Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon

Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon

On the basis of experimental studies the surface-barrier technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors with using of the high-resistance n-Si plates of large diameter (~ 100 mm) was optimized. The 9-sectional detector matrixes were manufactured. In such matrix each section is a...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2017
Автори: Gaidar, G.P., Berdnichenko, S.V., Vorobyov, V.G., Kochkin, V.I., Lastovetskiy, V.F., Litovchenko, P.G.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2017
Теми:
Диагностика и методы исследований
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136022
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 2. — С. 201-208. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-136022
record_format dspace
spelling Gaidar, G.P.
Berdnichenko, S.V.
Vorobyov, V.G.
Kochkin, V.I.
Lastovetskiy, V.F.
Litovchenko, P.G.
2018-06-15T18:27:50Z
2018-06-15T18:27:50Z
2017
Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 2. — С. 201-208. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.
1562-6016
PACS: 29.00.00; 29.40.Wk
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136022
On the basis of experimental studies the surface-barrier technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors with using of the high-resistance n-Si plates of large diameter (~ 100 mm) was optimized. The 9-sectional detector matrixes were manufactured. In such matrix each section is a separate detector with the thickness of sensitive area W ≤ 350 μm, the working area S = 4 cm², and the energy resolution R = 50…75 keV under irradiation by three-component α-source. The electrophysical and spectrometric characteristics of the sectional silicon detectors were determined. The manufactured detectors can be used in the nuclear experiments involving heavy ions at the low yields of reaction products.
На основі проведених експериментальних досліджень оптимізовано поверхнево-бар'єрну технологію виготовлення секційних детекторів ядерних випромінювань з використанням пластин високоомного n-Si великого діаметра (~ 100 мм). Виготовлено 9-секційні детекторні матриці, де кожна секція є окремим детектором з товщиною чутливої області W ≤ 350 мкм, робочою площею S = 4 см² та енергетичною роздільною здатністю R = 50…75 кеВ при опроміненні трикомпонентним α-джерелом. Визначено електрофізичні та спектрометричні характеристики секційних кремнієвих детекторів. Виготовлені детектори можуть бути використані в ядерних експериментах за участю важких іонів при низьких виходах продуктів реакцій.
На основе проведенных экспериментальных исследований оптимизирована поверхностно-барьерная технология изготовления секционных детекторов ядерных излучений с использованием пластин высокоомного n-Si большого диаметра (~ 100 мм). Изготовлены 9-секционные детекторные матрицы, где каждая секция является отдельным детектором с толщиной чувствительной области W ≤ 350 мкм, рабочей площадью S = 4 см² и энергетическим разрешением R = 50…75 кэВ при облучении трехкомпонентным α-источником. Определены электрофизические и спектрометрические характеристики секционных кремниевых детекторов. Изготовленные детекторы могут быть использованы в ядерных экспериментах с участием тяжелых ионов при низких выходах продуктов реакций.
en
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Диагностика и методы исследований
Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
Оптимізація технології виготовлення секційних детекторів ядерних випромінювань на основі високоомного кремнію
Оптимизация технологии изготовления секционных детекторов ядерных излучений на основе высокоомного кремния
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
spellingShingle Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
Gaidar, G.P.
Berdnichenko, S.V.
Vorobyov, V.G.
Kochkin, V.I.
Lastovetskiy, V.F.
Litovchenko, P.G.
Диагностика и методы исследований
title_short Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
title_full Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
title_fullStr Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
title_full_unstemmed Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
title_sort optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
author Gaidar, G.P.
Berdnichenko, S.V.
Vorobyov, V.G.
Kochkin, V.I.
Lastovetskiy, V.F.
Litovchenko, P.G.
author_facet Gaidar, G.P.
Berdnichenko, S.V.
Vorobyov, V.G.
Kochkin, V.I.
Lastovetskiy, V.F.
Litovchenko, P.G.
topic Диагностика и методы исследований
topic_facet Диагностика и методы исследований
