Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
On the basis of experimental studies the surface-barrier technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors with using of the high-resistance n-Si plates of large diameter (~ 100 mm) was optimized. The 9-sectional detector matrixes were manufactured. In such matrix each section is a...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2017 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2017
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136022 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 2. — С. 201-208. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862716728534892544 |
|---|---|
| author | Gaidar, G.P. Berdnichenko, S.V. Vorobyov, V.G. Kochkin, V.I. Lastovetskiy, V.F. Litovchenko, P.G. |
| author_facet | Gaidar, G.P. Berdnichenko, S.V. Vorobyov, V.G. Kochkin, V.I. Lastovetskiy, V.F. Litovchenko, P.G. |
| citation_txt | Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 2. — С. 201-208. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | On the basis of experimental studies the surface-barrier technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors with using of the high-resistance n-Si plates of large diameter (~ 100 mm) was optimized. The 9-sectional detector matrixes were manufactured. In such matrix each section is a separate detector with the thickness of sensitive area W ≤ 350 μm, the working area S = 4 cm², and the energy resolution R = 50…75 keV under irradiation by three-component α-source. The electrophysical and spectrometric characteristics of the sectional silicon detectors were determined. The manufactured detectors can be used in the nuclear experiments involving heavy ions at the low yields of reaction products.
На основі проведених експериментальних досліджень оптимізовано поверхнево-бар'єрну технологію виготовлення секційних детекторів ядерних випромінювань з використанням пластин високоомного n-Si великого діаметра (~ 100 мм). Виготовлено 9-секційні детекторні матриці, де кожна секція є окремим детектором з товщиною чутливої області W ≤ 350 мкм, робочою площею S = 4 см² та енергетичною роздільною здатністю R = 50…75 кеВ при опроміненні трикомпонентним α-джерелом. Визначено електрофізичні та спектрометричні характеристики секційних кремнієвих детекторів. Виготовлені детектори можуть бути використані в ядерних експериментах за участю важких іонів при низьких виходах продуктів реакцій.
На основе проведенных экспериментальных исследований оптимизирована поверхностно-барьерная технология изготовления секционных детекторов ядерных излучений с использованием пластин высокоомного n-Si большого диаметра (~ 100 мм). Изготовлены 9-секционные детекторные матрицы, где каждая секция является отдельным детектором с толщиной чувствительной области W ≤ 350 мкм, рабочей площадью S = 4 см² и энергетическим разрешением R = 50…75 кэВ при облучении трехкомпонентным α-источником. Определены электрофизические и спектрометрические характеристики секционных кремниевых детекторов. Изготовленные детекторы могут быть использованы в ядерных экспериментах с участием тяжелых ионов при низких выходах продуктов реакций.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:07:35Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-136022 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T18:07:35Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Gaidar, G.P. Berdnichenko, S.V. Vorobyov, V.G. Kochkin, V.I. Lastovetskiy, V.F. Litovchenko, P.G. 2018-06-15T18:27:50Z 2018-06-15T18:27:50Z 2017 Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 2. — С. 201-208. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 29.00.00; 29.40.Wk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136022 On the basis of experimental studies the surface-barrier technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors with using of the high-resistance n-Si plates of large diameter (~ 100 mm) was optimized. The 9-sectional detector matrixes were manufactured. In such matrix each section is a separate detector with the thickness of sensitive area W ≤ 350 μm, the working area S = 4 cm², and the energy resolution R = 50…75 keV under irradiation by three-component α-source. The electrophysical and spectrometric characteristics of the sectional silicon detectors were determined. The manufactured detectors can be used in the nuclear experiments involving heavy ions at the low yields of reaction products. На основі проведених експериментальних досліджень оптимізовано поверхнево-бар'єрну технологію виготовлення