Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg
Equilibrium concentrations of point defects in ZnSe layers obtained by Sn and Mg diffusion fron vapor phase at 1150 K have been calculated using the quasi-chemical reaction method. The calculated results are compared to data obtained fron thermo-e.m.f., conductivity and luminescence spectra measurem...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | Gryvul, V.I., Makhniy, V.P., Tkachenko, I.V. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2007
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136987 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg / V.I. Gryvul, V.P. Makhniy, I.V. Tkachenko // Functional Materials. — 2007. — Т. 14, № 3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2019)
Physical properties of ZnSe-MgSe, ZnSe-CdS solid solutions and possibilities of their application in IR engineering
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2000)
Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)
Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2019)
Luminescence of crystals ZnSe 〈Al〉:Gd
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2018)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Defects and radiation-enhanced defect reactions in ZnSe/(001)GaAs MBE layers
за авторством: Semenova, G.N., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Semenova, G.N., та інші
Опубліковано: (2002)
Dipole-center in ZnSe crystals
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2022)
Dipole-center in ZnSe crystals
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2022)
Interaction of hydrogen with lattice defects in ZnSe(X) crystals
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
за авторством: Makhniy, V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Makhniy, V., та інші
Опубліковано: (2019)
IR luminescence of ZnSe-based scintillators
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Luminescence of Dipole-centers in ZnSe crystals
за авторством: Alizadeh, M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Alizadeh, M., та інші
Опубліковано: (2017)
Obtaining of ZnSe nanocrystals from ZnSe bulk crystals by mechanical milling and chemical vapor deposition in silica matrices
за авторством: Voloshina, L.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Voloshina, L.I., та інші
Опубліковано: (2017)
X-ray characterization of ZnSe single crystals doped with Mg
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Deep-level defects in CdSe/ZnSe QDs and giant anti-Stokes photoluminescence
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2002)
Influence of ytterbium impurity on luminescent properties of ZnSe/Al/ crystals
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2016)
High temperature luminescence of ZnSe:Yb crystals
за авторством: V. P. Makhnij, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. P. Makhnij, та інші
Опубліковано: (2016)
Photoluminescence of ZnSe nanocrystals at high excitation level
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Emission characteristics of donor-acceptor pairs in ZnSe and CdS crystals
за авторством: Oleshko, V.I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Oleshko, V.I., та інші
Опубліковано: (2011)
Luminescence of crystals ZnSe <AI>:Gd
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2018)
Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Influence of cation vacancy related defects on the self-assembly processes in CdSe/ZnSe quantum dot heterostructures
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2003)
ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method
за авторством: Komar, V.K., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Komar, V.K., та інші
Опубліковано: (2009)
On the optimum geometric shapes of ZnSe-based scintillation elements
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2004)
Optical absorption and photoconductivity of ZnSe:Co single crystals
за авторством: Vaksman, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vaksman, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2007)
Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Ультразвуковые исследования фазового перехода в ZnSe:Ni
за авторством: Гудков, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Гудков, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells
за авторством: Grigorov, S.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Grigorov, S.N., та інші
Опубліковано: (2008)
Optimization of conditions for treatment of ZnSe crystal surfaces by chemical etching
за авторством: V. M. Tomashyk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. M. Tomashyk, та інші
Опубліковано: (2013)
Optimization of conditions for treatment of ZnSe crystal surfaces by chemical etching
за авторством: Tomashyk, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Tomashyk, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)
Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)
Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)
Interaction of nuclear radiations with scintillation crystals ZnSe(O, Te)
за авторством: Gal’chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Gal’chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2006)
Integrated detectors of ionizing radiation based on ZnSe(Te)/pZnTe-nCdSe structures
за авторством: Starzhinskiy, N.G., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Starzhinskiy, N.G., та інші
Опубліковано: (2008)
Structural and optical characteristics of ZnSe and CdSe films condensed on non-oriented substrates
за авторством: M. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Structural and optical characteristics of ZnSe and CdSe films condensed on non-oriented substrates
за авторством: Ivashchenko, M.M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ivashchenko, M.M., та інші
Опубліковано: (2011)
Схожі ресурси
-
Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2019) -
Physical properties of ZnSe-MgSe, ZnSe-CdS solid solutions and possibilities of their application in IR engineering
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2000) -
Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004) -
Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2019) -
Luminescence of crystals ZnSe 〈Al〉:Gd
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2018)