Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃
The effects and feasibility of metal site doping of the tetragonal diamagnetic insulator FeGa₃ by Fe/Co, Fe/Mn and Co/Ni substitution were investigated by X-ray, electron probe microanalysis, electrical resistivity, specific heat and magnetic susceptibility measurements. Substitution of Fe by Co...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Фізико-хімічна механіка матеріалів |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України
2013
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135826 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ / B. Kotur, V. Babizhetskyy, E. Bauer, F. Kneidinger, A. Danner, L. Leber, H. Michor // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2013. — Т. 49, № 2. — С. 69-75. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |