Будова шарів нітриду алюмінію, сформованих під час іонно-плазмового напилення

• Опубліковано в: : Фізико-хімічна механіка матеріалів
• Дата: 2013
• Автори: Дурягіна, З.А., Підкова, В.Я.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України 2013
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136065
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Будова шарів нітриду алюмінію, сформованих під час іонно-плазмового напилення / З.А. Дурягіна, В.Я. Підкова // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2013. — Т. 49, № 3. — С. 74-79. — Бібліогр.: 9 назв. — укp.

З використанням іонно-плазмової розрядної системи одержано діелектричні шари нітриду алюмінію, що мають нанорозмірну структуру. Товщина шарів коливається від 35 до 50 μm при розмірі зерен 60…400 nm. Шорсткість поверхні при цьому знаходиться в межах 12…20 μm. Діелектричний шар складається з фази AlN структурного типу ZnO з періодом комірки a = 3,10 Å, c = 4,998 Å. Зерна фази текстуровані за напрямком [001]. С использованием ионно-плазменной разрядной системы получено диэлектрические слои нитрида алюминия, которые имеют наноразмерную структуру. Толщина слоев колеблется от 35 до 50 μm при размере зерен 60…400 nm. Шероховатость поверхности при этом находится в пределах 12…20 μm. Диэлектрический слой состоит из фазы AlN структурного типа ZnO с периодом ячейки a = 3,10 Å, c = 4,998 Å. Зерна фазы текстурированны по направлению [001]. Using the ion-plasma discharge system the aluminium nitride dielectric films with nanoscale structure were obtained. The thickness of layers varies from 35 to 50 μm with a grain size of 60…400 nm. Surface roughness is 12…20 μm. Type of crystal lattice is ZnO with periods a = 3.10 Å, c = 4.998 Å. Grains of phase are textured in direction [001].