Борсодержащие примесные центры в алмазах, выращенных в системе магний–углерод
В ростовой системе на основе Mg-C при давлении р ≤ 8,2 ГПа и температуре Т ≈ 1800-2000 °С методами спонтанной кристаллизации и наращивания на затравку выращены структурно совершенные монокристаллы алмаза смешанного типа На + lib. Методом ИК-спектроскопии в выращенных кристаллах установлено наличие п...
Saved in:
| Published in: | Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения |
|---|---|
| Date: | 2015 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
2015
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136312 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Борсодержащие примесные центры в алмазах, выращенных в системе магний–углерод / Т.В. Коваленко, С.А. Ивахненко, А.М. Куцай // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2015. — Вип. 18. — С. 220-224. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | В ростовой системе на основе Mg-C при давлении р ≤ 8,2 ГПа и температуре Т ≈ 1800-2000 °С методами спонтанной кристаллизации и наращивания на затравку выращены структурно совершенные монокристаллы алмаза смешанного типа На + lib. Методом ИК-спектроскопии в выращенных кристаллах установлено наличие примесных центров, обусловленных нескомпенсированным бором, и рассмотрены причины их возникновения.
У ростовій системі на основі Mg—C при р тиску ≤ 8,2 ЕПа та температурі Т ≈ 1800 — 2000 °С методами спонтанної кристалізації та нарощування на затравку отримано структурно досконалі монокристали алмазу змішаного типу Па + ИЬ. Методом ІЧ-спектроскопії у вирощених кристалах встановлено наявність домішкових центрів, зумовлених нескомпенсованим бором, та розглянуто причини їх виникнення.
In the Mg-C system at p ≤ 8,2 GPa and T ≈1800-2000 °С structurally perfect type Ila + lib diamond single crystals by spontaneous crystallization and seed-growing methods were obtained. The presence of uncompensated boron impurity center in the grown crystals 'was established by the IR spectroscopy.
|
|---|---|
| ISSN: | 2223-3938 |