Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K
С помощью рентгеновского фазового и структурного, а также металлографического анализов построено изотермическое сечение диаграммы состояния тройной системы Cr–Ga–Si при 870 K в полном концентрационном интервале. При температуре исследования тернарные соединения не образуются. Установлено существован...
Saved in:
| Published in: | Фізико-хімічна механіка матеріалів |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | Лютий, П.Я., Федорчук, А.О., Токайчук, Я.О. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України
2010
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136109 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K / П.Я. Лютий, Я.О. Токайчук, А.О. Федорчук // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2010. — Т. 46, № 4. — С. 53-59. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Triple Cr–Ga–Si system at 870 K
by: Ya. Liutyi, et al.
Published: (2010)
by: Ya. Liutyi, et al.
Published: (2010)
Interaction of components in the system Tb—Mn—In at 870 K
by: Ye. Demchyna, et al.
Published: (2011)
by: Ye. Demchyna, et al.
Published: (2011)
Комерціалізація результатів інноваційної діяльності крізь призму моделі «потрійна спіраль»
by: Попова, А.О.
Published: (2015)
by: Попова, А.О.
Published: (2015)
The RCuIn1–xGax (R = La, Ce) systems at 870 K
by: N. Zaremba, et al.
Published: (2021)
by: N. Zaremba, et al.
Published: (2021)
Взаємодія компонентів в системі Tb—Mn—In при 870 К
by: Демчина, М.Є., et al.
Published: (2011)
by: Демчина, М.Є., et al.
Published: (2011)
Потрійна свинцева герма з розкопок Ольвії 1955 р.
by: Петровська, Є.О.
Published: (1957)
by: Петровська, Є.О.
Published: (1957)
Phase formation and crystal structure of LaCu13–xSix compounds at 870 K
by: L. O. Fedyna, et al.
Published: (2020)
by: L. O. Fedyna, et al.
Published: (2020)
Потрійна евтектика в сплавах кобальту з алюмінієм і вольфрамом
by: Дмитрієва, Г.П., et al.
Published: (2009)
by: Дмитрієва, Г.П., et al.
Published: (2009)
Представники структурного типу Sc₂Re₃Si₄ у системах R−{Ti,Zr,Hf}−Si (R − рідкісноземельний метал)
by: Муць, Н.М., et al.
Published: (2014)
by: Муць, Н.М., et al.
Published: (2014)
Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C
by: Головата, Н.В., et al.
Published: (2013)
by: Головата, Н.В., et al.
Published: (2013)
The influence of Cr concentration on time resolution of GaAs detectors
by: Fedorenko, L.L., et al.
Published: (2006)
by: Fedorenko, L.L., et al.
Published: (2006)
Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
by: Boltovets, N.S., et al.
Published: (2002)
by: Boltovets, N.S., et al.
Published: (2002)
Система моніторингу і управління процесом електроспікання КАМ на металевій зв’язці
by: Подоба, Я.О.
Published: (2011)
by: Подоба, Я.О.
Published: (2011)
Вплив тиску водню на особливості диспропорціонування Sm₂Co₁₇
by: Булик, І.І., et al.
Published: (2013)
by: Булик, І.І., et al.
Published: (2013)
Новi сполуки в системi Er—Ga—Si
by: Пукас, С.Я., et al.
Published: (2007)
by: Пукас, С.Я., et al.
Published: (2007)
Образование квазикристаллических структур при отжиге микрослойных покрытий (Ti, Cr)-Si
by: Мовчан, Б.А., et al.
Published: (2003)
by: Мовчан, Б.А., et al.
Published: (2003)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
by: Kladko, V.P., et al.
Published: (2000)
by: Kladko, V.P., et al.
Published: (2000)
Nano-microcomposite and combined coatings on Ti-Si-N/WC-Co-Cr/steel and Ti-Si-N/(Cr₃C₂ )₇₅-(NiCr)₂₅ base: their structure and properties
by: Erdybaeva, N.K.
Published: (2010)
by: Erdybaeva, N.K.
Published: (2010)
Nanostructurization of Si and GaAs by acoustic cavitation in liquid nitrogen
by: S. V. Biletskyi, et al.
