Вплив електричних параметрів схеми під'єднання осцилографа на характеристики системи вимірювання імпульсів високої напруги - Бржезицький, В.О.; Козюра, В.В. (Технічна електродинаміка, 2014)
Проведено дослідження з використанням математичного моделювання впливу електричних параметрів схеми під'єднання осцилографа на перехідні характеристики вимірювальної системи імпульсів високої напруги. Результати досліджень використано під час створення вимірювальних систем імпульсів високої напруги, зокрема під час проектування під'єднання осцилографа до високовольтного подільника напруги з метою оптимального вибору елементів схеми. Показано, що у схемі під'єднання осцилографа найбільший вплив на показники точності вимірювальної системи імпульсів високої напруги здійснюють опори Rc₁, Rc₂ та ємність конденсатора узгодження C₂ по схемі Burch. Проведено исследование с использованием математического моделирования влияния электрических параметров схемы подключения осциллографа на переходные характеристики измерительной системы импульсов высокого напряжения. Результаты исследований могут использоваться при создании измерительных систем импульсов высокого напряжения, в частности, при проектировании схемы подключения осциллографа к высоковольтному делителю напряжения для оптимального выбора элементов. Показано, что в схеме подключения осциллографа наибольшее влияние на показатели точности измерительной системы наблюдается со стороны сопротивлений Rc₁ и Rc₂ , а также согласующего конденсатора C₂ по схеме Burch. Conducted research, using mathematical modeling, of oscilloscope connection scheme electrical parameters influence on transient response characteristics of high-voltage impulse measuring system. The results obtained can be used in high-voltage impulse measuring systems creating, in particular, for designing the circuit connecting the oscilloscope to a high-voltage divider for selecting the optimum of elements. It is shown that in the scheme of connection of the oscilloscope the greatest effect on the accuracy of the measuring system is observed on the part of resistors Rc₁ and Rc₂, as well as the Burch scheme matching capacitor C₂.