О вкладе дислокаций в электросопротивление ниобия
Для монокристаллов ниобия c различным структурным состоянием (после деформации прокаткой при 20 К и последовательного удаления поверхностных слоев) исследовано изменение прироста удельного электросопротивления, нормированного на величину средней плотности дислокаций в сердцевине Δρ/Nd. Для гомогенно...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 1999 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1999
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136233 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | О вкладе дислокаций в электросопротивление ниобия / В. И. Соколенко // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 4. — С. 362-366. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-136233 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Соколенко, В.И. 2018-06-16T08:19:58Z 2018-06-16T08:19:58Z 1999 О вкладе дислокаций в электросопротивление ниобия / В. И. Соколенко // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 4. — С. 362-366. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136233 Для монокристаллов ниобия c различным структурным состоянием (после деформации прокаткой при 20 К и последовательного удаления поверхностных слоев) исследовано изменение прироста удельного электросопротивления, нормированного на величину средней плотности дислокаций в сердцевине Δρ/Nd. Для гомогенной структуры с высокой плотностью равномерно распределенных дислокаций (Nd=13*10¹⁰см⁻²) с учетом вклада вакансий в (Δρ) определена величина удельного электросопротивления единичной дислокации rd ≈ (9±3)*10⁻¹⁹Oм*cм³. Выполнены количественные расчеты rd ниобия в рамках моделей резонансного рассеяния электронов на дислокациях. Для монокристалів ніобію з різним структурним станом (після деформації прокаткою при 20 К і послідовного видалення поверхневих шарів) досліджено зміну приросту питомого електроопору, нормованого на величину середньої густини діслокацій у серцевині Δρ/Nd. Для гомогенної структури з високою густиною рівномірно розподілених дислокацій (Nd=13*10¹⁰см⁻²) з урахуванням вкладу вакансій в (Δρ)визначено величину питомого електроопору одиничної дислокації rd ≈ (9±3)*10⁻¹⁹Oм*cм³. Здійснено кількісні розрахунки rd ніобію в рамках моделей резонансного розсіяння електронів на дислокаціях. The change of specific electrical resistivity devided by the mean dislocation density in the core Δρr/Nd of niobium single crystals in different structure states is studied (after rolling deformation at 20 K and subsequent removal of surface layers). For a homogeneous-type structure of high-density dislocations (Nd=13*10¹⁰см⁻²) the value of specific electrical resistivity produced by dislocations rd ≈ (9±3)*10⁻¹⁹Oм*cм³ is defined taking into account the vacancy part in (Δρ). The rd of niobium has been calculated quantitatively within the models of electron resonance scattering by dislocations. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электpонные свойства металлов и сплавов О вкладе дислокаций в электросопротивление ниобия On electrical resistivity produced by dislocations in niobium Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
О вкладе дислокаций в электросопротивление ниобия |
| spellingShingle |
О вкладе дислокаций в электросопротивление ниобия Соколенко, В.И. Электpонные свойства металлов и сплавов |
| title_short |
О вкладе дислокаций в электросопротивление ниобия |
| title_full |
О вкладе дислокаций в электросопротивление ниобия |
| title_fullStr |
О вкладе дислокаций в электросопротивление ниобия |
| title_full_unstemmed |
О вкладе дислокаций в электросопротивление ниобия |
| title_sort |
о вкладе дислокаций в электросопротивление ниобия |
| author |
Соколенко, В.И. |
| author_facet |
Соколенко, В.И. |
| topic |
Электpонные свойства металлов и сплавов |
| topic_facet |
Электpонные свойства металлов и сплавов |
| publishDate |
1999 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
On electrical resistivity produced by dislocations in niobium |
| description |
Для монокристаллов ниобия c различным структурным состоянием (после деформации прокаткой при 20 К и последовательного удаления поверхностных слоев) исследовано изменение прироста удельного электросопротивления, нормированного на величину средней плотности дислокаций в сердцевине Δρ/Nd. Для гомогенной структуры с высокой плотностью равномерно распределенных дислокаций (Nd=13*10¹⁰см⁻²) с учетом вклада вакансий в (Δρ) определена величина удельного электросопротивления единичной дислокации rd ≈ (9±3)*10⁻¹⁹Oм*cм³. Выполнены количественные расчеты rd ниобия в рамках моделей резонансного рассеяния электронов на дислокациях.
Для монокристалів ніобію з різним структурним станом (після деформації прокаткою при 20 К і послідовного видалення поверхневих шарів) досліджено зміну приросту питомого електроопору, нормованого на величину середньої густини діслокацій у серцевині Δρ/Nd. Для гомогенної структури з високою густиною рівномірно розподілених дислокацій (Nd=13*10¹⁰см⁻²) з урахуванням вкладу вакансій в (Δρ)визначено величину питомого електроопору одиничної дислокації rd ≈ (9±3)*10⁻¹⁹Oм*cм³. Здійснено кількісні розрахунки rd ніобію в рамках моделей резонансного розсіяння електронів на дислокаціях.
The change of specific electrical resistivity devided by the mean dislocation density in the core Δρr/Nd of niobium single crystals in different structure states is studied (after rolling deformation at 20 K and subsequent removal of surface layers). For a homogeneous-type structure of high-density dislocations (Nd=13*10¹⁰см⁻²) the value of specific electrical resistivity produced by dislocations rd ≈ (9±3)*10⁻¹⁹Oм*cм³ is defined taking into account the vacancy part in (Δρ). The rd of niobium has been calculated quantitatively within the models of electron resonance scattering by dislocations.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136233 |
| citation_txt |
О вкладе дислокаций в электросопротивление ниобия / В. И. Соколенко // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 4. — С. 362-366. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT sokolenkovi ovkladedislokaciivélektrosoprotivlenieniobiâ AT sokolenkovi onelectricalresistivityproducedbydislocationsinniobium |
| first_indexed |
2025-12-07T17:29:10Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:29:10Z |
| _version_ |
1850871434625155072 |