секційних детекторів ядерних випромінювань з використанням пластин високоомного n-Si великого діаметра (~ 100 мм). Виготовлено 9-секційні детекторні матриці, де кожна секція є окремим детектором з товщиною чутливої області W ≤ 350 мкм, робочою площею S = 4 см² та енергетичною роздільною здатністю R = 50…75 кеВ при опроміненні трикомпонентним α-джерелом. Визначено електрофізичні та спектрометричні характеристики секційних кремнієвих детекторів. Виготовлені детектори можуть бути використані в ядерних експериментах за участю важких іонів при низьких виходах продуктів реакцій. На основе проведенных экспериментальных исследований оптимизирована поверхностно-барьерная технология изготовления секционных детекторов ядерных излучений с использованием пластин высокоомного n-Si большого диаметра (~ 100 мм). Изготовлены 9-секционные детекторные матрицы, где каждая секция является отдельным детектором с толщиной чувствительной области W ≤ 350 мкм, рабочей площадью S = 4 см² и энергетическим разрешением R = 50…75 кэВ при облучении трехкомпонентным α-источником. Определены электрофизические и спектрометрические характеристики секционных кремниевых детекторов. Изготовленные детекторы могут быть использованы в ядерных экспериментах с участием тяжелых ионов при низких выходах продуктов реакций. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Диагностика и методы исследований Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon Оптимізація технології виготовлення секційних детекторів ядерних випромінювань на основі високоомного кремнію Оптимизация технологии изготовления секционных детекторов ядерных излучений на основе высокоомного кремния Article published earlier |
| spellingShingle | Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon Gaidar, G.P. Berdnichenko, S.V. Vorobyov, V.G. Kochkin, V.I. Lastovetskiy, V.F. Litovchenko, P.G. Диагностика и методы исследований |
| title | Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon |
| title_alt | Оптимізація технології виготовлення секційних детекторів ядерних випромінювань на основі високоомного кремнію Оптимизация технологии изготовления секционных детекторов ядерных излучений на основе высокоомного кремния |
| title_full | Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon |
| title_fullStr | Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon |
| title_full_unstemmed | Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon |
| title_short | Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon |
| title_sort | optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon |
| topic | Диагностика и методы исследований |
| topic_facet | Диагностика и методы исследований |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136022 |
| work_keys_str_mv | AT gaidargp optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon AT berdnichenkosv optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon AT vorobyovvg optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon AT kochkinvi optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon AT lastovetskiyvf optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon AT litovchenkopg optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon AT gaidargp optimízacíâtehnologíívigotovlennâsekcíinihdetektorívâdernihvipromínûvanʹnaosnovívisokoomnogokremníû AT berdnichenkosv optimízacíâtehnologíívigotovlennâsekcíinihdetektorívâdernihvipromínûvanʹnaosnovívisokoomnogokremníû AT vorobyovvg optimízacíâtehnologíívigotovlennâsekcíinihdetektorívâdernihvipromínûvanʹnaosnovívisokoomnogokremníû AT kochkinvi optimízacíâtehnologíívigotovlennâsekcíinihdetektorívâdernihvipromínûvanʹnaosnovívisokoomnogokremníû AT lastovetskiyvf optimízacíâtehnologíívigotovlennâsekcíinihdetektorívâdernihvipromínûvanʹnaosnovívisokoomnogokremníû AT litovchenkopg optimízacíâtehnologíívigotovlennâsekcíinihdetektorívâdernihvipromínûvanʹnaosnovívisokoomnogokremníû AT gaidargp optimizaciâtehnologiiizgotovleniâsekcionnyhdetektorovâdernyhizlučeniinaosnovevysokoomnogokremniâ AT berdnichenkosv optimizaciâtehnologiiizgotovleniâsekcionnyhdetektorovâdernyhizlučeniinaosnovevysokoomnogokremniâ AT vorobyovvg optimizaciâtehnologiiizgotovleniâsekcionnyhdetektorovâdernyhizlučeniinaosnovevysokoomnogokremniâ AT kochkinvi optimizaciâtehnologiiizgotovleniâsekcionnyhdetektorovâdernyhizlučeniinaosnovevysokoomnogokremniâ AT lastovetskiyvf optimizaciâtehnologiiizgotovleniâsekcionnyhdetektorovâdernyhizlučeniinaosnovevysokoomnogokremniâ AT litovchenkopg optimizaciâtehnologiiizgotovleniâsekcionnyhdetektorovâdernyhizlučeniinaosnovevysokoomnogokremniâ |