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Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃

The effects and feasibility of metal site doping of the tetragonal diamagnetic insulator FeGa₃ by Fe/Co, Fe/Mn and Co/Ni substitution were investigated by X-ray, electron probe microanalysis, electrical resistivity, specific heat and magnetic susceptibility measurements. S...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Фізико-хімічна механіка матеріалів
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Kotur, B., Babizhetskyy, V., Bauer, E., Kneidinger, F., Danner, A., Leber, L., Michor, H.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України 2013
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135826
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ / B. Kotur, V. Babizhetskyy, E. Bauer, F. Kneidinger, A. Danner, L. Leber, H. Michor // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2013. — Т. 49, № 2. — С. 69-75. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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