Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций
Описана температурная зависимость концентрации электронов в облученных γ-квантами ⁶⁰Со кристаллах n-типа кремния, связанная с перезарядкой дважды и отрицательно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дистор...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2017
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136151 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862724761799360512 |
|---|---|
| author | Долголенко, А.П. |
| author_facet | Долголенко, А.П. |
| citation_txt | Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Описана температурная зависимость концентрации электронов в облученных γ-квантами ⁶⁰Со кристаллах n-типа кремния, связанная с перезарядкой дважды и отрицательно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией. Показано, что экспериментальное наблюдение обобщенного уровня Еₜ-0,23 эВ дивакансии возможно только в процессе ее конфигурационной перестройки. Экспериментально наблюдалось, что концентрация V₂² с уровнем Еₜ-0,261 эВ определяется не только видом и дозой ядерного излучения, но и зависит от уровня легирования кристаллов кремния. Определена скорость конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией как функция энергии и температуры ее перезарядки. Обнаружено, что ультразвуковая обработка облученных γ-квантами образцов n-Si усиливает миграцию межузельных атомов (Сᵢ), разрушая радиационные дефекты (Pₛ-Cᵢ), и уменьшает вероятность конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией.
Описана температурна залежність концентрації електронів у опромінених γ-квантами ⁶⁰Co кристалах n-типу кремнію, пов'язана з перезарядкою двічі і негативно зарядженої дивакансії в процесі її конфігураційної перебудови з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией. Показано, що експериментальне спостереження узагальненого рівня Еₜ-0,23 еВ дивакансії можливо тільки в процесі її конфігураційної перебудови. Експериментально спостерігалося, що концентрація V₂² з рівнем Еₜ-0,261 еВ визначається не тільки видом і дозою ядерного випромінювання, але і залежить від рівня легування кристалів кремнію. Визначено швидкість конфігураційної перебудови дивакансії з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией як функція енергії і температури її перезарядки. Виявлено, що ультразвукова обробка опромінених γ-квантами зразків n-Si посилює міграцію межузельних атомів (Сᵢ), руйнуючи радіаційні дефекти (Pₛ-Сᵢ), але зменшує ймовірність конфігураційної перебудови дивакансії з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией.
The temperature dependence of the electron density in the crystals of n-type silicon irradiated γ-rays ⁶⁰Co associated with double and negatively charged divacancy in the process of restructuring of a configuration with more distortion in the configuration with less distortion was described. The experimental observation of a generalized level Eₜ-0.23 eV divacancy is only possible in the process of restructuring its configuration was shown. Experimentally observed, that the concentration of the level V₂² Eₜ-0.261 eV determined by not only the type and dose of nuclear radiation, but also depends on the level of doping of silicon crystals. In γ-rays irradiated samples nSi the speed of adjustment divacancy from configuration with more distortion in the configuration with less
distortion is determined as a function of energy and its recharge temperature. Ultrasonic treatment of n-type silicon crystals irradiated γ-rays ⁶⁰Co enhances the migration of interstitial atoms (Сᵢ), destroying radiation defects (Pₛ-Сᵢ), but also reduces the likelihood of divacancies configuration adjustment from one configuration with a greater
distortion in configuration with less distortion was found.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:49:33Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-136151 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:49:33Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Долголенко, А.П. 2018-06-16T06:06:21Z 2018-06-16T06:06:21Z 2017 Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136151 621.315.592.3:546.28:539.12.04 Описана температурная зависимость концентрации электронов в облученных γ-квантами ⁶⁰Со кристаллах n-типа кремния, связанная с перезарядкой дважды и отрицательно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией. Показано, что экспериментальное наблюдение обобщенного уровня Еₜ-0,23 эВ дивакансии возможно только в процессе ее конфигурационной перестройки. Экспериментально наблюдалось, что концентрация V₂² с уровнем Еₜ-0,261 эВ определяется не только видом и дозой ядерного излучения, но и зависит от уровня легирования кристаллов кремния. Определена скорость конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией как функция энергии и температуры ее перезарядки. Обнаружено, что ультразвуковая обработка облученных γ-квантами образцов n-Si усиливает миграцию межузельных атомов (Сᵢ), разрушая радиационные дефекты (Pₛ-Cᵢ), и уменьшает вероятность конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией. Описана температурна залежність концентрації електронів у опромінених γ-квантами ⁶⁰Co кристалах n-типу кремнію, пов'язана з перезарядкою двічі і негативно зарядженої дивакансії в процесі її конфігураційної перебудови з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией. Показано, що експериментальне спостереження узагальненого рівня Еₜ-0,23 еВ дивакансії можливо тільки в процесі її конфігураційної перебудови. Експериментально спостерігалося, що концентрація V₂² з рівнем Еₜ-0,261 еВ визначається не тільки видом і дозою ядерного випромінювання, але і залежить від рівня легування кристалів кремнію. Визначено швидкість конфігураційної перебудови дивакансії з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией як функція енергії і температури її перезарядки. Виявлено, що ультразвукова обробка опромінених γ-квантами зразків n-Si посилює міграцію межузельних атомів (Сᵢ), руйнуючи радіаційні дефекти (Pₛ-Сᵢ), але зменшує ймовірність конфігураційної перебудови дивакансії з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией. The temperature dependence of the electron density in the crystals of n-type silicon irradiated γ-rays ⁶⁰Co associated with double and negatively charged divacancy in the process of restructuring of a configuration with more distortion in the configuration with less distortion was described. The experimental observation of a generalized level Eₜ-0.23 eV divacancy is only possible in the process of restructuring its configuration was shown. Experimentally observed, that the concentration of the level V₂² Eₜ-0.261 eV determined by not only the type and dose of nuclear radiation, but also depends on the level of doping of silicon crystals. In γ-rays irradiated samples nSi the speed of adjustment divacancy from configuration with more distortion in the configuration with less
 distortion is determined as a function of energy and its recharge temperature. Ultrasonic treatment of n-type silicon crystals irradiated γ-rays ⁶⁰Co enhances the migration of interstitial atoms (Сᵢ), destroying radiation defects (Pₛ-Сᵢ), but also reduces the likelihood of divacancies configuration adjustment from one configuration with a greater
 distortion in configuration with less distortion was found. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Ядерная физика и элементарные частицы Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций Конфігураційна перебудова дивакансії під впливом ультразвукових стимуляцій Configuration divacancies restructuring under the influence acoustic-wave stimulation Article published earlier |
| spellingShingle | Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций Долголенко, А.П. Ядерная физика и элементарные частицы |
| title | Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| title_alt | Конфігураційна перебудова дивакансії під впливом ультразвукових стимуляцій Configuration divacancies restructuring under the influence acoustic-wave stimulation |
| title_full | Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| title_fullStr | Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| title_full_unstemmed | Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| title_short | Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| title_sort | конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| topic | Ядерная физика и элементарные частицы |
| topic_facet | Ядерная физика и элементарные частицы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136151 |
| work_keys_str_mv | AT dolgolenkoap konfiguracionnaâperestroikadivakansiipodvliâniemulʹtrazvukovyhstimulâcii AT dolgolenkoap konfíguracíinaperebudovadivakansíípídvplivomulʹtrazvukovihstimulâcíi AT dolgolenkoap configurationdivacanciesrestructuringundertheinfluenceacousticwavestimulation |