Получение и исследование высокочистого моно- и поликристаллического гафния

Разработана комплексная методика получения высокочистого поликристаллического гафния с размером зерна, достаточным для огранки ориентированного полноразмерного монокристалла. Проведены структурные и низкотемпературные ультразвуковые исследования моно- и поликристаллических образцов в диапазоне 78…30...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2018
Автори: Кожевников, О.Е., Пилипенко, Н.Н., Булатов, А.С., Вьюгов, П.Н., Клочко, В.С., Корниец, А.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2018
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137009
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Получение и исследование высокочистого моно- и поликристаллического гафния / О.Е. Кожевников, Н.Н. Пилипенко, А.С. Булатов, П.Н. Вьюгов, В.С. Клочко, А.В. Корниец // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 1. — С. 54-61. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-137009
record_format dspace
spelling Кожевников, О.Е.
Пилипенко, Н.Н.
Булатов, А.С.
Вьюгов, П.Н.
Клочко, В.С.
Корниец, А.В.
2018-06-16T18:44:23Z
2018-06-16T18:44:23Z
2018
Получение и исследование высокочистого моно- и поликристаллического гафния / О.Е. Кожевников, Н.Н. Пилипенко, А.С. Булатов, П.Н. Вьюгов, В.С. Клочко, А.В. Корниец // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 1. — С. 54-61. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137009
669.297
Разработана комплексная методика получения высокочистого поликристаллического гафния с размером зерна, достаточным для огранки ориентированного полноразмерного монокристалла. Проведены структурные и низкотемпературные ультразвуковые исследования моно- и поликристаллических образцов в диапазоне 78…300 К. По данным скорости распространения ультразвуковых волн частотой 50 МГц определены независимые адиабатические константы тензора упругости с₁₁ и с₃₃ монокристалла гафния. Исследовано влияние структурного совершенства кристалла и примесной чистоты на величину констант. Показано, что резонансные и релаксационные особенности в поведении коэффициента поглощения ультразвука в моно- и поликристаллическом гафнии обусловлены дислокациями.
Розроблено комплексну методику отримання високочистого полікристалічного гафнію з розміром зерна, достатнім для огранки орієнтованого повнорозмірного монокристала. Проведено структурні та низькотемпературні ультразвукові дослідження моно- та полікристалічних зразків у діапазоні 78...300 К. За даними швидкості поширення ультразвукових хвиль частотою 50 МГц визначено незалежні адіабатичні константи тензора пружності с₁₁ і с₃₃ монокристала гафнію. Досліджено вплив структурної досконалості кристала та домішкової чистоти на величину констант. Показано, що резонансні і релаксаційні особливості в поведінці коефіцієнта поглинання ультразвуку в моно- та полікристалічному гафнію обумовлено дислокаціями.
A complex technique for obtaining high-purity polycrystalline hafnium with a grain size sufficient to cut an oriented full-size single crystal has been developed. Structural and low-temperature ultrasonic studies of mono- and polycrystalline samples at the range 78...300 K were carried out. According to the propagation velocity of ultrasonic waves with a frequency of 50 MHz, independent adiabatic constants of the elasticity tensor с₁₁ and с₃₃ of a hafnium single crystal were determined. The influence of the structural perfection of the crystal and impurity cleanness on the value of the constants was studied. It is shown that resonance and relaxation features in the behavior of the ultrasonic absorption coefficient in mono- and polycrystalline hafnium are caused by dislocations.
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Чистые материалы и вакуумные технологии
Получение и исследование высокочистого моно- и поликристаллического гафния
Отримання та дослідження високочистого моно- та полікристалічного гафнію
Obtaining and research of high-purity single crystals and polycrystals of hafnium
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Получение и исследование высокочистого моно- и поликристаллического гафния
spellingShingle Получение и исследование высокочистого моно- и поликристаллического гафния
Кожевников, О.Е.
Пилипенко, Н.Н.
Булатов, А.С.
Вьюгов, П.Н.
Клочко, В.С.
Корниец, А.В.
Чистые материалы и вакуумные технологии
title_short Получение и исследование высокочистого моно- и поликристаллического гафния
title_full Получение и исследование высокочистого моно- и поликристаллического гафния
title_fullStr Получение и исследование высокочистого моно- и поликристаллического гафния
title_full_unstemmed Получение и исследование высокочистого моно- и поликристаллического гафния
title_sort получение и исследование высокочистого моно- и поликристаллического гафния
author Кожевников, О.Е.
Пилипенко, Н.Н.
Булатов, А.С.
Вьюгов, П.Н.
Клочко, В.С.
Корниец, А.В.
author_facet Кожевников, О.Е.
Пилипенко, Н.Н.
Булатов, А.С.
Вьюгов, П.Н.
Клочко, В.С.