publishDate 2017
language English
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
title_alt Оптимізація технології виготовлення секційних детекторів ядерних випромінювань на основі високоомного кремнію
Оптимизация технологии изготовления секционных детекторов ядерных излучений на основе высокоомного кремния
description On the basis of experimental studies the surface-barrier technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors with using of the high-resistance n-Si plates of large diameter (~ 100 mm) was optimized. The 9-sectional detector matrixes were manufactured. In such matrix each section is a separate detector with the thickness of sensitive area W ≤ 350 μm, the working area S = 4 cm², and the energy resolution R = 50…75 keV under irradiation by three-component α-source. The electrophysical and spectrometric characteristics of the sectional silicon detectors were determined. The manufactured detectors can be used in the nuclear experiments involving heavy ions at the low yields of reaction products. На основі проведених експериментальних досліджень оптимізовано поверхнево-бар'єрну технологію виготовлення секційних детекторів ядерних випромінювань з використанням пластин високоомного n-Si великого діаметра (~ 100 мм). Виготовлено 9-секційні детекторні матриці, де кожна секція є окремим детектором з товщиною чутливої області W ≤ 350 мкм, робочою площею S = 4 см² та енергетичною роздільною здатністю R = 50…75 кеВ при опроміненні трикомпонентним α-джерелом. Визначено електрофізичні та спектрометричні характеристики секційних кремнієвих детекторів. Виготовлені детектори можуть бути використані в ядерних експериментах за участю важких іонів при низьких виходах продуктів реакцій. На основе проведенных экспериментальных исследований оптимизирована поверхностно-барьерная технология изготовления секционных детекторов ядерных излучений с использованием пластин высокоомного n-Si большого диаметра (~ 100 мм). Изготовлены 9-секционные детекторные матрицы, где каждая секция является отдельным детектором с толщиной чувствительной области W ≤ 350 мкм, рабочей площадью S = 4 см² и энергетическим разрешением R = 50…75 кэВ при облучении трехкомпонентным α-источником. Определены электрофизические и спектрометрические характеристики секционных кремниевых детекторов. Изготовленные детекторы могут быть использованы в ядерных экспериментах с участием тяжелых ионов при низких выходах продуктов реакций.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136022
citation_txt Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 2. — С. 201-208. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT gaidargp optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon
AT berdnichenkosv optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon
AT vorobyovvg optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon
AT kochkinvi optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon
AT lastovetskiyvf optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon
AT litovchenkopg optimizationoftechnologyforfabricationofsectionalnuclearradiationdetectorsbasedonhighresistancesilicon
AT gaidargp optimízacíâtehnologíívigotovlennâsekcíinihdetektorívâdernihvipromínûvanʹnaosnovívisokoomnogokremníû
AT berdnichenkosv optimízacíâtehnologíívigotovlennâsekcíinihdetektorívâdernihvipromínûvanʹnaosnovívisokoomnogokremníû
AT vorobyovvg optimízacíâtehnologíívigotovlennâsekcíinihdetektorívâdernihvipromínûvanʹnaosnovívisokoomnogokremníû
AT kochkinvi optimízacíâtehnologíívigotovlennâsekcíinihdetektorívâdernihvipromínûvanʹnaosnovívisokoomnogokremníû
AT lastovetskiyvf optimízacíâtehnologíívigotovlennâsekcíinihdetektorívâdernihvipromínûvanʹnaosnovívisokoomnogokremníû
AT litovchenkopg optimízacíâtehnologíívigotovlennâsekcíinihdetektorívâdernihvipromínûvanʹnaosnovívisokoomnogokremníû
AT gaidargp optimizaciâtehnologiiizgotovleniâsekcionnyhdetektorovâdernyhizlučeniinaosnovevysokoomnogokremniâ
AT berdnichenkosv optimizaciâtehnologiiizgotovleniâsekcionnyhdetektorovâdernyhizlučeniinaosnovevysokoomnogokremniâ
AT vorobyovvg optimizaciâtehnologiiizgotovleniâsekcionnyhdetektorovâdernyhizlučeniinaosnovevysokoomnogokremniâ
AT kochkinvi optimizaciâtehnologiiizgotovleniâsekcionnyhdetektorovâdernyhizlučeniinaosnovevysokoomnogokremniâ
AT lastovetskiyvf optimizaciâtehnologiiizgotovleniâsekcionnyhdetektorovâdernyhizlučeniinaosnovevysokoomnogokremniâ
AT litovchenkopg optimizaciâtehnologiiizgotovleniâsekcionnyhdetektorovâdernyhizlučeniinaosnovevysokoomnogokremniâ
first_indexed 2025-12-07T18:07:35Z
last_indexed 2025-12-07T18:07:35Z
_version_ 1850873851960885248

Схожі ресурси