Growing of ZnWO₄ single crystals from melt by the low thermal gradient Czochralski technique
The shape formation regularities of ZnWO₄ scintillation crystals grown along the [001] and [010] directions by the low-temperature-gradient Czochralski technique have been studied. It has been established that increasing crystallization speed is accompanied by the development of faceted shapes at th...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136595 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Growing of ZnWO₄ single crystals from melt by the low thermal gradient Czochralski technique // E.N. Galashov, V.A. Gusev, V.N. Shlegel, Ya.V. Vasiliev // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 1. — С. 65-66. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-136595 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Galashov, E.N. Gusev, V.A. Shlegel, V.N. Vasiliev, Ya.V. 2018-06-16T14:20:55Z 2018-06-16T14:20:55Z 2009 Growing of ZnWO₄ single crystals from melt by the low thermal gradient Czochralski technique // E.N. Galashov, V.A. Gusev, V.N. Shlegel, Ya.V. Vasiliev // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 1. — С. 65-66. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136595 The shape formation regularities of ZnWO₄ scintillation crystals grown along the [001] and [010] directions by the low-temperature-gradient Czochralski technique have been studied. It has been established that increasing crystallization speed is accompanied by the development of faceted shapes at the crystallization front. The inclusion-free crystals can be grown with both completely rounded or completely faceted solid-liquid interface, while the coexistence of faceted and rounded surfaces may result in capturing inclusions at their boundaries. The inclusion-free ZnWO₄ crystals of 45 mm diameter and the length up to 150 mm have been grown. Absorption spectra of the crystals prior to and after annealing have been measured. For the samples of d40 and l=40 mm size, the energy resolution of 11 % for gamma radiation with the energy of 662 keV has been obtained. Досліджено закономірності формоутворення сцинтиляційних кристалів ZnWO₄ при їх рості низькоградієнтним методом Чохральського у напрямах [001] та [010]. Встановлено, що збільшення швидкості кристалізації супроводжується розвитком на фронті кристалізації огранованих форм. Кристали, вільні від включень, утворюються як при повністю округлому, так і при повністю ограненому фронті кристалізації, в той час як співіснування огранених та округлих форм може супроводжуватися захопленням включень на їхніх межах. Вирощено вільні від включень кристали ZnWO₄ діаметром 45 та довжиною до 150 мм. Виміряно спектри поглинання кристалів до та після їх відпалу. Для зразків d40 та l=40 мм одержано енергетичне розрішення 11 % для гамма-випромінювання з енергією 662 кеВ. Изучены закономерности формообразования сцинтилляционных кристаллов ZnWO₄ при их росте низкоградиентным методом Чохральского по направлениям [001] и [010]. Установлено, что повышение скорости кристаллизации сопровождается развитием на фронте кристаллизации гранных форм. Кристаллы, свободные от включений, образуются как при полностью округлом, так и при полностью гранном фронте кристаллизации, тогда как сосуществование гранных и округлых форм может сопровождаться захватом включений на их границах. Выращены свободные от включений кристаллы ZnWO₄ диаметром 45 и длиной до 150 мм. Измерены спектры поглощения кристаллов до и после их отжига. Для образцов размером d40 и длиной 40 мм получено энергетическое разрешение 11 % для гамма-излучения с энергией 662 keV. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Technology Growing of ZnWO₄ single crystals from melt by the low thermal gradient Czochralski technique Вирощування монокристалів ZnWO₄ з розплаву низькоградієнтним методом Чохральського Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Growing of ZnWO₄ single crystals from melt by the low thermal gradient Czochralski technique |
| spellingShingle |
Growing of ZnWO₄ single crystals from melt by the low thermal gradient Czochralski technique Galashov, E.N. Gusev, V.A. Shlegel, V.N. Vasiliev, Ya.V. Technology |
| title_short |
Growing of ZnWO₄ single crystals from melt by the low thermal gradient Czochralski technique |
| title_full |
Growing of ZnWO₄ single crystals from melt by the low thermal gradient Czochralski technique |
