Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния
В ростовой системе на основе Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т » 1800–2000 °C выращены структурно совершенные монокристаллы алмаза типа IIa + IIb и исследованы особенности роста алмаза на затравке. Методом фотолюминесцентной спектроскопии в выращенных кристаллах установлено наличие примесного центра кремн...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136003 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния / Т.В. Коваленко, С.А. Ивахненко, А.Н. Катруша, В.В. Лысаковский // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2012. — Вип. 15. — С. 268-271. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-136003 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Коваленко, Т.В. Ивахненко, С.А. Катруша, А.Н. Лысаковский, В.В. 2018-06-15T17:52:26Z 2018-06-15T17:52:26Z 2012 Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния / Т.В. Коваленко, С.А. Ивахненко, А.Н. Катруша, В.В. Лысаковский // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2012. — Вип. 15. — С. 268-271. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2223-3938 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136003 621.921.34:548.736.15 В ростовой системе на основе Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т » 1800–2000 °C выращены структурно совершенные монокристаллы алмаза типа IIa + IIb и исследованы особенности роста алмаза на затравке. Методом фотолюминесцентной спектроскопии в выращенных кристаллах установлено наличие примесного центра кремния (S–V), рассмотрены причины его возникновения и предложена структурная модель этого примесного дефекта. У ростовій системі на основі Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т » 1800 – 2000 °C вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIa + IIb та досліджено особливості росту алмазу на затравці. Методом фотолюмінесцентної спектроскопії у вирощених кристалах встановлено наявність домішкового центру кремнію (Si–V), розглянуто причини його виникнення та запропоновано структурну модель цього домішкового дефекту. In the Mg–C system at p ≤ 8,2 GPa and T » 1800–2000 °C structurally perfect type IIa + IIb diamond single crystals were obtained and theirs growth characteristics were investigated. By the photoluminescence spectroscopy method in the grown crystals the presence of silicon centre (Si–V) was established, its structural model was proposed. ru Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния |
| spellingShingle |
Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния Коваленко, Т.В. Ивахненко, С.А. Катруша, А.Н. Лысаковский, В.В. Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора |
| title_short |
Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния |
| title_full |
Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния |
| title_fullStr |
Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния |
| title_full_unstemmed |
Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния |
| title_sort |
sі–v центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния |
| author |
Коваленко, Т.В. Ивахненко, С.А. Катруша, А.Н. Лысаковский, В.В. |
| author_facet |
Коваленко, Т.В. Ивахненко, С.А. Катруша, А.Н. Лысаковский, В.В. |
| topic |
Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора |
| topic_facet |
Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора |
| publishDate |
2012 |
| language |
Russian |
| container_title |
Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения |
| publisher |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України |
| format |
Article |
| description |
В ростовой системе на основе Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т » 1800–2000 °C выращены
структурно совершенные монокристаллы алмаза типа IIa + IIb и исследованы особенности
роста алмаза на затравке. Методом фотолюминесцентной спектроскопии в выращенных
кристаллах установлено наличие примесного центра кремния (S–V), рассмотрены причины
его возникновения и предложена структурная модель этого примесного дефекта.
У ростовій системі на основі Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т » 1800 – 2000 °C вирощено
структурно досконалі монокристали алмазу типу IIa + IIb та досліджено особливості
росту алмазу на затравці. Методом фотолюмінесцентної спектроскопії у вирощених
кристалах встановлено наявність домішкового центру кремнію (Si–V), розглянуто причини
його виникнення та запропоновано структурну модель цього домішкового дефекту.
In the Mg–C system at p ≤ 8,2 GPa and T » 1800–2000 °C structurally perfect type IIa + IIb
diamond single crystals were obtained and theirs growth characteristics were investigated. By the
photoluminescence spectroscopy method in the grown crystals the presence of silicon centre (Si–V)
was established, its structural model was proposed.
|
| issn |
2223-3938 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136003 |
| citation_txt |
Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния / Т.В. Коваленко, С.А. Ивахненко, А.Н. Катруша, В.В. Лысаковский // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2012. — Вип. 15. — С. 268-271. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT kovalenkotv sívcentrvmonokristallahalmazavyraŝennyhvsistemahnaosnovemagniâ AT ivahnenkosa sívcentrvmonokristallahalmazavyraŝennyhvsistemahnaosnovemagniâ AT katrušaan sívcentrvmonokristallahalmazavyraŝennyhvsistemahnaosnovemagniâ AT lysakovskiivv sívcentrvmonokristallahalmazavyraŝennyhvsistemahnaosnovemagniâ |
| first_indexed |
2025-12-01T10:08:07Z |
| last_indexed |
2025-12-01T10:08:07Z |
| _version_ |
1850859922320785408 |