Buchumschlag

Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K

С помощью рентгеновского фазового и структурного, а также металлографического анализов построено изотермическое сечение диаграммы состояния тройной системы Cr–Ga–Si при 870 K в полном концентрационном интервале. При температуре исследования тернарные соединения не образуются. Установлено существован...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Фізико-хімічна механіка матеріалів
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Лютий, П.Я., Федорчук, А.О., Токайчук, Я.О.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України 2010
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136109
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K / П.Я. Лютий, Я.О. Токайчук, А.О. Федорчук // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2010. — Т. 46, № 4. — С. 53-59. — Бібліогр.: 29 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Triple Cr–Ga–Si system at 870 K
von: Ya. Liutyi, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Interaction of components in the system Tb—Mn—In at 870 K
von: Ye. Demchyna, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Комерціалізація результатів інноваційної діяльності крізь призму моделі «потрійна спіраль»
von: Попова, А.О.
Veröffentlicht: (2015)

The RCuIn1–xGax (R = La, Ce) systems at 870 K
von: N. Zaremba, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Взаємодія компонентів в системі Tb—Mn—In при 870 К
von: Демчина, М.Є., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Phase formation and crystal structure of LaCu13–xSix compounds at 870 K
von: L. O. Fedyna, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Потрійна свинцева герма з розкопок Ольвії 1955 р.
von: Петровська, Є.О.
Veröffentlicht: (1957)

Потрійна евтектика в сплавах кобальту з алюмінієм і вольфрамом
von: Дмитрієва, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Представники структурного типу Sc₂Re₃Si₄ у системах R−{Ti,Zr,Hf}−Si (R − рідкісноземельний метал)
von: Муць, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C
von: Головата, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

The influence of Cr concentration on time resolution of GaAs detectors
von: Fedorenko, L.L., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Система моніторингу і управління процесом електроспікання КАМ на металевій зв’язці
von: Подоба, Я.О.
Veröffentlicht: (2011)

Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Вплив тиску водню на особливості диспропорціонування Sm₂Co₁₇
von: Булик, І.І., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Новi сполуки в системi Er—Ga—Si
von: Пукас, С.Я., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Образование квазикристаллических структур при отжиге микрослойных покрытий (Ti, Cr)-Si
von: Мовчан, Б.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Nano-microcomposite and combined coatings on Ti-Si-N/WC-Co-Cr/steel and Ti-Si-N/(Cr₃C₂ )₇₅-(NiCr)₂₅ base: their structure and properties
von: Erdybaeva, N.K.
Veröffentlicht: (2010)

Nanostructurization of Si and GaAs by acoustic cavitation in liquid nitrogen
von: S. V. Biletskyi, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type
von: Semen’ko, M.P., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
von: Datsenko, L.I., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Кристалічна структура сполуки Sm₂Os₃Al₁₅
von: Луцишин, Ю.Я., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Thermodynamic properties of melts of the ternary Ga—Si—Ni(Mn)
von: L. A. Romanova, et al.
Veröffentlicht: (2014)

An improved contribution to optimize Si and GaAs solar cell performances
von: Merabtine, N., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
von: Омельчук, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Nano-microcomposite and combined coatings on Ti-Si-N/WC-Co-Cr/steel and Ti-Si-N/(Cr3C2)75-(NiCr)25 base: their structure and properties
von: N. K. Erdybaeva
Veröffentlicht: (2010)

Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
von: S. M. Redko
Veröffentlicht: (2015)

Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
von: Red’ko, S.M.
Veröffentlicht: (2015)

Термодинамические свойства расплавов тройных систем Ga—Si—Ni(Mn)
von: Романова, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Вплив тривалості взаємодії сплаву на основі SmCo₅ з воднем низького тиску на фазовий склад
von: Булик, І.І., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Стабільність апаратури при швидкісній фотометрії зір на двоканальному фотометрі
von: Романюк, Я.О.
Veröffentlicht: (1997)

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)

Currentless synthesis of CrSi2 on the chromium surface in molten salts
von: L. A. Molotovska, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
von: K. T. Dovranov, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
von: K. T. Dovranov, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Автоматизована система управління запасами на OC Android та бази даних Firebase з використанням штрих кодів та QR-кодів
von: Гайдукевич, Я.О., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature-pressure
von: J. Bak-Misiuk, et al.
Veröffentlicht: (2009)

Isothermal section of the phase diagram of the Gd—Si—Ga system at 800 °C
von: N. V. Holovata, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure
von: Bak-Misiuk, J., et al.
Veröffentlicht: (2009)