Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes
Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Nl Schottky's surface barrier structure used as components of UV photosensitive detectors are studied. Both the spectrum and the total sensitivity of photodiodes depend substantially on the nickel film thickness. Estimation of the film...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136547 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes // K.A. Katrunov, L.P. Galchinetskii, B.V. Grinyov, N.G. Starzhinskiy, G.N. Bendeberya, E.A. Bondarenko // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 4. — С. 585-588. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-136547 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Katrunov, K.A. Galchinetskii, L.P. Grinyov, B.V. Starzhinskiy, N.G. Bendeberya, G.N. Bondarenko, E.A. 2018-06-16T13:37:13Z 2018-06-16T13:37:13Z 2008 Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes // K.A. Katrunov, L.P. Galchinetskii, B.V. Grinyov, N.G. Starzhinskiy, G.N. Bendeberya, E.A. Bondarenko // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 4. — С. 585-588. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136547 Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Nl Schottky's surface barrier structure used as components of UV photosensitive detectors are studied. Both the spectrum and the total sensitivity of photodiodes depend substantially on the nickel film thickness. Estimation of the film thickness showed that optimal nickel layer thickness is ~ 20 nm. The shape of spectral sensitivity curve does not depend on activator impurity in the ZnSe crystal which the diode is formed from. Вивчено вплив технологічних параметрів, а також проведено пошук причин, що впливають на основні вихідні параметри поверхнево-бар'єрної структури Шоткі ZnSe(X)/Ni, яка є основним компонентом при створенні детекторів УФ-випромінювання. Встановлено, що як спектр, так і інтегральна чутливість фотодіодів суттєво залежать від товщини плівки нікелю, причому оптимальною можна вважати товщину близько 20 нм. Форма спектральної чутливості не залежить від активуючої домішки у кристалі ZnSe, з якого формується діод. Изучено влияние технологических параметров, влияющих на основные выходные параметры поверхностно-барьерной структуры Шоттки nZnSe(X)/Ni, которая является основным компонентом при создании детекторов УФ излучения. Установлено, что как спектр, так и интегральная чувствительность фотодиодов существенно зависят от толщины пленки никеля, причем оптимальной можно считать толщину порядка 20 нм. Форма кривой спектральной чувствительности не зависит от активирующей добавки в кристалле ZnSe, из которого формируется диод. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Technology Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes Вплив технологічних параметрів на якість діодів Шоткі nZnSe(X)/Ni Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes |
| spellingShingle |
Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes Katrunov, K.A. Galchinetskii, L.P. Grinyov, B.V. Starzhinskiy, N.G. Bendeberya, G.N. Bondarenko, E.A. Technology |
| title_short |
Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes |
| title_full |
Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes |
| title_fullStr |
Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes |
| title_full_unstemmed |
Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes |
| title_sort |
effect of technology parameters on the quality of nznse(x)/ni schottky diodes |
| author |
Katrunov, K.A. Galchinetskii, L.P. Grinyov, B.V. Starzhinskiy, N.G. Bendeberya, G.N. Bondarenko, E.A. |
| author_facet |
Katrunov, K.A. Galchinetskii, L.P. Grinyov, B.V. Starzhinskiy, N.G. Bendeberya, G.N. Bondarenko, E.A. |
| topic |
Technology |
| topic_facet |
Technology |
| publishDate |
2008 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вплив технологічних параметрів на якість діодів Шоткі nZnSe(X)/Ni |
| description |
Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Nl Schottky's surface barrier structure used as components of UV photosensitive detectors are studied. Both the spectrum and the total sensitivity of photodiodes depend substantially on the nickel film thickness. Estimation of the film thickness showed that optimal nickel layer thickness is ~ 20 nm. The shape of spectral sensitivity curve does not depend on activator impurity in the ZnSe crystal which the diode is formed from.
Вивчено вплив технологічних параметрів, а також проведено пошук причин, що впливають на основні вихідні параметри поверхнево-бар'єрної структури Шоткі ZnSe(X)/Ni, яка є основним компонентом при створенні детекторів УФ-випромінювання. Встановлено, що як спектр, так і інтегральна чутливість фотодіодів суттєво залежать від товщини плівки нікелю, причому оптимальною можна вважати товщину близько 20 нм. Форма спектральної чутливості не залежить від активуючої домішки у кристалі ZnSe, з якого формується діод.
Изучено влияние технологических параметров, влияющих на основные выходные параметры поверхностно-барьерной структуры Шоттки nZnSe(X)/Ni, которая является основным компонентом при создании детекторов УФ излучения. Установлено, что как спектр, так и интегральная чувствительность фотодиодов существенно зависят от толщины пленки никеля, причем оптимальной можно считать толщину порядка 20 нм. Форма кривой спектральной чувствительности не зависит от активирующей добавки в кристалле ZnSe, из которого формируется диод.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136547 |
| citation_txt |
Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes // K.A. Katrunov, L.P. Galchinetskii, B.V. Grinyov, N.G. Starzhinskiy, G.N. Bendeberya, E.A. Bondarenko // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 4. — С. 585-588. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT katrunovka effectoftechnologyparametersonthequalityofnznsexnischottkydiodes AT galchinetskiilp effectoftechnologyparametersonthequalityofnznsexnischottkydiodes AT grinyovbv effectoftechnologyparametersonthequalityofnznsexnischottkydiodes AT starzhinskiyng effectoftechnologyparametersonthequalityofnznsexnischottkydiodes AT bendeberyagn effectoftechnologyparametersonthequalityofnznsexnischottkydiodes AT bondarenkoea effectoftechnologyparametersonthequalityofnznsexnischottkydiodes AT katrunovka vplivtehnologíčnihparametrívnaâkístʹdíodívšotkínznsexni AT galchinetskiilp vplivtehnologíčnihparametrívnaâkístʹdíodívšotkínznsexni AT grinyovbv vplivtehnologíčnihparametrívnaâkístʹdíodívšotkínznsexni AT starzhinskiyng vplivtehnologíčnihparametrívnaâkístʹdíodívšotkínznsexni AT bendeberyagn vplivtehnologíčnihparametrívnaâkístʹdíodívšotkínznsexni AT bondarenkoea vplivtehnologíčnihparametrívnaâkístʹdíodívšotkínznsexni |
| first_indexed |
2025-12-07T15:25:37Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:25:37Z |
| _version_ |
1850863662411022336 |