| title_fullStr |
Growing of ZnWO₄ single crystals from melt by the low thermal gradient Czochralski technique |
| title_full_unstemmed |
Growing of ZnWO₄ single crystals from melt by the low thermal gradient Czochralski technique |
| title_sort |
growing of znwo₄ single crystals from melt by the low thermal gradient czochralski technique |
| author |
Galashov, E.N. Gusev, V.A. Shlegel, V.N. Vasiliev, Ya.V. |
| author_facet |
Galashov, E.N. Gusev, V.A. Shlegel, V.N. Vasiliev, Ya.V. |
| topic |
Technology |
| topic_facet |
Technology |
| publishDate |
2009 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вирощування монокристалів ZnWO₄ з розплаву низькоградієнтним методом Чохральського |
| description |
The shape formation regularities of ZnWO₄ scintillation crystals grown along the [001] and [010] directions by the low-temperature-gradient Czochralski technique have been studied. It has been established that increasing crystallization speed is accompanied by the development of faceted shapes at the crystallization front. The inclusion-free crystals can be grown with both completely rounded or completely faceted solid-liquid interface, while the coexistence of faceted and rounded surfaces may result in capturing inclusions at their boundaries. The inclusion-free ZnWO₄ crystals of 45 mm diameter and the length up to 150 mm have been grown. Absorption spectra of the crystals prior to and after annealing have been measured. For the samples of d40 and l=40 mm size, the energy resolution of 11 % for gamma radiation with the energy of 662 keV has been obtained.
Досліджено закономірності формоутворення сцинтиляційних кристалів ZnWO₄ при їх рості низькоградієнтним методом Чохральського у напрямах [001] та [010]. Встановлено, що збільшення швидкості кристалізації супроводжується розвитком на фронті кристалізації огранованих форм. Кристали, вільні від включень, утворюються як при повністю округлому, так і при повністю ограненому фронті кристалізації, в той час як співіснування огранених та округлих форм може супроводжуватися захопленням включень на їхніх межах. Вирощено вільні від включень кристали ZnWO₄ діаметром 45 та довжиною до 150 мм. Виміряно спектри поглинання кристалів до та після їх відпалу. Для зразків d40 та l=40 мм одержано енергетичне розрішення 11 % для гамма-випромінювання з енергією 662 кеВ.
Изучены закономерности формообразования сцинтилляционных кристаллов ZnWO₄ при их росте низкоградиентным методом Чохральского по направлениям [001] и [010]. Установлено, что повышение скорости кристаллизации сопровождается развитием на фронте кристаллизации гранных форм. Кристаллы, свободные от включений, образуются как при полностью округлом, так и при полностью гранном фронте кристаллизации, тогда как сосуществование гранных и округлых форм может сопровождаться захватом включений на их границах. Выращены свободные от включений кристаллы ZnWO₄ диаметром 45 и длиной до 150 мм. Измерены спектры поглощения кристаллов до и после их отжига. Для образцов размером d40 и длиной 40 мм получено энергетическое разрешение 11 % для гамма-излучения с энергией 662 keV.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136595 |
| citation_txt |
Growing of ZnWO₄ single crystals from melt by the low thermal gradient Czochralski technique // E.N. Galashov, V.A. Gusev, V.N. Shlegel, Ya.V. Vasiliev // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 1. — С. 65-66. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT galashoven growingofznwo4singlecrystalsfrommeltbythelowthermalgradientczochralskitechnique AT gusevva growingofznwo4singlecrystalsfrommeltbythelowthermalgradientczochralskitechnique AT shlegelvn growingofznwo4singlecrystalsfrommeltbythelowthermalgradientczochralskitechnique AT vasilievyav growingofznwo4singlecrystalsfrommeltbythelowthermalgradientczochralskitechnique AT galashoven viroŝuvannâmonokristalívznwo4zrozplavunizʹkogradíêntnimmetodomčohralʹsʹkogo AT gusevva viroŝuvannâmonokristalívznwo4zrozplavunizʹkogradíêntnimmetodomčohralʹsʹkogo AT shlegelvn viroŝuvannâmonokristalívznwo4zrozplavunizʹkogradíêntnimmetodomčohralʹsʹkogo AT vasilievyav viroŝuvannâmonokristalívznwo4zrozplavunizʹkogradíêntnimmetodomčohralʹsʹkogo |
| first_indexed |
2025-12-07T20:03:16Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:03:16Z |
| _version_ |
1850881129865805824 |