Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния - Коваленко, Т.В.; Ивахненко, С.А.; Катруша, А.Н.; Лысаковский, В.В. (Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения, 2012)
В ростовой системе на основе Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т » 1800–2000 °C выращены
структурно совершенные монокристаллы алмаза типа IIa + IIb и исследованы особенности
роста алмаза на затравке. Методом фотолюминесцентной спектроскопии в выращенных
кристаллах установлено наличие примесного центра кремния (S–V), рассмотрены причины
его возникновения и предложена структурная модель этого примесного дефекта. У ростовій системі на основі Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т » 1800 – 2000 °C вирощено
структурно досконалі монокристали алмазу типу IIa + IIb та досліджено особливості
росту алмазу на затравці. Методом фотолюмінесцентної спектроскопії у вирощених
кристалах встановлено наявність домішкового центру кремнію (Si–V), розглянуто причини
його виникнення та запропоновано структурну модель цього домішкового дефекту. In the Mg–C system at p ≤ 8,2 GPa and T » 1800–2000 °C structurally perfect type IIa + IIb
diamond single crystals were obtained and theirs growth characteristics were investigated. By the
photoluminescence spectroscopy method in the grown crystals the presence of silicon centre (Si–V)
was established, its structural model was proposed.