Корниец, А.В.
topic Чистые материалы и вакуумные технологии
topic_facet Чистые материалы и вакуумные технологии
publishDate 2018
language Russian
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
title_alt Отримання та дослідження високочистого моно- та полікристалічного гафнію
Obtaining and research of high-purity single crystals and polycrystals of hafnium
description Разработана комплексная методика получения высокочистого поликристаллического гафния с размером зерна, достаточным для огранки ориентированного полноразмерного монокристалла. Проведены структурные и низкотемпературные ультразвуковые исследования моно- и поликристаллических образцов в диапазоне 78…300 К. По данным скорости распространения ультразвуковых волн частотой 50 МГц определены независимые адиабатические константы тензора упругости с₁₁ и с₃₃ монокристалла гафния. Исследовано влияние структурного совершенства кристалла и примесной чистоты на величину констант. Показано, что резонансные и релаксационные особенности в поведении коэффициента поглощения ультразвука в моно- и поликристаллическом гафнии обусловлены дислокациями. Розроблено комплексну методику отримання високочистого полікристалічного гафнію з розміром зерна, достатнім для огранки орієнтованого повнорозмірного монокристала. Проведено структурні та низькотемпературні ультразвукові дослідження моно- та полікристалічних зразків у діапазоні 78...300 К. За даними швидкості поширення ультразвукових хвиль частотою 50 МГц визначено незалежні адіабатичні константи тензора пружності с₁₁ і с₃₃ монокристала гафнію. Досліджено вплив структурної досконалості кристала та домішкової чистоти на величину констант. Показано, що резонансні і релаксаційні особливості в поведінці коефіцієнта поглинання ультразвуку в моно- та полікристалічному гафнію обумовлено дислокаціями. A complex technique for obtaining high-purity polycrystalline hafnium with a grain size sufficient to cut an oriented full-size single crystal has been developed. Structural and low-temperature ultrasonic studies of mono- and polycrystalline samples at the range 78...300 K were carried out. According to the propagation velocity of ultrasonic waves with a frequency of 50 MHz, independent adiabatic constants of the elasticity tensor с₁₁ and с₃₃ of a hafnium single crystal were determined. The influence of the structural perfection of the crystal and impurity cleanness on the value of the constants was studied. It is shown that resonance and relaxation features in the behavior of the ultrasonic absorption coefficient in mono- and polycrystalline hafnium are caused by dislocations.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137009
citation_txt Получение и исследование высокочистого моно- и поликристаллического гафния / О.Е. Кожевников, Н.Н. Пилипенко, А.С. Булатов, П.Н. Вьюгов, В.С. Клочко, А.В. Корниец // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 1. — С. 54-61. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT koževnikovoe polučenieiissledovanievysokočistogomonoipolikristalličeskogogafniâ
AT pilipenkonn polučenieiissledovanievysokočistogomonoipolikristalličeskogogafniâ
AT bulatovas polučenieiissledovanievysokočistogomonoipolikristalličeskogogafniâ
AT vʹûgovpn polučenieiissledovanievysokočistogomonoipolikristalličeskogogafniâ
AT kločkovs polučenieiissledovanievysokočistogomonoipolikristalličeskogogafniâ
AT korniecav polučenieiissledovanievysokočistogomonoipolikristalličeskogogafniâ
AT koževnikovoe otrimannâtadoslídžennâvisokočistogomonotapolíkristalíčnogogafníû
AT pilipenkonn otrimannâtadoslídžennâvisokočistogomonotapolíkristalíčnogogafníû
AT bulatovas otrimannâtadoslídžennâvisokočistogomonotapolíkristalíčnogogafníû
AT vʹûgovpn otrimannâtadoslídžennâvisokočistogomonotapolíkristalíčnogogafníû
AT kločkovs otrimannâtadoslídžennâvisokočistogomonotapolíkristalíčnogogafníû
AT korniecav otrimannâtadoslídžennâvisokočistogomonotapolíkristalíčnogogafníû
AT koževnikovoe obtainingandresearchofhighpuritysinglecrystalsandpolycrystalsofhafnium
AT pilipenkonn obtainingandresearchofhighpuritysinglecrystalsandpolycrystalsofhafnium
AT bulatovas obtainingandresearchofhighpuritysinglecrystalsandpolycrystalsofhafnium
AT vʹûgovpn obtainingandresearchofhighpuritysinglecrystalsandpolycrystalsofhafnium
AT kločkovs obtainingandresearchofhighpuritysinglecrystalsandpolycrystalsofhafnium
AT korniecav obtainingandresearchofhighpuritysinglecrystalsandpolycrystalsofhafnium
first_indexed 2025-12-07T18:37:59Z
last_indexed 2025-12-07T18:37:59Z
_version_ 1850875764068581376