Применение аппарата высокого давления "Belt-40" для выращивания монокристаллов алмаза на затравках

• Veröffentlicht in: Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Новиков, Н.В., Балабанов, П.А., Лысаковский, В.В., Шевчук, С.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2012
• Schlagworte: Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135719
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Применение аппарата высокого давления "Belt-40" для выращивания монокристаллов алмаза на затравках / Н.В. Новиков, П.А. Балабанов, В.В. Лысаковский, С.Н. Шевчук // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2012. — Вип. 15. — С. 227-231. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Приведены результаты применения аппарата высокого давления цилиндрического типа «Belt» для выращивания монокристаллов алмаза на затравках методом температурного градиента в области их термодинамической стабильности. Показаны основные особенности генерирования высокого давления и температуры в ростовых ячейках высокого давления, применяемых в этом аппарате. Наведено результати застосування апарата високого тиску циліндричного типу «Belt» для вирощування монокристалів алмазу на затравках методом температурного градієнта в області їх термодинамічної стабільності. Показано основні особливості генерування високого тиску та температури в ростових комірках високого тиску, які застосовують у цьому апараті. The results of application of the cylindrical type high pressure apparatus «Belt» for growing of diamond single crystals on seed crystals by a method of a temperature gradient in the field of their thermodynamic stability are considered. The basic features of a high pressure and high temperature generation in high pressure growing cells applied in this device are shown.