Luminescence of CWO single crystals containing various defects

Luminescence of CWO single crystals containing various defects

Influence of dopant-induced defects on luminescence and performance characteristics of CWO crystals has been studied. Мо and Fe have been shown to give rise to a specific "red" emission component with decay time of several hundreds of microseconds or more, while trivalent dopants cause for...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Functional Materials
Date:2005
Main Authors: Grinyov, B.V., Moroz, Z.T., Nagornaya, L.L., Pashkovsky, M.S., Ryzhikov, V.D., Tupitsyna, I.A., Apanasenko, A.L.
Format: Article
Language:English
Published: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136900
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Luminescence of CWO single crystals containing various defects / B.V. Grinyov, Z.T. Moroz, L.L. Nagornaya, M.S. Pashkovsky, V.D. Ryzhikov, I.A. Tupitsyna, A.L. Apanasenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 256-260. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-136900
record_format dspace
spelling Grinyov, B.V.
Moroz, Z.T.
Nagornaya, L.L.
Pashkovsky, M.S.
Ryzhikov, V.D.
Tupitsyna, I.A.
Apanasenko, A.L.
2018-06-16T17:31:31Z
2018-06-16T17:31:31Z
2005
Luminescence of CWO single crystals containing various defects / B.V. Grinyov, Z.T. Moroz, L.L. Nagornaya, M.S. Pashkovsky, V.D. Ryzhikov, I.A. Tupitsyna, A.L. Apanasenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 256-260. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136900
Influence of dopant-induced defects on luminescence and performance characteristics of CWO crystals has been studied. Мо and Fe have been shown to give rise to a specific "red" emission component with decay time of several hundreds of microseconds or more, while trivalent dopants cause formation of deep charge carrier traps responsible for the millisecond range afterglow. These defects give rise also to the color centers causing absorption in the intrinsic emission band, thus deteriorating the crystal scintillation parameters. The studies performed allowed to develop a technology of large high-quality CWO crystals. The tomographic elements manufactured from those crystals showed an afterglow of less than 100 ppm after 20 ms and the light yield of about 20,000 photons per MeV.
Исследовано влияние примесных дефектов на люминесцентные и функциональные характеристики кристаллов CWO. Показано, что Мо и Fe образуют в кристаллах специфические "красные" компоненты свечения с временами высвечивания несколько сотен и более микросекунд, трехвалентные примеси приводят к образованию глубоких ловушек носителей заряда, ответственных за послесвечение в миллисекундном диапазоне. Эти дефекты также ответственны за образование центров окраски, поглощающих в области собственного свечения, что ухудшает сцинтилляционные характеристики кристаллов. Проведенные нами исследования позволили разработать технологический процесс получения крупногабаритных кристаллов CWO улучшенного качества. Томографические элементы, изготовленные из этих кристаллов, имели послесвечение менее 100 ppm через 20 мс, световой выход - 20000 фотон/МэВ.
Вивчено вплив домiшкових дефектiв на люмiнесцентнi i функцiональнi характеристики кристалiв CWO. Показано, що Мо i Fe утворюють в кристалах CWO специфiчнi "червонi" компоненти свiчення з часами висвiчення декiлька сотень i бiльше мiкросекунд, тривалентнi домiшки приводять до утворення глибоких пасток носiiв заряду, вiдповiдальних за пiслясвiчення у мiлiсекундному дiапазонi. Цi дефекти також вiдповiдальнi за утворення центрiв забарвлення, поглинаючих в областi власного свiчення, що погiршує сцинтиляцiйнi характеристики кристалiв. Проведенi нами дослiдження дозволили розробити технологiчний процес отримання великогабаритних кристалiв CWO полiпшеної якостi. Томографiчнi елементи, виготовленi з цих кристалiв, мали пiслясвiчення менше 100 ppm через 20 мс, свiтловий вихiд - 20000 фотон/МеВ.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Luminescence of CWO single crystals containing various defects
Люмінесценція монокристалів CWO з різними дефектами
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Luminescence of CWO single crystals containing various defects
spellingShingle Luminescence of CWO single crystals containing various defects
Grinyov, B.V.
Moroz, Z.T.
Nagornaya, L.L.
Pashkovsky, M.S.
Ryzhikov, V.D.
Tupitsyna, I.A.
Apanasenko, A.L.
title_short Luminescence of CWO single crystals containing various defects
