Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K

• Veröffentlicht in: Фізико-хімічна механіка матеріалів
• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Лютий, П.Я., Федорчук, А.О., Токайчук, Я.О.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України 2010
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136109
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K / П.Я. Лютий, Я.О. Токайчук, А.О. Федорчук // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2010. — Т. 46, № 4. — С. 53-59. — Бібліогр.: 29 назв. — укр.

С помощью рентгеновского фазового и структурного, а также металлографического анализов построено изотермическое сечение диаграммы состояния тройной системы Cr–Ga–Si при 870 K в полном концентрационном интервале. При температуре исследования тернарные соединения не образуются. Установлено существован...