Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K
С помощью рентгеновского фазового и структурного, а также металлографического анализов построено изотермическое сечение диаграммы состояния тройной системы Cr–Ga–Si при 870 K в полном концентрационном интервале. При температуре исследования тернарные соединения не образуются. Установлено существован...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Фізико-хімічна механіка матеріалів |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України
2010
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136109 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K / П.Я. Лютий, Я.О. Токайчук, А.О. Федорчук // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2010. — Т. 46, № 4. — С. 53-59. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862679326442389504 |
|---|---|
| author | Лютий, П.Я. Федорчук, А.О. Токайчук, Я.О. |
| author_facet | Лютий, П.Я. Федорчук, А.О. Токайчук, Я.О. |
| citation_txt | Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K / П.Я. Лютий, Я.О. Токайчук, А.О. Федорчук // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2010. — Т. 46, № 4. — С. 53-59. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Фізико-хімічна механіка матеріалів |
| description | С помощью рентгеновского фазового и структурного, а также металлографического анализов построено изотермическое сечение диаграммы состояния тройной системы Cr–Ga–Si при 870 K в полном концентрационном интервале. При температуре исследования тернарные соединения не образуются. Установлено существование и прецизионно определена область гомогенности твердого раствора замещения Cr₃Si₁–xGax (x = 0–0,357) по результатам уточнения кристаллографических параметров методом Ритвельда (структурный тип Cr₃Si, символ Пирсона cP8, пространственная группа 3 Pmn , a = 4,556–4,5844(7) Ǻ, RB = 0,0353, Rp = 0,009, Rwp = 0,014, χ² = 3,68) и металлографического анализа.
За результатами рентгенівського фазового та структурного, а також металографічного аналізів побудовано ізотермічний переріз діаграми стану потрійної системи Cr–Ga–Si при 870 K в повному концентраційному інтервалі. При температурі дослідження тернарні сполуки не утворюються. Встановлено існування та прецизійно визначено область гомогенності твердого розчину заміщення Cr₃Si₁–xGax (x = 0–0,357) за результатами уточнення кристалографічних параметрів методом Рітвельда (структурний тип Cr₃Si, символ Пірсона cP8, просторова група 3 Pmn , a = 4,556–4,5844(7) Ǻ, RB = 0,0353, Rp = 0,009, Rwp = 0,014, χ² = 3,68) та металографічного аналізу.
Isothermal section of phase diagram of the Cr–Ga–Si system at 870 K was constructed in the whole concentration range using X-ray phase, structural and metallographic analyses of the synthesized alloys. Ternary compounds are not formed at the investigation temperature. The existence of the solid solution of substitution type, based on binary Cr3Si, was established and its homogeneity range (Cr₃Si₁–xGax, x = 0–0.357) was precisely determined by means of Rietveld refinement of the crystallographic parameters (structure type Cr₃Si, Pearson symbol cP8, space group 3 Pmn , a = 4.556–4.5844(7) Ǻ, RB = 0.0353, Rp = 0.009, Rwp = 0.014, χ² = 3.68) and metallographic analysis.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:43:02Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-136109 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0430-6252 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:43:02Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Лютий, П.Я. Федорчук, А.О. Токайчук, Я.О. 2018-06-15T19:31:18Z 2018-06-15T19:31:18Z 2010 Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K / П.Я. Лютий, Я.О. Токайчук, А.О. Федорчук // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2010. — Т. 46, № 4. — С. 53-59. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. 0430-6252 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136109 548.736.4 С помощью рентгеновского фазового и структурного, а также металлографического анализов построено изотермическое сечение диаграммы состояния тройной системы Cr–Ga–Si при 870 K в полном концентрационном интервале. При температуре исследования тернарные соединения не образуются. Установлено существование и прецизионно определена область гомогенности твердого раствора замещения Cr₃Si₁–xGax (x = 0–0,357) по результатам уточнения кристаллографических параметров методом Ритвельда (структурный тип Cr₃Si, символ Пирсона cP8, пространственная группа 3 Pmn , a = 4,556–4,5844(7) Ǻ, RB = 0,0353, Rp = 0,009, Rwp = 0,014, χ² = 3,68) и металлографического анализа. За результатами рентгенівського фазового та структурного, а також металографічного аналізів побудовано ізотермічний переріз діаграми стану потрійної системи Cr–Ga–Si при 870 K в повному концентраційному інтервалі. При температурі дослідження тернарні сполуки не утворюються. Встановлено існування та прецизійно визначено область гомогенності твердого розчину заміщення Cr₃Si₁–xGax (x = 0–0,357) за результатами уточнення кристалографічних параметрів методом Рітвельда (структурний тип Cr₃Si, символ Пірсона cP8, просторова група 3 Pmn , a = 4,556–4,5844(7) Ǻ, RB = 0,0353, Rp = 0,009, Rwp = 0,014, χ² = 3,68) та металографічного аналізу. Isothermal section of phase diagram of the Cr–Ga–Si system at 870 K was constructed in the whole concentration range using X-ray phase, structural and metallographic analyses of the synthesized alloys. Ternary compounds are not formed at the investigation temperature. The existence of the solid solution of substitution type, based on binary Cr3Si, was established and its homogeneity range (Cr₃Si₁–xGax, x = 0–0.357) was precisely determined by means of Rietveld refinement of the crystallographic parameters (structure type Cr₃Si, Pearson symbol cP8, space group 3 Pmn , a = 4.556–4.5844(7) Ǻ, RB = 0.0353, Rp = 0.009, Rwp = 0.014, χ² = 3.68) and metallographic analysis. uk Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України Фізико-хімічна механіка матеріалів Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K Тройная система Cr–Ga–Si при 870 K Triple Cr–Ga–Si system at 870 K Article published earlier |
| spellingShingle | Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K Лютий, П.Я. Федорчук, А.О. Токайчук, Я.О. |
| title | Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K |
| title_alt | Тройная система Cr–Ga–Si при 870 K Triple Cr–Ga–Si system at 870 K |
| title_full | Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K |
| title_fullStr | Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K |
| title_full_unstemmed | Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K |
| title_short | Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K |
| title_sort | потрійна система cr–ga–si при 870 k |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136109 |
| work_keys_str_mv | AT lûtiipâ potríinasistemacrgasipri870k AT fedorčukao potríinasistemacrgasipri870k AT tokaičukâo potríinasistemacrgasipri870k AT lûtiipâ troinaâsistemacrgasipri870k AT fedorčukao troinaâsistemacrgasipri870k AT tokaičukâo troinaâsistemacrgasipri870k AT lûtiipâ triplecrgasisystemat870k AT fedorčukao triplecrgasisystemat870k AT tokaičukâo triplecrgasisystemat870k |