Зображення обкладинки

Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy

The composition control possibility of the GaAs₁₋ₓPₓ solid solution on GaAs substrate at liquid phase electroepitaxy from the Ga-As-P solution-melt is theoretically considered. It has been established that under steady-state conditions specifying the process parameters such as temperature and/or the...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Functional Materials
Дата:	2008
Автори:	Tsybulenko, V., Baganov, Ye., Krasnov, V., Shutov, S.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2008
Теми:	Modeling and simulation
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135360
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy // V. Tsybulenko, Ye. Baganov, V. Krasnov, S. Shutov // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 3. — С. 413-419. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Properties of the volume phase in the layerwise growth. Case of origin of new phase above phase boundary at previous layer
за авторством: Brodskii, R.Ye.
Опубліковано: (2018)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)

Properties of the volume phase in the layerwise growth. Case of forming of new layer under effect of previous
за авторством: Brodskii, R.Ye.
Опубліковано: (2017)

Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)

New phase inclusion growth control
за авторством: Kulik, T.V.
Опубліковано: (2009)

Properties of the volume phase in the layerwise growth
за авторством: Brodskii, R., та інші
Опубліковано: (2014)

Simulation of the insulating properties of two-layer material
за авторством: Dadashov, I.F., та інші
Опубліковано: (2018)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Simulation of phase diagrams in LaNi₅-H₂(D₂) system and inversion of isotopic effect
за авторством: Marinin, V.S., та інші
Опубліковано: (2007)

Influence of radiation heat transfer dynamics on crystal growth
за авторством: Mygal, V.P., та інші
Опубліковано: (2018)

Compressive test and simulation of cassava stems using ANSYS
за авторством: Zhang Jin, та інші
Опубліковано: (2016)

Chemical potential of gaseous medium for corundum single crystals growth
за авторством: Kryvonosov, Ie., та інші
Опубліковано: (2018)

Data processing system of continuous temperature measurement for liquid steel
за авторством: Xianzhang Feng, та інші
Опубліковано: (2017)

Light collection simulation in the scintillation detectors of short-range radiation
за авторством: Tarasov, V.A., та інші
Опубліковано: (2010)

Monte-Carlo simulation of random hyperbranched polymers with flexible branches
за авторством: Ratner, M.
Опубліковано: (2009)

Control of radiation-conductive heat exchange at crystal growth from melt
за авторством: Deshko, V.I., та інші
Опубліковано: (2008)

Simulation analysis of prestressed tensioning whole processon direct constraint method
за авторством: Kaimin Liu
Опубліковано: (2017)

Hydrodynamical conditions in the melt at the growth of sapphire and YAG crystals by horizontal directed crystallization
за авторством: Nizhankovskyi, S.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Computer simulation of the compressive failure of porous material through Distinct Lattice Spring Model
за авторством: You Shuang, та інші
Опубліковано: (2016)

Dipole-exchange spin waves in a periodically layered ferromagnetic nanotube
за авторством: Gorobets, Y.I., та інші
Опубліковано: (2013)

On phase trajectory of dynamic system "directionally crystallized binary melt"
за авторством: Kanishchev, V.M., та інші
Опубліковано: (2014)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Spin-reorientation phase transitions in soft magnetic films of different anisotropy
за авторством: Bezus, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Dispersion reduction in size of new phase inclusions by changing solve supersaturation
за авторством: Kulik, T.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Radiative conduction problem in the thin layer of semi-transparent medium. The weak absorption case
за авторством: Kolesnikov, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Features of temperature-dependent internal friction at phase decomposition of Nb-Ti alloy
за авторством: Arzhavitin, V.M.
Опубліковано: (2008)

Comparison of different rough surface models for computer simulation of light collection in a scintillator/light guide system
за авторством: Kilimchuk, I.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Thermodynamic analysis of solid phase reactions in SrO-Al₂O₃-SiO₂ system
за авторством: Lisachuk, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)

AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Impact of semiconductor quantum dots bandgap on the reabsorption in luminescent concentrator
за авторством: A. I. Shkrebtii, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of the quantum dots bandgap and their dispersion on the loss of luminescent quanta
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2020)

Impact of semiconductor quantum dots bandgap on the reabsorption in luminescent concentrator
за авторством: Shkrebtii, A.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of the quantum dots' bandgap and their dispersion on the loss of luminescent quanta
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2020)

Determination of crystallization conditions of Ge/GaAs heterostructures in the scanning LPE method
за авторством: Tsybulenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)