Infrared heaters with thin-film conductive layers were synthesized on the glass by the magnetron sputtering

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2017
• Hauptverfasser: Lytvynenko, V.V., Shmidko, I.N., Rodionov, E.V.
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2017
• Schlagworte: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136168
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Infrared heaters with thin-film conductive layers were synthesized on the glass by the magnetron sputtering / V.V. Lytvynenko, I.N. Shmidko, E.V. Rodionov // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 5. — С. 98-102. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

This paper examines the infrared heating panels with thin conductivite layer. An oxide semiconductor thin film layer is proposed for improvements of the heating layer’s reliability and stability. Characteristics of the oxide semiconductor thin film’s materials are analyzed and tin oxide film are selected for further research. The results of the experiments and the characteristics of the films depending on technological factors had been given. Considered parameters of infrared radiant heating glass panels with a thin film heating layer. Established maximum allowable electrical parameters of the IR radiating panels with a thin film heating layer, as well as the possibility of increasing the efficiency of IR panels and power savings. Розглядаються інфрачервоні нагрівальні панелі з тонким провідним шаром. Як провідний матеріал пропонується тонкоплівковий шар оксидного напівпровідника, що підвищує надійність і стабільність нагрівального шару. Аналізуються характеристики матеріалів тонкої плівки оксидного напівпровідника і обґрунтовується вибір плівки оксиду олова для подальших досліджень. Наведено результати експериментів і характеристики плівок у залежності від технологічних факторів їх синтезу. Розглядаються параметри інфрачервоних променистих нагрівальних панелей з тонкоплівковим нагрівальним шаром. Встановлено максимально допустимі електричні параметри інфрачервоних випромінюючих панелей з тонкоплівковим нагрівальним шаром, а також можливість підвищення ефективності інфрачервоних панелей і економії енергії. Рассматриваются инфракрасные нагревательные панели с тонким проводящим слоем. В качестве проводящего материала предлагается тонкопленочный слой оксидного полупроводника, что повышает надежность и стабильность нагревательного слоя. Анализируются характеристики материалов тонкой пленки оксидного полупроводника и обосновывается выбор пленки оксида олова для дальнейших исследований. Приведены результаты экспериментов и характеристики пленок в зависимости от технологических факторов их синтеза. Рассматриваются параметры инфракрасных лучистых нагревательных панелей с тонкопленочным нагревательным слоем. Установлены максимально допустимые электрические параметры инфракрасных излучающих панелей с тонкопленочным нагревательным слоем, а также возможность повышения эффективности инфракрасных панелей и экономии энергии.