Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification

Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification

It is known that using the irreversible giant modification, it is possible to change locally the refractive index of semiconductors. This work is concerned with the development of the methods of photonic crystal formation basing on CdS, CdTe and GaAs semiconductors. It was shown that complex refract...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Functional Materials
Дата:2008
Автори: Kamuz, A.M., Oleksenko, P.F., Kamuz, O.A., Ilin, O.A., Stronski, A.V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2008
Теми:
Technology
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136556
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification // A.M. Kamuz, P.F. Oleksenko, O.A. Kamuz, O.A. Ilin, A.V. Stronski // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 4. — С. 608-612. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-136556
record_format dspace
spelling Kamuz, A.M.
Oleksenko, P.F.
Kamuz, O.A.
Ilin, O.A.
Stronski, A.V.
2018-06-16T13:41:47Z
2018-06-16T13:41:47Z
2008
Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification // A.M. Kamuz, P.F. Oleksenko, O.A. Kamuz, O.A. Ilin, A.V. Stronski // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 4. — С. 608-612. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136556
It is known that using the irreversible giant modification, it is possible to change locally the refractive index of semiconductors. This work is concerned with the development of the methods of photonic crystal formation basing on CdS, CdTe and GaAs semiconductors. It was shown that complex refractive index of the CdS, CdTe and GaAs semiconductor samples is changed significantly after their modification. For example, the complex refractive index of CdS is changed from 2. 75 + i2.8113 up to 1.9 + i0.035. The real and imaginary parts of CdS refractive index are decreased by 0.85 and 2. 7763, respectively, while the absorption coefficient is decreased by 80 times. It is also shown that the interface between modified and non-modified sample areas is submerged into the sample depth (the distance from the surface being at least 11 μm). Thus, one- and two dimensional photonic crystals for visible and ultraviolet ranges can be effectively obtained using CdS, CdTe and GaAs semiconductor substrates by modifying thereof without complex lithographic technology.
Відомо, що за допомогою незворотної гігантської модифікації можна локально змінювати коефіцієнт заломлення напівпровідників. Ця робота присвячена розробці методики формування структур фотонних кристалів у напівпровідникових матеріалах CdS, CdTe і GaAs. Показано, що комплексний показник заломлення у напівпровідниках CdS, CdTe і GaAs значно змінюється після вищезгаданої модифікації. Для CdS комплексний коефіцієнт заломлення змінюється від величини 2,75 + i2,8113 до 1,9 + i0,035. Дійсна та уявна частини комплексного коефіцієнта заломлення у CdS зменшуються відповідно на 0,85 і 2,7763, а коефіцієнт поглинання зменшується у 80 разів. Також показано, що границя розділу між модифікованими та немодифікованими ділянками знаходиться під поверхнею зразка, на глибині щонайменше 11 мкм. Із застосуванням такого способу модифікації оптичних властивостей напівпровідників можна виготовляти одно- та двовимірні фотонно-кристалічні структури для видимого і ультрафіолетового діапазонів на напівпровідникових субстратах зі сполук CdS, CdTe і GaAs без використання складних багатоступінчастих літографічних технологій.
Известно, что с помощью необратимой гигантской модификации можно локально изменять коэффициент преломления полупроводников. Настоящая работа посвящена разработке методики формирования структур фотонных кристаллов в полупроводниковых материалах CdS, CdTe и GaAs. В работе показано, что комплексный показатель преломления в полупроводниках составов CdS, СdТе и GaAs претерпевает значительные изменения после вышеупомянутой модификации. Для CdS комплексный коэффициент преломления изменяется от величины 2,75 + i2,8113 до 1,9 + i0,035. Действительная и мнимая части комплексного коэффициента преломления CdS уменьшаются на 0,85 и 2,7763 соответственно, а коэффициент поглощения уменьшается в 80 раз. Также показано, что граница раздела между модифицированным и не модифицированным участками находится под поверхностью образца, на глубине не менее 11 мкм. С применением такого способа модификации оптических свойств полупроводников можно изготавливать одно- и двумерные фотонно-кристаллические структуры для видимого и ультрафиолетового диапазонов на полупроводниковых подложках составов CdS, CdTe и GaAs без использования сложных многоступенчатых литографических технологий.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Technology
Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification
Оптичні властивості квантово-розмірних структур та двовимірних фотонних кристалів, виготовлених у напівпровідникових субстратах за допомогою незворотної гігантської модифікації
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification
spellingShingle Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification
Kamuz, A.M.
Oleksenko, P.F.
Kamuz, O.A.
Ilin, O.A.
Stronski, A.V.
Technology
title_short Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification
title_full Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification
title_fullStr Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification
title_full_unstemmed Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification
title_sort optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification
author Kamuz, A.M.
Oleksenko, P.F.
Kamuz, O.A.
Ilin, O.A.
Stronski, A.V.
author_facet Kamuz, A.M.
Oleksenko, P.F.
