Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃
The effects and feasibility of metal site doping of the tetragonal diamagnetic insulator
 FeGa₃ by Fe/Co, Fe/Mn and Co/Ni substitution were investigated by X-ray, electron probe
 microanalysis, electrical resistivity, specific heat and magnetic susceptibility measurements.
 S...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Фізико-хімічна механіка матеріалів |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України
2013
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135826 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ / B. Kotur, V. Babizhetskyy, E. Bauer, F. Kneidinger, A. Danner, L. Leber, H. Michor // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2013. — Т. 49, № 2. — С. 69-75. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862751365169676288 |
|---|---|
| author | Kotur, B. Babizhetskyy, V. Bauer, E. Kneidinger, F. Danner, A. Leber, L. Michor, H. |
| author_facet | Kotur, B. Babizhetskyy, V. Bauer, E. Kneidinger, F. Danner, A. Leber, L. Michor, H. |
| citation_txt | Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ / B. Kotur, V. Babizhetskyy, E. Bauer, F. Kneidinger, A. Danner, L. Leber, H. Michor // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2013. — Т. 49, № 2. — С. 69-75. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Фізико-хімічна механіка матеріалів |
| description | The effects and feasibility of metal site doping of the tetragonal diamagnetic insulator
FeGa₃ by Fe/Co, Fe/Mn and Co/Ni substitution were investigated by X-ray, electron probe
microanalysis, electrical resistivity, specific heat and magnetic susceptibility measurements.
Substitution of Fe by Co in FeGa₃ does not change its structure type and preserves the
structure of the binary parent compound (FeGa₃), whereas the solubility of Mn in the FeGa₃
structure type is limited to 3 at.% and a finite solubility of Ni in CoGa₃ is not detected.
Методами рентгенівського, мікрорентгеноспектрального аналізу, дослідження електроопору, питомої теплоємності і магнетної сприйнятливості вивчено можливість та вплив легування Fe/Co, Fe/Mn і Co/Ni у положеннях атомів металу в тетрагональній структурі діамагнетного ізолятора FeGa₃. Заміщення атомів Fe на Co у сполуці FeGa₃
не змінює її кристалічну структуру. Розчинність Mn у FeGa₃ не перевищує 3 at.%, а розчинність Ni у CoGa₃ не виявлено.
Методами рентгеновского, микрорентгеноспектрального анализа, исследования электросопротивления, удельной теплоемкости и магнитной восприимчивости
исследована возможность и влияние легирования Fe/Co, Fe/Mn и Co/Ni в положениях
атомов металла в тетрагональной структуре диамагнитного изолятора FeGa₃. Замещение
атомов Fe на Co в соединении FeGa₃ не изменяет ее кристаллическую структуру. Растворимость Mn в FeGa₃ не превышает 3 at.%, а растворимость Ni в CoGa₃ не выявлено.
|
| first_indexed | 2025-12-07T21:11:17Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-135826 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0430-6252 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T21:11:17Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Kotur, B. Babizhetskyy, V. Bauer, E. Kneidinger, F. Danner, A. Leber, L. Michor, H. 2018-06-15T15:28:27Z 2018-06-15T15:28:27Z 2013 Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ / B. Kotur, V. Babizhetskyy, E. Bauer, F. Kneidinger, A. Danner, L. Leber, H. Michor // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2013. — Т. 49, № 2. — С. 69-75. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. 0430-6252 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135826 The effects and feasibility of metal site doping of the tetragonal diamagnetic insulator
 FeGa₃ by Fe/Co, Fe/Mn and Co/Ni substitution were investigated by X-ray, electron probe
 microanalysis, electrical resistivity, specific heat and magnetic susceptibility measurements.
