Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror

WC/Si multilayer X-ray mirrors (MXMs) with nominal layers thicknesses of 0.2…30.3 nm (periods: 0.7…38.9 nm) were deposited by direct current magnetron sputtering and studied by X-ray diffraction and cross-sectional transmission electron microscopy (TEM). Carbide and silicon layers are amorphous thro...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2018
Автори: Pershyn, Y.P., Chumak, V.S., Shypkova, I.G., Mamon, V.V., Devizenko, A.Yu., Kondratenko, V.V., Reshetnyak, M.V., Zubarev, E.N.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2018
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137337
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror / Y.P. Pershyn, V.S. Chumak, I.G. Shypkova, V.V. Mamon, A.Yu. Devizenko, V.V. Kondratenko, M.V. Reshetnyak, E.N. Zubarev // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 1. — С. 69-76. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-137337
record_format dspace
spelling Pershyn, Y.P.
Chumak, V.S.
Shypkova, I.G.
Mamon, V.V.
Devizenko, A.Yu.
Kondratenko, V.V.
Reshetnyak, M.V.
Zubarev, E.N.
2018-06-17T10:28:43Z
2018-06-17T10:28:43Z
2018
Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror / Y.P. Pershyn, V.S. Chumak, I.G. Shypkova, V.V. Mamon, A.Yu. Devizenko, V.V. Kondratenko, M.V. Reshetnyak, E.N. Zubarev // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 1. — С. 69-76. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
1562-6016
PACS: 61.05.cm, 61.43.Dq, 68.65.Ac, 41.50.+h, 07.85.Fv
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137337
WC/Si multilayer X-ray mirrors (MXMs) with nominal layers thicknesses of 0.2…30.3 nm (periods: 0.7…38.9 nm) were deposited by direct current magnetron sputtering and studied by X-ray diffraction and cross-sectional transmission electron microscopy (TEM). Carbide and silicon layers are amorphous throughout the studied thickness range. The WC layers interact with Si layers with formation of tungsten silicides (WSi₂, W₅Si₃) and silicon carbide in as-deposited state. The bottom interlayer (WC-on-Si) consists of two subzones of approximately equal thickness. An estimation of the thickness, density, and composition of all layers is made. Based on the experimental data, a five-layer model of the WC/Si MXM structure is suggested.
Методами рентгенівської дифракції та просвічувальної електронної мікроскопії досліджені багатошарові рентгенівські дзеркала (БРД) WC/Si, що виготовлені методом прямоточного магнетронного розпилення з фіксованими швидкостями осадження з номінальними товщинами шарів у діапазоні 0,2…30,3 нм (періоди 0,7…38,9 нм). У всьому діапазоні досліджуваних товщин шари WC та Si являються аморфними. Шари WC та Si взаємодіють з утворенням силіцидів вольфраму (WSi₂, W₅Si₃) та карбіду кремнію в початковому стані. Нижня перемішана зона складається з двох перемішаних підзон приблизно рівної товщини. Зроблена оцінка товщини, щільності та складу всіх шарів. Спираючись на експериментальні результати запропонована п’ятишарова модель будови БРД WC/Si.
Методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы особенности роста многослойных рентгеновских зеркал (МРЗ) WC/Si, изготовленных методом прямоточного магнетронного распыления с номинальными толщинами слоев в диапазоне 0,2…30,3 нм (периоды 0,7…38,9 нм). Во всем диапазоне исследуемых толщин слои WC и Si находятся в аморфном состоянии. Установлено взаимодействие слоев WC и Si с образованием силицидов вольфрама (WSi₂, W₅Si₃) и карбида кремния в исходном состоянии. Нижняя перемешанная зона состоит из двух подзон примерно равной толщины. Сделана оценка толщины, плотности и состава всех слоев. На основе определенных параметров предложена пятислойная модель строения МРЗ WC/Si.
YPP acknowledges ISKCON for the help in understanding the place and the meaning of this study.
en
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика и технология конструкционных материалов
Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror
Ріст та структура багатошарових рентгенівських дзеркал WC/Si
Рост и структура многослойных рентгеновских зеркал WC/Si
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror
spellingShingle Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror
Pershyn, Y.P.
Chumak, V.S.
Shypkova, I.G.
Mamon, V.V.
Devizenko, A.Yu.
Kondratenko, V.V.
Reshetnyak, M.V.
Zubarev, E.N.
Физика и технология конструкционных материалов
title_short Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror
title_full Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror
title_fullStr Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror
title_full_unstemmed Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror
title_sort growth and structure of wc/si multilayer x-ray mirror
author Pershyn, Y.P.
Chumak, V.S.
Shypkova, I.G.
Mamon, V.V.
Devizenko, A.Yu.
Kondratenko, V.V.
Reshetnyak, M.V.
Zubarev, E.N.
author_facet Pershyn, Y.P.
Chumak, V.S.
Shypkova, I.G.
Mamon, V.V.
Devizenko, A.Yu.
Kondratenko, V.V.
Reshetnyak, M.V.
