Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента

Рассмотрена внутренняя структура кристаллов алмаза типа IIb, выращенных в
 системах на основе Fe–Al, легированных бором. Получены топограммы ИК–поглощения
 пластин и установлена зависимость их зонально-секториальной структуры от ориентации
 сечения относительно исходного крис...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
Datum:2012
Hauptverfasser: Чепугов, А.П., Емельянов, И.А., Лысаковский, В.В., Лысенко, О.Г.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2012
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136007
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / А.П. Чепугов, И.А. Емельянов, В.В. Лысаковский, О.Г. Лысенко // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2012. — Вип. 15. — С. 277-282. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Рассмотрена внутренняя структура кристаллов алмаза типа IIb, выращенных в
 системах на основе Fe–Al, легированных бором. Получены топограммы ИК–поглощения
 пластин и установлена зависимость их зонально-секториальной структуры от ориентации
 сечения относительно исходного кристалла и условий его выращивания. Розглянуто внутрішню структуру кристалів алмазу типу IIb, вирощених в системах
 на основі Fe–Al, легованих бором. Отримано топограмми ІЧ-поглинання пластин і
 встановлена залежність зонально-секторіальної будови від орієнтації їх перерізу відносно
 вихідного кристала та умов його вирощування. We have considered real structure of diamond crystals type IIb, growned in systems based
 on Fe–Al, doped with boron. Infrared absorption topograph of diamond plates has been obtained
 and dependence of the structure relative to orientation of the origin crystal and conditions of its
 grown process has been detected.
ISSN:2223-3938