Зображення обкладинки

Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K

С помощью рентгеновского фазового и структурного, а также металлографического анализов построено изотермическое сечение диаграммы состояния тройной системы Cr–Ga–Si при 870 K в полном концентрационном интервале. При температуре исследования тернарные соединения не образуются. Установлено существован...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Фізико-хімічна механіка матеріалів
Дата:	2010
Автори:	Лютий, П.Я., Федорчук, А.О., Токайчук, Я.О.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України 2010
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136109
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K / П.Я. Лютий, Я.О. Токайчук, А.О. Федорчук // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2010. — Т. 46, № 4. — С. 53-59. — Бібліогр.: 29 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Triple Cr–Ga–Si system at 870 K
за авторством: Ya. Liutyi, та інші
Опубліковано: (2010)

Interaction of components in the system Tb—Mn—In at 870 K
за авторством: Ye. Demchyna, та інші
Опубліковано: (2011)

Комерціалізація результатів інноваційної діяльності крізь призму моделі «потрійна спіраль»
за авторством: Попова, А.О.
Опубліковано: (2015)

The RCuIn1–xGax (R = La, Ce) systems at 870 K
за авторством: N. Zaremba, та інші
Опубліковано: (2021)

Взаємодія компонентів в системі Tb—Mn—In при 870 К
за авторством: Демчина, М.Є., та інші
Опубліковано: (2011)

Потрійна свинцева герма з розкопок Ольвії 1955 р.
за авторством: Петровська, Є.О.
Опубліковано: (1957)

Phase formation and crystal structure of LaCu13–xSix compounds at 870 K
за авторством: L. O. Fedyna, та інші
Опубліковано: (2020)

Потрійна евтектика в сплавах кобальту з алюмінієм і вольфрамом
за авторством: Дмитрієва, Г.П., та інші
Опубліковано: (2009)

Представники структурного типу Sc₂Re₃Si₄ у системах R−{Ti,Zr,Hf}−Si (R − рідкісноземельний метал)
за авторством: Муць, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)

Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C
за авторством: Головата, Н.В., та інші
Опубліковано: (2013)

The influence of Cr concentration on time resolution of GaAs detectors
за авторством: Fedorenko, L.L., та інші
Опубліковано: (2006)

Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002)

Система моніторингу і управління процесом електроспікання КАМ на металевій зв’язці
за авторством: Подоба, Я.О.
Опубліковано: (2011)

Вплив тиску водню на особливості диспропорціонування Sm₂Co₁₇
за авторством: Булик, І.І., та інші
Опубліковано: (2013)

Новi сполуки в системi Er—Ga—Si
за авторством: Пукас, С.Я., та інші
Опубліковано: (2007)

Образование квазикристаллических структур при отжиге микрослойных покрытий (Ti, Cr)-Si
за авторством: Мовчан, Б.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Nano-microcomposite and combined coatings on Ti-Si-N/WC-Co-Cr/steel and Ti-Si-N/(Cr₃C₂ )₇₅-(NiCr)₂₅ base: their structure and properties
за авторством: Erdybaeva, N.K.
Опубліковано: (2010)

Nanostructurization of Si and GaAs by acoustic cavitation in liquid nitrogen
за авторством: S. V. Biletskyi, та інші
Опубліковано: (2015)

Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type
за авторством: Semen’ko, M.P., та інші
Опубліковано: (2017)

Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (2001)

Кристалічна структура сполуки Sm₂Os₃Al₁₅
за авторством: Луцишин, Ю.Я., та інші
Опубліковано: (2009)

Thermodynamic properties of melts of the ternary Ga—Si—Ni(Mn)
за авторством: L. A. Romanova, та інші
Опубліковано: (2014)

An improved contribution to optimize Si and GaAs solar cell performances
за авторством: Merabtine, N., та інші
Опубліковано: (2004)

Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
за авторством: Омельчук, А.О., та інші
Опубліковано: (2008)

Nano-microcomposite and combined coatings on Ti-Si-N/WC-Co-Cr/steel and Ti-Si-N/(Cr3C2)75-(NiCr)25 base: their structure and properties
за авторством: N. K. Erdybaeva
Опубліковано: (2010)

Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015)

Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)

Термодинамические свойства расплавов тройных систем Ga—Si—Ni(Mn)
за авторством: Романова, Л.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Вплив тривалості взаємодії сплаву на основі SmCo₅ з воднем низького тиску на фазовий склад
за авторством: Булик, І.І., та інші
Опубліковано: (2012)

Стабільність апаратури при швидкісній фотометрії зір на двоканальному фотометрі
за авторством: Романюк, Я.О.
Опубліковано: (1997)

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)

Currentless synthesis of CrSi2 on the chromium surface in molten salts
за авторством: L. A. Molotovska, та інші
Опубліковано: (2013)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)

Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature-pressure
за авторством: J. Bak-Misiuk, та інші
Опубліковано: (2009)

Isothermal section of the phase diagram of the Gd—Si—Ga system at 800 °C
за авторством: N. V. Holovata, та інші
Опубліковано: (2013)

Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure
за авторством: Bak-Misiuk, J., та інші
Опубліковано: (2009)

Автоматизована система управління запасами на OC Android та бази даних Firebase з використанням штрих кодів та QR-кодів
за авторством: Гайдукевич, Я.О., та інші
Опубліковано: (2022)