Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ - Kotur, B.; Babizhetskyy, V.; Bauer, E.; Kneidinger, F.; Danner, A.; Leber, L.; Michor, H. (Фізико-хімічна механіка матеріалів, 2013)
The effects and feasibility of metal site doping of the tetragonal diamagnetic insulator
FeGa₃ by Fe/Co, Fe/Mn and Co/Ni substitution were investigated by X-ray, electron probe
microanalysis, electrical resistivity, specific heat and magnetic susceptibility measurements.
Substitution of Fe by Co in FeGa₃ does not change its structure type and preserves the
structure of the binary parent compound (FeGa₃), whereas the solubility of Mn in the FeGa₃
structure type is limited to 3 at.% and a finite solubility of Ni in CoGa₃ is not detected. Методами рентгенівського, мікрорентгеноспектрального аналізу, дослідження електроопору, питомої теплоємності і магнетної сприйнятливості вивчено можливість та вплив легування Fe/Co, Fe/Mn і Co/Ni у положеннях атомів металу в тетрагональній структурі діамагнетного ізолятора FeGa₃. Заміщення атомів Fe на Co у сполуці FeGa₃
не змінює її кристалічну структуру. Розчинність Mn у FeGa₃ не перевищує 3 at.%, а розчинність Ni у CoGa₃ не виявлено. Методами рентгеновского, микрорентгеноспектрального анализа, исследования электросопротивления, удельной теплоемкости и магнитной восприимчивости
исследована возможность и влияние легирования Fe/Co, Fe/Mn и Co/Ni в положениях
атомов металла в тетрагональной структуре диамагнитного изолятора FeGa₃. Замещение
атомов Fe на Co в соединении FeGa₃ не изменяет ее кристаллическую структуру. Растворимость Mn в FeGa₃ не превышает 3 at.%, а растворимость Ni в CoGa₃ не выявлено.