Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента

• Published in: Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
• Date: 2012
• Main Authors: Чепугов, А.П., Емельянов, И.А., Лысаковский, В.В., Лысенко, О.Г.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2012
• Subjects: Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136007
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / А.П. Чепугов, И.А. Емельянов, В.В. Лысаковский, О.Г. Лысенко // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2012. — Вип. 15. — С. 277-282. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Рассмотрена внутренняя структура кристаллов алмаза типа IIb, выращенных в
 системах на основе Fe–Al, легированных бором. Получены топограммы ИК–поглощения
 пластин и установлена зависимость их зонально-секториальной структуры от ориентации
 сечения относительно исходного кристалла и условий его выращивания. Розглянуто внутрішню структуру кристалів алмазу типу IIb, вирощених в системах
 на основі Fe–Al, легованих бором. Отримано топограмми ІЧ-поглинання пластин і
 встановлена залежність зонально-секторіальної будови від орієнтації їх перерізу відносно
 вихідного кристала та умов його вирощування. We have considered real structure of diamond crystals type IIb, growned in systems based
 on Fe–Al, doped with boron. Infrared absorption topograph of diamond plates has been obtained
 and dependence of the structure relative to orientation of the origin crystal and conditions of its
 grown process has been detected.