 Substitution of Fe by Co in FeGa₃ does not change its structure type and preserves the
 structure of the binary parent compound (FeGa₃), whereas the solubility of Mn in the FeGa₃
 structure type is limited to 3 at.% and a finite solubility of Ni in CoGa₃ is not detected. Методами рентгенівського, мікрорентгеноспектрального аналізу, дослідження електроопору, питомої теплоємності і магнетної сприйнятливості вивчено можливість та вплив легування Fe/Co, Fe/Mn і Co/Ni у положеннях атомів металу в тетрагональній структурі діамагнетного ізолятора FeGa₃. Заміщення атомів Fe на Co у сполуці FeGa₃
 не змінює її кристалічну структуру. Розчинність Mn у FeGa₃ не перевищує 3 at.%, а розчинність Ni у CoGa₃ не виявлено. Методами рентгеновского, микрорентгеноспектрального анализа, исследования электросопротивления, удельной теплоемкости и магнитной восприимчивости
 исследована возможность и влияние легирования Fe/Co, Fe/Mn и Co/Ni в положениях
 атомов металла в тетрагональной структуре диамагнитного изолятора FeGa₃. Замещение
 атомов Fe на Co в соединении FeGa₃ не изменяет ее кристаллическую структуру. Растворимость Mn в FeGa₃ не превышает 3 at.%, а растворимость Ni в CoGa₃ не выявлено. Acknowledgement. This work was supported by the Ukrainian–Austrian WTZ project
 №UA-5/2011. en Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України Фізико-хімічна механіка матеріалів Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ Легування вузькозонного напівпровідника FeGa₃ позиціях атомів металу Легирование узкозонного полупроводника FeGa₃ в позициях атомов металла Article published earlier |
| spellingShingle | Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ Kotur, B. Babizhetskyy, V. Bauer, E. Kneidinger, F. Danner, A. Leber, L. Michor, H. |
| title | Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ |
| title_alt | Легування вузькозонного напівпровідника FeGa₃ позиціях атомів металу Легирование узкозонного полупроводника FeGa₃ в позициях атомов металла |
| title_full | Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ |
| title_fullStr | Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ |
| title_full_unstemmed | Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ |
| title_short | Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ |
| title_sort | metal site doping in the narrow-gap semiconductor fega₃ |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135826 |
| work_keys_str_mv | AT koturb metalsitedopinginthenarrowgapsemiconductorfega3 AT babizhetskyyv metalsitedopinginthenarrowgapsemiconductorfega3 AT bauere metalsitedopinginthenarrowgapsemiconductorfega3 AT kneidingerf metalsitedopinginthenarrowgapsemiconductorfega3 AT dannera metalsitedopinginthenarrowgapsemiconductorfega3 AT leberl metalsitedopinginthenarrowgapsemiconductorfega3 AT michorh metalsitedopinginthenarrowgapsemiconductorfega3 AT koturb leguvannâvuzʹkozonnogonapívprovídnikafega3pozicíâhatomívmetalu AT babizhetskyyv leguvannâvuzʹkozonnogonapívprovídnikafega3pozicíâhatomívmetalu AT bauere leguvannâvuzʹkozonnogonapívprovídnikafega3pozicíâhatomívmetalu AT kneidingerf leguvannâvuzʹkozonnogonapívprovídnikafega3pozicíâhatomívmetalu AT dannera leguvannâvuzʹkozonnogonapívprovídnikafega3pozicíâhatomívmetalu AT leberl leguvannâvuzʹkozonnogonapívprovídnikafega3pozicíâhatomívmetalu AT michorh leguvannâvuzʹkozonnogonapívprovídnikafega3pozicíâhatomívmetalu AT koturb legirovanieuzkozonnogopoluprovodnikafega3vpoziciâhatomovmetalla AT babizhetskyyv legirovanieuzkozonnogopoluprovodnikafega3vpoziciâhatomovmetalla AT bauere legirovanieuzkozonnogopoluprovodnikafega3vpoziciâhatomovmetalla AT kneidingerf legirovanieuzkozonnogopoluprovodnikafega3vpoziciâhatomovmetalla AT dannera legirovanieuzkozonnogopoluprovodnikafega3vpoziciâhatomovmetalla AT leberl legirovanieuzkozonnogopoluprovodnikafega3vpoziciâhatomovmetalla AT michorh legirovanieuzkozonnogopoluprovodnikafega3vpoziciâhatomovmetalla |