Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
A new heterojunction (GP) p-FeIn₂Se₄-n-In₄Se₃ was formed by the mechanical contact of the FeIn₂Se₄ plate with the van der Waals surface of In₄Se₃. Investigation of Volt-Farada's, spectral characteristics and temperature dependences of the VAC of the heterojunction. On the basis of the analysis...
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| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | Kushnir, B.V., Kovalyuk, Z.D., Katerynchuk, V.M., Netyaga, V.V., Tkachuk, I.G. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136789 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis / B.V. Kushnir, Z.D. Kovalyuk, V.M. Katerynchuk, V.V. Netyaga, I.G. Tkachuk // Functional Materials. — 2017. — Т. 24, № 3. — С. 372-375. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
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