X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films

X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films

Luminescence properties of ytterbium ions in of У₃AI₅О₁₂ (УAG) epitaxial films have been investigated. The influence of growth conditions on the change of activator ions charge state and the luminescence in visible spectral region has been demonstrated. It has been established that emission bands wi...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Functional Materials
Date:2005
Main Authors: Zakharko, Ya.M., Luchechko, A.P., Syvorotka, I.M., Syvorotka, I.I., Ubizskii, S.B.
Format: Article
Language:English
Published: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137252
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films / Ya.M. Zakharko, A.P. Luchechko, I.M. Syvorotka, I.I. Syvorotka, S.B. Ubizskii // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 274-277. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-137252
record_format dspace
spelling Zakharko, Ya.M.
Luchechko, A.P.
Syvorotka, I.M.
Syvorotka, I.I.
Ubizskii, S.B.
2018-06-17T09:23:31Z
2018-06-17T09:23:31Z
2005
X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films / Ya.M. Zakharko, A.P. Luchechko, I.M. Syvorotka, I.I. Syvorotka, S.B. Ubizskii // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 274-277. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137252
Luminescence properties of ytterbium ions in of У₃AI₅О₁₂ (УAG) epitaxial films have been investigated. The influence of growth conditions on the change of activator ions charge state and the luminescence in visible spectral region has been demonstrated. It has been established that emission bands with maxima at 480 and 580 nm are attributed to the 5d-4f transitions of Уb²⁺ ions. The emission bands with maxima at 330 nm and 500 nm correspond to transitions from charge transfer state to ²F₇/₂ and and ²F₅/₂ state of Уb³⁺ ions, respectively.
Проведено исследование люминесцентных свойств ионов иттербия в эпитаксиальных пленках У₃AI₅О₁₂ (УAG). Показано влияние условий выращивания на изменение зарядового состояния ионов активатора и его свечения в видимой области спектра. Установлено, что люминесценция в полосах с максимумами при 480 нм и 580 нм в эпитаксиальных пленках УAG:Уb приписывается 5d-4f переходам ионов Уb²⁺. Полосы свечения с максимумами при 330 и 500 нм отвечают переходам из состояния переноса заряда соответственно на уровни ²F₇/₂ и ²F₅/₂ ионов Уb³⁺.
Проведено дослiдження люмiнесцентних властивостей iонiв iтербiю в епiтаксiйних плiвках У₃AI₅О₁₂ (УAG). Показано вплив умов вирощування на змiну зарядового стану iонiв активатора та його свiчення у видимiй областi спектра. Встановлено, що люмiнеcценцiя в смугах з максимумами при 480 нм i 580 нм приписується 5d-4f переходам iонiв Уb²⁺. Смуги свiчення з максимумами при 330 i 500 нм вiдповiдають переходам зi стану перенесення заряду вiдповiдно на рiвнi ²F₇/₂ i ²F₅/₂ iонiв Уb³⁺.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films
Рентгенолюмінесценція монокристалічних плівок ІАГ з домішкою ітербію
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films
spellingShingle X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films
Zakharko, Ya.M.
Luchechko, A.P.
Syvorotka, I.M.
Syvorotka, I.I.
Ubizskii, S.B.
title_short X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films
title_full X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films
title_fullStr X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films
title_full_unstemmed X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films
title_sort x-ray excited luminescence of ytterbium containing yag single crystalline films
author Zakharko, Ya.M.
Luchechko, A.P.
Syvorotka, I.M.
Syvorotka, I.I.
Ubizskii, S.B.
author_facet Zakharko, Ya.M.
Luchechko, A.P.
Syvorotka, I.M.
Syvorotka, I.I.
Ubizskii, S.B.
publishDate 2005
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt Рентгенолюмінесценція монокристалічних плівок ІАГ з домішкою ітербію
description Luminescence properties of ytterbium ions in of У₃AI₅О₁₂ (УAG) epitaxial films have been investigated. The influence of growth conditions on the change of activator ions charge state and the luminescence in visible spectral region has been demonstrated. It has been established that emission bands with maxima at 480 and 580 nm are attributed to the 5d-4f transitions of Уb²⁺ ions. The emission bands with maxima at 330 nm and 500 nm correspond to transitions from charge transfer state to ²F₇/₂ and and ²F₅/₂ state of Уb³⁺ ions, respectively. Проведено исследование люминесцентных свойств ионов иттербия в эпитаксиальных пленках У₃AI₅О₁₂ (УAG). Показано влияние условий выращивания на изменение зарядового состояния ионов активатора и его свечения в видимой области спектра. Установлено, что люминесценция в полосах с максимумами при 480 нм и 580 нм в эпитаксиальных пленках УAG:Уb приписывается 5d-4f переходам ионов Уb²⁺. Полосы свечения с максимумами при 330 и 500 нм отвечают переходам из состояния переноса заряда соответственно на уровни ²F₇/₂ и ²F₅/₂ ионов Уb³⁺. Проведено дослiдження люмiнесцентних властивостей iонiв iтербiю в епiтаксiйних плiвках У₃AI₅О₁₂ (УAG). Показано вплив умов вирощування на змiну зарядового стану iонiв активатора та його свiчення у видимiй областi спектра. Встановлено, що люмiнеcценцiя в смугах з максимумами при 480 нм i 580 нм приписується 5d-4f переходам iонiв Уb²⁺. Смуги свiчення з максимумами при 330 i 500 нм вiдповiдають переходам зi стану перенесення заряду вiдповiдно на рiвнi ²F₇/₂ i ²F₅/₂ iонiв Уb³⁺.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137252
citation_txt X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films / Ya.M. Zakharko, A.P. Luchechko, I.M. Syvorotka, I.I. Syvorotka, S.B. Ubizskii // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 274-277. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT zakharkoyam xrayexcitedluminescenceofytterbiumcontainingyagsinglecrystallinefilms
AT luchechkoap xrayexcitedluminescenceofytterbiumcontainingyagsinglecrystallinefilms
AT syvorotkaim xrayexcitedluminescenceofytterbiumcontainingyagsinglecrystallinefilms
AT syvorotkaii xrayexcitedluminescenceofytterbiumcontainingyagsinglecrystallinefilms
AT ubizskiisb xrayexcitedluminescenceofytterbiumcontainingyagsinglecrystallinefilms
AT zakharkoyam rentgenolûmínescencíâmonokristalíčnihplívokíagzdomíškoûíterbíû
AT luchechkoap rentgenolûmínescencíâmonokristalíčnihplívokíagzdomíškoûíterbíû
AT syvorotkaim rentgenolûmínescencíâmonokristalíčnihplívokíagzdomíškoûíterbíû
AT syvorotkaii rentgenolûmínescencíâmonokristalíčnihplívokíagzdomíškoûíterbíû
AT ubizskiisb rentgenolûmínescencíâmonokristalíčnihplívokíagzdomíškoûíterbíû
first_indexed 2025-12-07T19:35:18Z
last_indexed 2025-12-07T19:35:18Z
_version_ 1850879370347937792

Similar Items