Zubarev, E.N.
topic Физика и технология конструкционных материалов
topic_facet Физика и технология конструкционных материалов
publishDate 2018
language English
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
title_alt Ріст та структура багатошарових рентгенівських дзеркал WC/Si
Рост и структура многослойных рентгеновских зеркал WC/Si
description WC/Si multilayer X-ray mirrors (MXMs) with nominal layers thicknesses of 0.2…30.3 nm (periods: 0.7…38.9 nm) were deposited by direct current magnetron sputtering and studied by X-ray diffraction and cross-sectional transmission electron microscopy (TEM). Carbide and silicon layers are amorphous throughout the studied thickness range. The WC layers interact with Si layers with formation of tungsten silicides (WSi₂, W₅Si₃) and silicon carbide in as-deposited state. The bottom interlayer (WC-on-Si) consists of two subzones of approximately equal thickness. An estimation of the thickness, density, and composition of all layers is made. Based on the experimental data, a five-layer model of the WC/Si MXM structure is suggested. Методами рентгенівської дифракції та просвічувальної електронної мікроскопії досліджені багатошарові рентгенівські дзеркала (БРД) WC/Si, що виготовлені методом прямоточного магнетронного розпилення з фіксованими швидкостями осадження з номінальними товщинами шарів у діапазоні 0,2…30,3 нм (періоди 0,7…38,9 нм). У всьому діапазоні досліджуваних товщин шари WC та Si являються аморфними. Шари WC та Si взаємодіють з утворенням силіцидів вольфраму (WSi₂, W₅Si₃) та карбіду кремнію в початковому стані. Нижня перемішана зона складається з двох перемішаних підзон приблизно рівної товщини. Зроблена оцінка товщини, щільності та складу всіх шарів. Спираючись на експериментальні результати запропонована п’ятишарова модель будови БРД WC/Si. Методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы особенности роста многослойных рентгеновских зеркал (МРЗ) WC/Si, изготовленных методом прямоточного магнетронного распыления с номинальными толщинами слоев в диапазоне 0,2…30,3 нм (периоды 0,7…38,9 нм). Во всем диапазоне исследуемых толщин слои WC и Si находятся в аморфном состоянии. Установлено взаимодействие слоев WC и Si с образованием силицидов вольфрама (WSi₂, W₅Si₃) и карбида кремния в исходном состоянии. Нижняя перемешанная зона состоит из двух подзон примерно равной толщины. Сделана оценка толщины, плотности и состава всех слоев. На основе определенных параметров предложена пятислойная модель строения МРЗ WC/Si.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137337
citation_txt Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror / Y.P. Pershyn, V.S. Chumak, I.G. Shypkova, V.V. Mamon, A.Yu. Devizenko, V.V. Kondratenko, M.V. Reshetnyak, E.N. Zubarev // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 1. — С. 69-76. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT pershynyp growthandstructureofwcsimultilayerxraymirror
AT chumakvs growthandstructureofwcsimultilayerxraymirror
AT shypkovaig growthandstructureofwcsimultilayerxraymirror
AT mamonvv growthandstructureofwcsimultilayerxraymirror
AT devizenkoayu growthandstructureofwcsimultilayerxraymirror
AT kondratenkovv growthandstructureofwcsimultilayerxraymirror
AT reshetnyakmv growthandstructureofwcsimultilayerxraymirror
AT zubareven growthandstructureofwcsimultilayerxraymirror
AT pershynyp rísttastrukturabagatošarovihrentgenívsʹkihdzerkalwcsi
AT chumakvs rísttastrukturabagatošarovihrentgenívsʹkihdzerkalwcsi
AT shypkovaig rísttastrukturabagatošarovihrentgenívsʹkihdzerkalwcsi
AT mamonvv rísttastrukturabagatošarovihrentgenívsʹkihdzerkalwcsi
AT devizenkoayu rísttastrukturabagatošarovihrentgenívsʹkihdzerkalwcsi
AT kondratenkovv rísttastrukturabagatošarovihrentgenívsʹkihdzerkalwcsi
AT reshetnyakmv rísttastrukturabagatošarovihrentgenívsʹkihdzerkalwcsi
AT zubareven rísttastrukturabagatošarovihrentgenívsʹkihdzerkalwcsi
AT pershynyp rostistrukturamnogosloinyhrentgenovskihzerkalwcsi
AT chumakvs rostistrukturamnogosloinyhrentgenovskihzerkalwcsi
AT shypkovaig rostistrukturamnogosloinyhrentgenovskihzerkalwcsi
AT mamonvv rostistrukturamnogosloinyhrentgenovskihzerkalwcsi
AT devizenkoayu rostistrukturamnogosloinyhrentgenovskihzerkalwcsi
AT kondratenkovv rostistrukturamnogosloinyhrentgenovskihzerkalwcsi
AT reshetnyakmv rostistrukturamnogosloinyhrentgenovskihzerkalwcsi
AT zubareven rostistrukturamnogosloinyhrentgenovskihzerkalwcsi
first_indexed 2025-12-07T17:45:55Z
last_indexed 2025-12-07T17:45:55Z
_version_ 1850872488628584448