On the dependence of the efficiency of stochastic mechanism of charged particle beam deflection in a bent crystal on the particle energy

• Published in: Вопросы атомной науки и техники
• Date: 2017
• Main Author: Kirillin, I.V.
• Format: Article
• Language: English
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2017
• Subjects: Электродинамика
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136085
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: On the dependence of the efficiency of stochastic mechanism of charged particle beam deflection in a bent crystal on the particle energy / I.V. Kirillin // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 3. — С. 67-71. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

The problem of stochastic deflection of high-energy charged particles was considered on the basis of analytical calculation and numerical simulation. It was shown that with increasing energy of charged particles the maximal deflection angle, achievable with a help of stochastic deflection mechanism decreases as E^(-1/4), while the optimal radius of crystal curvature, which corresponds to this maximal deflection angle, increases as E^(5/4). За допомогою аналітичних розрахунків і числового моделювання була розглянута задача про стохастичне відхилення високоенергетичних заряджених частинок зігнутим кристалом. Було показано, що з ростом енергії заряджених частинок максимальний кут відхилення, який є досяжним при використанні стохастичного механізму відхилення, зменшується як E^(-1/4), в той час як оптимальний радіус викривлення кристала, що відповідає цьому максимальному куту відхилення, зростає як E^(5/4). При помощи аналитических расчётов и численного моделирования была рассмотрена задача о стохастическом отклонении высокоэнергетических заряженных частиц изогнутым кристаллом. Было показано, что с ростом энергии заряженных частиц максимальный угол отклонения, достижимый при использовании стохастического механизма отклонения, уменьшается как E^(-1/4), в то время как оптимальный радиус кривизны кристалла, соответствующий этому максимальному углу отклонения, растёт как E^(5/4).