Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента

Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента

Рассмотрена внутренняя структура кристаллов алмаза типа IIb, выращенных в системах на основе Fe–Al, легированных бором. Получены топограммы ИК–поглощения пластин и установлена зависимость их зонально-секториальной структуры от ориентации сечения относительно исходного кристалла и условий его выра...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
Дата:2012
Автори: Чепугов, А.П., Емельянов, И.А., Лысаковский, В.В., Лысенко, О.Г.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2012
Теми:
Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136007
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / А.П. Чепугов, И.А. Емельянов, В.В. Лысаковский, О.Г. Лысенко // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2012. — Вип. 15. — С. 277-282. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-136007
record_format dspace
spelling Чепугов, А.П.
Емельянов, И.А.
Лысаковский, В.В.
Лысенко, О.Г.
2018-06-15T17:57:54Z
2018-06-15T17:57:54Z
2012
Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / А.П. Чепугов, И.А. Емельянов, В.В. Лысаковский, О.Г. Лысенко // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2012. — Вип. 15. — С. 277-282. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2223-3938
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136007
548.736.15
Рассмотрена внутренняя структура кристаллов алмаза типа IIb, выращенных в системах на основе Fe–Al, легированных бором. Получены топограммы ИК–поглощения пластин и установлена зависимость их зонально-секториальной структуры от ориентации сечения относительно исходного кристалла и условий его выращивания.
Розглянуто внутрішню структуру кристалів алмазу типу IIb, вирощених в системах на основі Fe–Al, легованих бором. Отримано топограмми ІЧ-поглинання пластин і встановлена залежність зонально-секторіальної будови від орієнтації їх перерізу відносно вихідного кристала та умов його вирощування.
We have considered real structure of diamond crystals type IIb, growned in systems based on Fe–Al, doped with boron. Infrared absorption topograph of diamond plates has been obtained and dependence of the structure relative to orientation of the origin crystal and conditions of its grown process has been detected.
ru
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента
spellingShingle Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента
Чепугов, А.П.
Емельянов, И.А.
Лысаковский, В.В.
Лысенко, О.Г.
Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
title_short Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента
title_full Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента
title_fullStr Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента
title_full_unstemmed Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента
title_sort особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента
author Чепугов, А.П.
Емельянов, И.А.
Лысаковский, В.В.
Лысенко, О.Г.
author_facet Чепугов, А.П.
Емельянов, И.А.
Лысаковский, В.В.
Лысенко, О.Г.
topic Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
topic_facet Инструментальные, конструкционные и функциональные материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
publishDate 2012
language Russian
container_title Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
publisher Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
format Article
description Рассмотрена внутренняя структура кристаллов алмаза типа IIb, выращенных в системах на основе Fe–Al, легированных бором. Получены топограммы ИК–поглощения пластин и установлена зависимость их зонально-секториальной структуры от ориентации сечения относительно исходного кристалла и условий его выращивания. Розглянуто внутрішню структуру кристалів алмазу типу IIb, вирощених в системах на основі Fe–Al, легованих бором. Отримано топограмми ІЧ-поглинання пластин і встановлена залежність зонально-секторіальної будови від орієнтації їх перерізу відносно вихідного кристала та умов його вирощування. We have considered real structure of diamond crystals type IIb, growned in systems based on Fe–Al, doped with boron. Infrared absorption topograph of diamond plates has been obtained and dependence of the structure relative to orientation of the origin crystal and conditions of its grown process has been detected.
issn 2223-3938
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136007
citation_txt Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / А.П. Чепугов, И.А. Емельянов, В.В. Лысаковский, О.Г. Лысенко // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2012. — Вип. 15. — С. 277-282. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT čepugovap osobennostivnutrenneistrukturykrupnyhpoluprovodnikovyhmonokristallovalmazavyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta
AT emelʹânovia osobennostivnutrenneistrukturykrupnyhpoluprovodnikovyhmonokristallovalmazavyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta
AT lysakovskiivv osobennostivnutrenneistrukturykrupnyhpoluprovodnikovyhmonokristallovalmazavyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta
AT lysenkoog osobennostivnutrenneistrukturykrupnyhpoluprovodnikovyhmonokristallovalmazavyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta
first_indexed 2025-12-07T21:16:53Z
last_indexed 2025-12-07T21:16:53Z
_version_ 1850885761324285952

Схожі ресурси