Борсодержащие примесные центры в алмазах, выращенных в системе магний–углерод

В ростовой системе на основе Mg-C при давлении р ≤ 8,2 ГПа и температуре Т ≈ 1800-2000 °С методами спонтанной кристаллизации и наращивания на затравку выращены структурно совершенные монокристаллы алмаза смешанного типа На + lib. Методом ИК-спектроскопии в выращенных кристаллах установлено наличие п...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
Date:2015
Main Authors: Коваленко, Т.В., Ивахненко, С.А., Куцай, А.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2015
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136312
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Борсодержащие примесные центры в алмазах, выращенных в системе магний–углерод / Т.В. Коваленко, С.А. Ивахненко, А.М. Куцай // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2015. — Вип. 18. — С. 220-224. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:В ростовой системе на основе Mg-C при давлении р ≤ 8,2 ГПа и температуре Т ≈ 1800-2000 °С методами спонтанной кристаллизации и наращивания на затравку выращены структурно совершенные монокристаллы алмаза смешанного типа На + lib. Методом ИК-спектроскопии в выращенных кристаллах установлено наличие примесных центров, обусловленных нескомпенсированным бором, и рассмотрены причины их возникновения. У ростовій системі на основі Mg—C при р тиску ≤ 8,2 ЕПа та температурі Т ≈ 1800 — 2000 °С методами спонтанної кристалізації та нарощування на затравку отримано структурно досконалі монокристали алмазу змішаного типу Па + ИЬ. Методом ІЧ-спектроскопії у вирощених кристалах встановлено наявність домішкових центрів, зумовлених нескомпенсованим бором, та розглянуто причини їх виникнення. In the Mg-C system at p ≤ 8,2 GPa and T ≈1800-2000 °С structurally perfect type Ila + lib diamond single crystals by spontaneous crystallization and seed-growing methods were obtained. The presence of uncompensated boron impurity center in the grown crystals 'was established by the IR spectroscopy.
ISSN:2223-3938