Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций
Описана температурная зависимость концентрации электронов в облученных γ-квантами ⁶⁰Со кристаллах n-типа кремния, связанная с перезарядкой дважды и отрицательно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дистор...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136151 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-136151 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Долголенко, А.П. 2018-06-16T06:06:21Z 2018-06-16T06:06:21Z 2017 Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136151 621.315.592.3:546.28:539.12.04 Описана температурная зависимость концентрации электронов в облученных γ-квантами ⁶⁰Со кристаллах n-типа кремния, связанная с перезарядкой дважды и отрицательно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией. Показано, что экспериментальное наблюдение обобщенного уровня Еₜ-0,23 эВ дивакансии возможно только в процессе ее конфигурационной перестройки. Экспериментально наблюдалось, что концентрация V₂² с уровнем Еₜ-0,261 эВ определяется не только видом и дозой ядерного излучения, но и зависит от уровня легирования кристаллов кремния. Определена скорость конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией как функция энергии и температуры ее перезарядки. Обнаружено, что ультразвуковая обработка облученных γ-квантами образцов n-Si усиливает миграцию межузельных атомов (Сᵢ), разрушая радиационные дефекты (Pₛ-Cᵢ), и уменьшает вероятность конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией. Описана температурна залежність концентрації електронів у опромінених γ-квантами ⁶⁰Co кристалах n-типу кремнію, пов'язана з перезарядкою двічі і негативно зарядженої дивакансії в процесі її конфігураційної перебудови з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией. Показано, що експериментальне спостереження узагальненого рівня Еₜ-0,23 еВ дивакансії можливо тільки в процесі її конфігураційної перебудови. Експериментально спостерігалося, що концентрація V₂² з рівнем Еₜ-0,261 еВ визначається не тільки видом і дозою ядерного випромінювання, але і залежить від рівня легування кристалів кремнію. Визначено швидкість конфігураційної перебудови дивакансії з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией як функція енергії і температури її перезарядки. Виявлено, що ультразвукова обробка опромінених γ-квантами зразків n-Si посилює міграцію межузельних атомів (Сᵢ), руйнуючи радіаційні дефекти (Pₛ-Сᵢ), але зменшує ймовірність конфігураційної перебудови дивакансії з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией. The temperature dependence of the electron density in the crystals of n-type silicon irradiated γ-rays ⁶⁰Co associated with double and negatively charged divacancy in the process of restructuring of a configuration with more distortion in the configuration with less distortion was described. The experimental observation of a generalized level Eₜ-0.23 eV divacancy is only possible in the process of restructuring its configuration was shown. Experimentally observed, that the concentration of the level V₂² Eₜ-0.261 eV determined by not only the type and dose of nuclear radiation, but also depends on the level of doping of silicon crystals. In γ-rays irradiated samples nSi the speed of adjustment divacancy from configuration with more distortion in the configuration with less distortion is determined as a function of energy and its recharge temperature. Ultrasonic treatment of n-type silicon crystals irradiated γ-rays ⁶⁰Co enhances the migration of interstitial atoms (Сᵢ), destroying radiation defects (Pₛ-Сᵢ), but also reduces the likelihood of divacancies configuration adjustment from one configuration with a greater distortion in configuration with less distortion was found. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Ядерная физика и элементарные частицы Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций Конфігураційна перебудова дивакансії під впливом ультразвукових стимуляцій Configuration divacancies restructuring under the influence acoustic-wave stimulation Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| spellingShingle |
Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций Долголенко, А.П. Ядерная физика и элементарные частицы |
| title_short |
Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| title_full |
Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| title_fullStr |
Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| title_full_unstemmed |
Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| title_sort |
конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| author |
Долголенко, А.П. |
| author_facet |
Долголенко, А.П. |
| topic |
Ядерная физика и элементарные частицы |
| topic_facet |
Ядерная физика и элементарные частицы |
| publishDate |
2017 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Конфігураційна перебудова дивакансії під впливом ультразвукових стимуляцій Configuration divacancies restructuring under the influence acoustic-wave stimulation |
| description |
Описана температурная зависимость концентрации электронов в облученных γ-квантами ⁶⁰Со кристаллах n-типа кремния, связанная с перезарядкой дважды и отрицательно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией. Показано, что экспериментальное наблюдение обобщенного уровня Еₜ-0,23 эВ дивакансии возможно только в процессе ее конфигурационной перестройки. Экспериментально наблюдалось, что концентрация V₂² с уровнем Еₜ-0,261 эВ определяется не только видом и дозой ядерного излучения, но и зависит от уровня легирования кристаллов кремния. Определена скорость конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией как функция энергии и температуры ее перезарядки. Обнаружено, что ультразвуковая обработка облученных γ-квантами образцов n-Si усиливает миграцию межузельных атомов (Сᵢ), разрушая радиационные дефекты (Pₛ-Cᵢ), и уменьшает вероятность конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией.
Описана температурна залежність концентрації електронів у опромінених γ-квантами ⁶⁰Co кристалах n-типу кремнію, пов'язана з перезарядкою двічі і негативно зарядженої дивакансії в процесі її конфігураційної перебудови з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией. Показано, що експериментальне спостереження узагальненого рівня Еₜ-0,23 еВ дивакансії можливо тільки в процесі її конфігураційної перебудови. Експериментально спостерігалося, що концентрація V₂² з рівнем Еₜ-0,261 еВ визначається не тільки видом і дозою ядерного випромінювання, але і залежить від рівня легування кристалів кремнію. Визначено швидкість конфігураційної перебудови дивакансії з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией як функція енергії і температури її перезарядки. Виявлено, що ультразвукова обробка опромінених γ-квантами зразків n-Si посилює міграцію межузельних атомів (Сᵢ), руйнуючи радіаційні дефекти (Pₛ-Сᵢ), але зменшує ймовірність конфігураційної перебудови дивакансії з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией.
The temperature dependence of the electron density in the crystals of n-type silicon irradiated γ-rays ⁶⁰Co associated with double and negatively charged divacancy in the process of restructuring of a configuration with more distortion in the configuration with less distortion was described. The experimental observation of a generalized level Eₜ-0.23 eV divacancy is only possible in the process of restructuring its configuration was shown. Experimentally observed, that the concentration of the level V₂² Eₜ-0.261 eV determined by not only the type and dose of nuclear radiation, but also depends on the level of doping of silicon crystals. In γ-rays irradiated samples nSi the speed of adjustment divacancy from configuration with more distortion in the configuration with less
distortion is determined as a function of energy and its recharge temperature. Ultrasonic treatment of n-type silicon crystals irradiated γ-rays ⁶⁰Co enhances the migration of interstitial atoms (Сᵢ), destroying radiation defects (Pₛ-Сᵢ), but also reduces the likelihood of divacancies configuration adjustment from one configuration with a greater
distortion in configuration with less distortion was found.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136151 |
| citation_txt |
Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT dolgolenkoap konfiguracionnaâperestroikadivakansiipodvliâniemulʹtrazvukovyhstimulâcii AT dolgolenkoap konfíguracíinaperebudovadivakansíípídvplivomulʹtrazvukovihstimulâcíi AT dolgolenkoap configurationdivacanciesrestructuringundertheinfluenceacousticwavestimulation |
| first_indexed |
2025-12-07T18:49:33Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:49:33Z |
| _version_ |
1850876492514328576 |