Kamuz, O.A.
Ilin, O.A.
Stronski, A.V.
topic Technology
topic_facet Technology
publishDate 2008
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt Оптичні властивості квантово-розмірних структур та двовимірних фотонних кристалів, виготовлених у напівпровідникових субстратах за допомогою незворотної гігантської модифікації
description It is known that using the irreversible giant modification, it is possible to change locally the refractive index of semiconductors. This work is concerned with the development of the methods of photonic crystal formation basing on CdS, CdTe and GaAs semiconductors. It was shown that complex refractive index of the CdS, CdTe and GaAs semiconductor samples is changed significantly after their modification. For example, the complex refractive index of CdS is changed from 2. 75 + i2.8113 up to 1.9 + i0.035. The real and imaginary parts of CdS refractive index are decreased by 0.85 and 2. 7763, respectively, while the absorption coefficient is decreased by 80 times. It is also shown that the interface between modified and non-modified sample areas is submerged into the sample depth (the distance from the surface being at least 11 μm). Thus, one- and two dimensional photonic crystals for visible and ultraviolet ranges can be effectively obtained using CdS, CdTe and GaAs semiconductor substrates by modifying thereof without complex lithographic technology. Відомо, що за допомогою незворотної гігантської модифікації можна локально змінювати коефіцієнт заломлення напівпровідників. Ця робота присвячена розробці методики формування структур фотонних кристалів у напівпровідникових матеріалах CdS, CdTe і GaAs. Показано, що комплексний показник заломлення у напівпровідниках CdS, CdTe і GaAs значно змінюється після вищезгаданої модифікації. Для CdS комплексний коефіцієнт заломлення змінюється від величини 2,75 + i2,8113 до 1,9 + i0,035. Дійсна та уявна частини комплексного коефіцієнта заломлення у CdS зменшуються відповідно на 0,85 і 2,7763, а коефіцієнт поглинання зменшується у 80 разів. Також показано, що границя розділу між модифікованими та немодифікованими ділянками знаходиться під поверхнею зразка, на глибині щонайменше 11 мкм. Із застосуванням такого способу модифікації оптичних властивостей напівпровідників можна виготовляти одно- та двовимірні фотонно-кристалічні структури для видимого і ультрафіолетового діапазонів на напівпровідникових субстратах зі сполук CdS, CdTe і GaAs без використання складних багатоступінчастих літографічних технологій. Известно, что с помощью необратимой гигантской модификации можно локально изменять коэффициент преломления полупроводников. Настоящая работа посвящена разработке методики формирования структур фотонных кристаллов в полупроводниковых материалах CdS, CdTe и GaAs. В работе показано, что комплексный показатель преломления в полупроводниках составов CdS, СdТе и GaAs претерпевает значительные изменения после вышеупомянутой модификации. Для CdS комплексный коэффициент преломления изменяется от величины 2,75 + i2,8113 до 1,9 + i0,035. Действительная и мнимая части комплексного коэффициента преломления CdS уменьшаются на 0,85 и 2,7763 соответственно, а коэффициент поглощения уменьшается в 80 раз. Также показано, что граница раздела между модифицированным и не модифицированным участками находится под поверхностью образца, на глубине не менее 11 мкм. С применением такого способа модификации оптических свойств полупроводников можно изготавливать одно- и двумерные фотонно-кристаллические структуры для видимого и ультрафиолетового диапазонов на полупроводниковых подложках составов CdS, CdTe и GaAs без использования сложных многоступенчатых литографических технологий.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136556
citation_txt Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification // A.M. Kamuz, P.F. Oleksenko, O.A. Kamuz, O.A. Ilin, A.V. Stronski // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 4. — С. 608-612. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT kamuzam opticalpropertiesofquantumsizedstructuresandtwodimensionalphotoncrystalsfabricatedinsemiconductorsubstratesusingirreversiblegiantmodification
AT oleksenkopf opticalpropertiesofquantumsizedstructuresandtwodimensionalphotoncrystalsfabricatedinsemiconductorsubstratesusingirreversiblegiantmodification
AT kamuzoa opticalpropertiesofquantumsizedstructuresandtwodimensionalphotoncrystalsfabricatedinsemiconductorsubstratesusingirreversiblegiantmodification
AT ilinoa opticalpropertiesofquantumsizedstructuresandtwodimensionalphotoncrystalsfabricatedinsemiconductorsubstratesusingirreversiblegiantmodification
AT stronskiav opticalpropertiesofquantumsizedstructuresandtwodimensionalphotoncrystalsfabricatedinsemiconductorsubstratesusingirreversiblegiantmodification
AT kamuzam optičnívlastivostíkvantovorozmírnihstrukturtadvovimírnihfotonnihkristalívvigotovlenihunapívprovídnikovihsubstratahzadopomogoûnezvorotnoígígantsʹkoímodifíkacíí
AT oleksenkopf optičnívlastivostíkvantovorozmírnihstrukturtadvovimírnihfotonnihkristalívvigotovlenihunapívprovídnikovihsubstratahzadopomogoûnezvorotnoígígantsʹkoímodifíkacíí
AT kamuzoa optičnívlastivostíkvantovorozmírnihstrukturtadvovimírnihfotonnihkristalívvigotovlenihunapívprovídnikovihsubstratahzadopomogoûnezvorotnoígígantsʹkoímodifíkacíí
AT ilinoa optičnívlastivostíkvantovorozmírnihstrukturtadvovimírnihfotonnihkristalívvigotovlenihunapívprovídnikovihsubstratahzadopomogoûnezvorotnoígígantsʹkoímodifíkacíí
AT stronskiav optičnívlastivostíkvantovorozmírnihstrukturtadvovimírnihfotonnihkristalívvigotovlenihunapívprovídnikovihsubstratahzadopomogoûnezvorotnoígígantsʹkoímodifíkacíí
first_indexed 2025-12-07T19:24:56Z
last_indexed 2025-12-07T19:24:56Z
_version_ 1850878718664245248

Схожі ресурси