Growing of NaI:TI crystal plates in garnissage

A method is proposed to obtain large area crystal plates using direct crystallization in garnissage that makes it possible to omit the deformation stage of cylindrical crystal obtained by other techniques, thus shortening considerably the process duration. The technology provides the growing of crys...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Functional Materials
Datum:2008
ISSN:1027-5495
Hauptverfasser: Kisil, I.I., Taranyuk, V.I., Yaroslavkin, S.V.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2008
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136553
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Growing of NaI:TI crystal plates in garnissage // I.I. Kisil, V.I. Taranyuk, S.V. Yaroslavkin // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 4. — С. 600-603. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:A method is proposed to obtain large area crystal plates using direct crystallization in garnissage that makes it possible to omit the deformation stage of cylindrical crystal obtained by other techniques, thus shortening considerably the process duration. The technology provides the growing of crystal plates with any perimeter shape and of other substances. Запропоновано метод отримання кристалічних пластин великих площин, безпосередньо кристалізацією у гарнісажі, що дозволяє виключити стадію деформації циліндрових кристалів, отриманих іншими методами та значно скорочує час технологічного процесу. 3а даною технологією можна отримати кристалічні пластини будь-якої форми за периметром. Предложен метод получения кристаллических пластин больших площадей непосредсвенно кристаллизацией в гарнисаже, что позволяет исключить стадию деформации цилиндрических кристаллов, полученных другими методами и значительно сокращает время технологического процесса. По данной технологии можно получить кристаллические пластины любой формы по периметру.
ISSN:1027-5495