Зображення обкладинки

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Functional Materials
Дата:	2011
Автори:	Zaitsev, R.V., Kopach, V.R., Kirichenko, M.V., Doroshenko, A.N., Khrypunov, G.S.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2011
Теми:	Modeling and simulation
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135592
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon / R.V. Zaitsev, V.R. Kopach, M.V. Kirichenko, A.N. Doroshenko, G.S. Khrypunov // Functional Materials. — 2011. — Т. 18, № 4. — С. 497-503. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Effective minority carrier lifetime and distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)

Effect of pore depth on the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Effective lifetime of minority carriers in black silicon nano-textured by cones and pyramids
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Effective lifetime of minority carriers in black silicon nano-textured by cones and pyramids
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2017)

Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
за авторством: Надточий, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Method of measuring non-equilibrium carriers concentration and their lifetime in a semiconductor using the approach of a photonic crystal with a defect mode
за авторством: B. V. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2017)

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Magnetoresistance based determination of basic parameters of minority charge carriers in solid matter
за авторством: Uhryn, Y.O., та інші
Опубліковано: (2017)

Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters
за авторством: Kopach, V.R., та інші
Опубліковано: (2008)

Polariton dispersion dependence on concentration of admixture in imperfect superlattice of coupled microresonators
за авторством: Alodjants, A.P., та інші
Опубліковано: (2014)

Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018)

New approach to the efficiency increase problem for multi-junction silicon photovoltaic converters with vertical diode cells
за авторством: Kopach, V.R., та інші
Опубліковано: (2008)

Mechanisms of local inhomogeneity of dopant concentration in Y₂SiO₅:Pr³⁺ nanocrystals
за авторством: Seminko, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)

An interrelation between the adsorption-desorption and surface diffusion mechanisms under concentration decomposition of an open submonoatomic overlayer
за авторством: Feldman, E.P., та інші
Опубліковано: (2012)

Use of density functional theory for modeling optical properties of vacancy defects in nanoclusters of various SiC polytypes
за авторством: Zhikol, O.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer
за авторством: Nadtochiy, V., та інші
Опубліковано: (2005)

Excited state structural analysis (ESSA) for correlated states of spin-flip type: application to electronic excitations in nanodiamonds with defects
за авторством: Luzanov, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Peculiarities of band gap width dependence upon concentration of the admixture strips randomly included in quasi-two-dimensional photonic crystal
за авторством: Rumyantsev, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Characteristics of the dependences of mobility and concentration of charge carriers in monocrystals CdSb(In) after γ-irradiation
за авторством: Fedosov, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)

Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)

Converse magnetoelectricity in asymmetric magnetoelectric structures
за авторством: Radchenko, G.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Kinetics of changes in charge carrier concentration with doping in lead telluride-based alloys with transition metal impurities
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2015)

Relaxation changes in the mobility and concentration of charge carriers in Si with deep impurity levels under the action of pulsed pressure
за авторством: O. O. Mamatkarimov, та інші
Опубліковано: (2012)

Back surface reflector optimization for thin single crystalline silicon solar cells
за авторством: Kopach, V.R., та інші
Опубліковано: (2007)

Thermodynamic analysis of solid phase reactions in SrO-Al₂O₃-SiO₂ system
за авторством: Lisachuk, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Surface scattering of charge carriers and surface electronic states
за авторством: S. V. Sologub, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of polymeric covering and magnet treatment over carriers&#039; lifetime in silicon that is used in solar energy industry
за авторством: L. P. Steblenko, та інші
Опубліковано: (2014)

The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)

The complex heat exchange model at growing of large alkali halide crystals
за авторством: Kolesnikov, A.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2016)

Identification of defects of the piles with reflected waves
за авторством: Lebid, O., та інші
Опубліковано: (2018)

Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)

Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)

Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)

Photogeneration of charge carriers in photosensitive organic semiconductors
за авторством: Barabash, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)