⁴ мольн.долей/нм до 2.0·10⁻³ мольн.долей/нм. Показано, что управление составом тройного твердого раствора в процессе жидкофазной эпитаксии может быть реализовано при использовании нестационарного электрического поля.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:37:54Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-135360 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T16:37:54Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Tsybulenko, V. Baganov, Ye. Krasnov, V. Shutov, S. 2018-06-15T05:36:44Z 2018-06-15T05:36:44Z 2008 Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy // V. Tsybulenko, Ye. Baganov, V. Krasnov, S. Shutov // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 3. — С. 413-419. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135360 The composition control possibility of the GaAs₁₋ₓPₓ solid solution on GaAs substrate at liquid phase electroepitaxy from the Ga-As-P solution-melt is theoretically considered. It has been established that under steady-state conditions specifying the process parameters such as temperature and/or the thickness of the growth space, it is possible to obtain graded bandgap layers of the GaAs₁₋ₓPₓ solid solution with P content increasing towards the surface of the layer that possesses the composition gradient from 0.5·10⁻⁴ mole fraction/nm to 2.0·10⁻³ mole fraction/nm. It has been also shown that the composition control of ternary solid solutions at liquid phase electroepitaxy can be realized by use of unsteady electric field. Теоретично розглянуто можливість управління складом твердого розчину GaAs₁₋ₓPₓ на підкладці GaAs при рідиннофазній елентроепітаксії з розчину-розплаву GaAs- P. Встановлено, що у стаціонарних умовах, задаючи такі параметри процесу, як температура та/або товщина ростового зазору, можна отримати варизонні шари твердого розчину GaAs₁₋ₓPₓ із збільшенням вмісту Р до поверхні шару, що мають градієнт складу від 0.5·10⁻⁴ мольн.частка/нм до 2.0·10⁻³ мольн.частка/нм. Показано, що керування снладом тернарного твердого розчину у процесі рідиннофазної електроепітаксії може бути здійснене при використанні нестаціонарного електричного поля. Теоретически рассмотрена возможность управления составом твердого раствора GaAs₁₋ₓPₓ на подложке GaAs при жидкофазной электроэпитаксии из раствора-расплава Ga-As-P. Установлено, что в стационарных условиях, задавая такие параметры как температура и/или толщина ростового зазора, можно получить варизонные слои твердого раствора GaAs₁₋ₓPₓ с увеличением содержания Р к поверхности слоя, который имеет градиент состава от 0.5·10⁻⁴ мольн.долей/нм до 2.0·10⁻³ мольн.долей/нм. Показано, что управление составом тройного твердого раствора в процессе жидкофазной эпитаксии может быть реализовано при использовании нестационарного электрического поля. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Modeling and simulation Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy Моделювання процесів росту шарів GaAs₁₋ₓPₓ при рідиннофазній електроепітаксії Article published earlier |
| spellingShingle | Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy Tsybulenko, V. Baganov, Ye. Krasnov, V. Shutov, S. Modeling and simulation |
| title | Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy |
| title_alt | Моделювання процесів росту шарів GaAs₁₋ₓPₓ при рідиннофазній електроепітаксії |
| title_full | Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy |
| title_fullStr | Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy |
| title_full_unstemmed | Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy |
| title_short | Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy |
| title_sort | simulation of growth of graded bandgap gaasp layers at liquid phase electroepitaxy |
| topic | Modeling and simulation |
| topic_facet | Modeling and simulation |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135360 |
| work_keys_str_mv | AT tsybulenkov simulationofgrowthofgradedbandgapgaasplayersatliquidphaseelectroepitaxy AT baganovye simulationofgrowthofgradedbandgapgaasplayersatliquidphaseelectroepitaxy AT krasnovv simulationofgrowthofgradedbandgapgaasplayersatliquidphaseelectroepitaxy AT shutovs simulationofgrowthofgradedbandgapgaasplayersatliquidphaseelectroepitaxy AT tsybulenkov modelûvannâprocesívrostušarívgaas1xpxprirídinnofazníielektroepítaksíí AT baganovye modelûvannâprocesívrostušarívgaas1xpxprirídinnofazníielektroepítaksíí AT krasnovv modelûvannâprocesívrostušarívgaas1xpxprirídinnofazníielektroepítaksíí AT shutovs modelûvannâprocesívrostušarívgaas1xpxprirídinnofazníielektroepítaksíí |