Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния

• Published in: Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
• Date: 2012
• Main Authors: Коваленко, Т.В., Ивахненко, С.А., Катруша, А.Н., Лысаковский, В.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2012
• Subjects: Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136003
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния / Т.В. Коваленко, С.А. Ивахненко, А.Н. Катруша, В.В. Лысаковский // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2012. — Вип. 15. — С. 268-271. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

В ростовой системе на основе Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т » 1800–2000 °C выращены структурно совершенные монокристаллы алмаза типа IIa + IIb и исследованы особенности роста алмаза на затравке. Методом фотолюминесцентной спектроскопии в выращенных кристаллах установлено наличие примесного центра кремния (S–V), рассмотрены причины его возникновения и предложена структурная модель этого примесного дефекта. У ростовій системі на основі Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т » 1800 – 2000 °C вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIa + IIb та досліджено особливості росту алмазу на затравці. Методом фотолюмінесцентної спектроскопії у вирощених кристалах встановлено наявність домішкового центру кремнію (Si–V), розглянуто причини його виникнення та запропоновано структурну модель цього домішкового дефекту. In the Mg–C system at p ≤ 8,2 GPa and T » 1800–2000 °C structurally perfect type IIa + IIb diamond single crystals were obtained and theirs growth characteristics were investigated. By the photoluminescence spectroscopy method in the grown crystals the presence of silicon centre (Si–V) was established, its structural model was proposed.