title_full Luminescence of CWO single crystals containing various defects
title_fullStr Luminescence of CWO single crystals containing various defects
title_full_unstemmed Luminescence of CWO single crystals containing various defects
title_sort luminescence of cwo single crystals containing various defects
author Grinyov, B.V.
Moroz, Z.T.
Nagornaya, L.L.
Pashkovsky, M.S.
Ryzhikov, V.D.
Tupitsyna, I.A.
Apanasenko, A.L.
author_facet Grinyov, B.V.
Moroz, Z.T.
Nagornaya, L.L.
Pashkovsky, M.S.
Ryzhikov, V.D.
Tupitsyna, I.A.
Apanasenko, A.L.
publishDate 2005
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt Люмінесценція монокристалів CWO з різними дефектами
description Influence of dopant-induced defects on luminescence and performance characteristics of CWO crystals has been studied. Мо and Fe have been shown to give rise to a specific "red" emission component with decay time of several hundreds of microseconds or more, while trivalent dopants cause formation of deep charge carrier traps responsible for the millisecond range afterglow. These defects give rise also to the color centers causing absorption in the intrinsic emission band, thus deteriorating the crystal scintillation parameters. The studies performed allowed to develop a technology of large high-quality CWO crystals. The tomographic elements manufactured from those crystals showed an afterglow of less than 100 ppm after 20 ms and the light yield of about 20,000 photons per MeV. Исследовано влияние примесных дефектов на люминесцентные и функциональные характеристики кристаллов CWO. Показано, что Мо и Fe образуют в кристаллах специфические "красные" компоненты свечения с временами высвечивания несколько сотен и более микросекунд, трехвалентные примеси приводят к образованию глубоких ловушек носителей заряда, ответственных за послесвечение в миллисекундном диапазоне. Эти дефекты также ответственны за образование центров окраски, поглощающих в области собственного свечения, что ухудшает сцинтилляционные характеристики кристаллов. Проведенные нами исследования позволили разработать технологический процесс получения крупногабаритных кристаллов CWO улучшенного качества. Томографические элементы, изготовленные из этих кристаллов, имели послесвечение менее 100 ppm через 20 мс, световой выход - 20000 фотон/МэВ. Вивчено вплив домiшкових дефектiв на люмiнесцентнi i функцiональнi характеристики кристалiв CWO. Показано, що Мо i Fe утворюють в кристалах CWO специфiчнi "червонi" компоненти свiчення з часами висвiчення декiлька сотень i бiльше мiкросекунд, тривалентнi домiшки приводять до утворення глибоких пасток носiiв заряду, вiдповiдальних за пiслясвiчення у мiлiсекундному дiапазонi. Цi дефекти також вiдповiдальнi за утворення центрiв забарвлення, поглинаючих в областi власного свiчення, що погiршує сцинтиляцiйнi характеристики кристалiв. Проведенi нами дослiдження дозволили розробити технологiчний процес отримання великогабаритних кристалiв CWO полiпшеної якостi. Томографiчнi елементи, виготовленi з цих кристалiв, мали пiслясвiчення менше 100 ppm через 20 мс, свiтловий вихiд - 20000 фотон/МеВ.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136900
citation_txt Luminescence of CWO single crystals containing various defects / B.V. Grinyov, Z.T. Moroz, L.L. Nagornaya, M.S. Pashkovsky, V.D. Ryzhikov, I.A. Tupitsyna, A.L. Apanasenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 256-260. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT grinyovbv luminescenceofcwosinglecrystalscontainingvariousdefects
AT morozzt luminescenceofcwosinglecrystalscontainingvariousdefects
AT nagornayall luminescenceofcwosinglecrystalscontainingvariousdefects
AT pashkovskyms luminescenceofcwosinglecrystalscontainingvariousdefects
AT ryzhikovvd luminescenceofcwosinglecrystalscontainingvariousdefects
AT tupitsynaia luminescenceofcwosinglecrystalscontainingvariousdefects
AT apanasenkoal luminescenceofcwosinglecrystalscontainingvariousdefects
AT grinyovbv lûmínescencíâmonokristalívcwozríznimidefektami
AT morozzt lûmínescencíâmonokristalívcwozríznimidefektami
AT nagornayall lûmínescencíâmonokristalívcwozríznimidefektami
AT pashkovskyms lûmínescencíâmonokristalívcwozríznimidefektami
AT ryzhikovvd lûmínescencíâmonokristalívcwozríznimidefektami
AT tupitsynaia lûmínescencíâmonokristalívcwozríznimidefektami
AT apanasenkoal lûmínescencíâmonokristalívcwozríznimidefektami
first_indexed 2025-12-07T19:41:57Z
last_indexed 2025-12-07T19:41:57Z
_version_ 1850879789133463552

Similar Items