Growing of NaI:TI crystal plates in garnissage
A method is proposed to obtain large area crystal plates using direct crystallization in garnissage that makes it possible to omit the deformation stage of cylindrical crystal obtained by other techniques, thus shortening considerably the process duration. The technology provides the growing of crys...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136553 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Growing of NaI:TI crystal plates in garnissage // I.I. Kisil, V.I. Taranyuk, S.V. Yaroslavkin // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 4. — С. 600-603. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | A method is proposed to obtain large area crystal plates using direct crystallization in garnissage that makes it possible to omit the deformation stage of cylindrical crystal obtained by other techniques, thus shortening considerably the process duration. The technology provides the growing of crystal plates with any perimeter shape and of other substances.
Запропоновано метод отримання кристалічних пластин великих площин, безпосередньо кристалізацією у гарнісажі, що дозволяє виключити стадію деформації циліндрових кристалів, отриманих іншими методами та значно скорочує час технологічного процесу. 3а даною технологією можна отримати кристалічні пластини будь-якої форми за периметром.
Предложен метод получения кристаллических пластин больших площадей непосредсвенно кристаллизацией в гарнисаже, что позволяет исключить стадию деформации цилиндрических кристаллов, полученных другими методами и значительно сокращает время технологического процесса. По данной технологии можно получить кристаллические пластины любой формы по периметру.
|
|---|---|
| ISSN: | 1027-5495 |