Published: (2015)
by: S. V. Biletskyi, et al.
Published: (2015)
Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type
by: Semen’ko, M.P., et al.
Published: (2017)
by: Semen’ko, M.P., et al.
Published: (2017)
Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
by: Datsenko, L.I., et al.
Published: (2001)
by: Datsenko, L.I., et al.
Published: (2001)
Кристалічна структура сполуки Sm₂Os₃Al₁₅
by: Луцишин, Ю.Я., et al.
Published: (2009)
by: Луцишин, Ю.Я., et al.
Published: (2009)
Thermodynamic properties of melts of the ternary Ga—Si—Ni(Mn)
by: L. A. Romanova, et al.
Published: (2014)
by: L. A. Romanova, et al.
Published: (2014)
An improved contribution to optimize Si and GaAs solar cell performances
by: Merabtine, N., et al.
Published: (2004)
by: Merabtine, N., et al.
Published: (2004)
Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
by: Омельчук, А.О., et al.
Published: (2008)
by: Омельчук, А.О., et al.
Published: (2008)
Nano-microcomposite and combined coatings on Ti-Si-N/WC-Co-Cr/steel and Ti-Si-N/(Cr3C2)75-(NiCr)25 base: their structure and properties
by: N. K. Erdybaeva
Published: (2010)
by: N. K. Erdybaeva
Published: (2010)
Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2018)
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2018)
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
by: S. M. Redko
Published: (2015)
by: S. M. Redko
Published: (2015)
Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
by: Red’ko, S.M.
Published: (2015)
by: Red’ko, S.M.
Published: (2015)
Термодинамические свойства расплавов тройных систем Ga—Si—Ni(Mn)
by: Романова, Л.А., et al.
Published: (2014)
by: Романова, Л.А., et al.
Published: (2014)
Вплив тривалості взаємодії сплаву на основі SmCo₅ з воднем низького тиску на фазовий склад
by: Булик, І.І., et al.
Published: (2012)
by: Булик, І.І., et al.
Published: (2012)
Стабільність апаратури при швидкісній фотометрії зір на двоканальному фотометрі
by: Романюк, Я.О.
Published: (1997)
by: Романюк, Я.О.
Published: (1997)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
by: Круковский, С.И.
Published: (2002)
by: Круковский, С.И.
Published: (2002)
Currentless synthesis of CrSi2 on the chromium surface in molten salts
by: L. A. Molotovska, et al.
Published: (2013)
by: L. A. Molotovska, et al.
Published: (2013)
Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
by: K. T. Dovranov, et al.
Published: (2024)
by: K. T. Dovranov, et al.
Published: (2024)
Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
by: K. T. Dovranov, et al.
Published: (2024)
by: K. T. Dovranov, et al.
Published: (2024)
Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature-pressure
by: J. Bak-Misiuk, et al.
Published: (2009)
by: J. Bak-Misiuk, et al.
Published: (2009)
Isothermal section of the phase diagram of the Gd—Si—Ga system at 800 °C
by: N. V. Holovata, et al.
Published: (2013)
by: N. V. Holovata, et al.
Published: (2013)
Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure
by: Bak-Misiuk, J., et al.
Published: (2009)
by: Bak-Misiuk, J., et al.
Published: (2009)
Автоматизована система управління запасами на OC Android та бази даних Firebase з використанням штрих кодів та QR-кодів
by: Гайдукевич, Я.О., et al.
Published: (2022)
by: Гайдукевич, Я.О., et al.
Published: (2022)
Similar Items
-
Triple Cr–Ga–Si system at 870 K
by: Ya. Liutyi, et al.
Published: (2010) -
Interaction of components in the system Tb—Mn—In at 870 K
by: Ye. Demchyna, et al.
Published: (2011) -
Комерціалізація результатів інноваційної діяльності крізь призму моделі «потрійна спіраль»
by: Попова, А.О.
Published: (2015) -
The RCuIn1–xGax (R = La, Ce) systems at 870 K
by: N. Zaremba, et al.
Published: (2021) -
Взаємодія компонентів в системі Tb—Mn—In при 870 К
by: Демчина, М.Є., et al.
Published: (2011)