Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента
Рассмотрена внутренняя структура кристаллов алмаза типа IIb, выращенных в
 системах на основе Fe–Al, легированных бором. Получены топограммы ИК–поглощения
 пластин и установлена зависимость их зонально-секториальной структуры от ориентации
 сечения относительно исходного крис...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136007 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / А.П. Чепугов, И.А. Емельянов, В.В. Лысаковский, О.Г. Лысенко // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2012. — Вип. 15. — С. 277-282. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Рассмотрена внутренняя структура кристаллов алмаза типа IIb, выращенных в
системах на основе Fe–Al, легированных бором. Получены топограммы ИК–поглощения
пластин и установлена зависимость их зонально-секториальной структуры от ориентации
сечения относительно исходного кристалла и условий его выращивания.
Розглянуто внутрішню структуру кристалів алмазу типу IIb, вирощених в системах
на основі Fe–Al, легованих бором. Отримано топограмми ІЧ-поглинання пластин і
встановлена залежність зонально-секторіальної будови від орієнтації їх перерізу відносно
вихідного кристала та умов його вирощування.
We have considered real structure of diamond crystals type IIb, growned in systems based
on Fe–Al, doped with boron. Infrared absorption topograph of diamond plates has been obtained
and dependence of the structure relative to orientation of the origin crystal and conditions of its
grown process has been detected.
|
|---|---|
| ISSN: | 2223-3938 |