О вкладе дислокаций в электросопротивление ниобия

• Published in: Физика низких температур
• Date: 1999
• Main Author: Соколенко, В.И.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1999
• Subjects: Электpонные свойства металлов и сплавов
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136233
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: О вкладе дислокаций в электросопротивление ниобия / В. И. Соколенко // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 4. — С. 362-366. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Для монокристаллов ниобия c различным структурным состоянием (после деформации прокаткой при 20 К и последовательного удаления поверхностных слоев) исследовано изменение прироста удельного электросопротивления, нормированного на величину средней плотности дислокаций в сердцевине Δρ/Nd. Для гомогенной структуры с высокой плотностью равномерно распределенных дислокаций (Nd=13*10¹⁰см⁻²) с учетом вклада вакансий в (Δρ) определена величина удельного электросопротивления единичной дислокации rd ≈ (9±3)*10⁻¹⁹Oм*cм³. Выполнены количественные расчеты rd ниобия в рамках моделей резонансного рассеяния электронов на дислокациях. Для монокристалів ніобію з різним структурним станом (після деформації прокаткою при 20 К і послідовного видалення поверхневих шарів) досліджено зміну приросту питомого електроопору, нормованого на величину середньої густини діслокацій у серцевині Δρ/Nd. Для гомогенної структури з високою густиною рівномірно розподілених дислокацій (Nd=13*10¹⁰см⁻²) з урахуванням вкладу вакансій в (Δρ)визначено величину питомого електроопору одиничної дислокації rd ≈ (9±3)*10⁻¹⁹Oм*cм³. Здійснено кількісні розрахунки rd ніобію в рамках моделей резонансного розсіяння електронів на дислокаціях. The change of specific electrical resistivity devided by the mean dislocation density in the core Δρr/Nd of niobium single crystals in different structure states is studied (after rolling deformation at 20 K and subsequent removal of surface layers). For a homogeneous-type structure of high-density dislocations (Nd=13*10¹⁰см⁻²) the value of specific electrical resistivity produced by dislocations rd ≈ (9±3)*10⁻¹⁹Oм*cм³ is defined taking into account the vacancy part in (Δρ). The rd of niobium has been calculated quantitatively within the models of electron resonance scattering by dislocations.