Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror
WC/Si multilayer X-ray mirrors (MXMs) with nominal layers thicknesses of 0.2…30.3 nm (periods: 0.7…38.9 nm) were deposited by direct current magnetron sputtering and studied by X-ray diffraction and cross-sectional transmission electron microscopy (TEM). Carbide and silicon layers are amorphous thro...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2018 |
| Main Authors: | , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137337 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror / Y.P. Pershyn, V.S. Chumak, I.G. Shypkova, V.V. Mamon, A.Yu. Devizenko, V.V. Kondratenko, M.V. Reshetnyak, E.N. Zubarev // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 1. — С. 69-76. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862713663378423808 |
|---|---|
| author | Pershyn, Y.P. Chumak, V.S. Shypkova, I.G. Mamon, V.V. Devizenko, A.Yu. Kondratenko, V.V. Reshetnyak, M.V. Zubarev, E.N. |
| author_facet | Pershyn, Y.P. Chumak, V.S. Shypkova, I.G. Mamon, V.V. Devizenko, A.Yu. Kondratenko, V.V. Reshetnyak, M.V. Zubarev, E.N. |
| citation_txt | Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror / Y.P. Pershyn, V.S. Chumak, I.G. Shypkova, V.V. Mamon, A.Yu. Devizenko, V.V. Kondratenko, M.V. Reshetnyak, E.N. Zubarev // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 1. — С. 69-76. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | WC/Si multilayer X-ray mirrors (MXMs) with nominal layers thicknesses of 0.2…30.3 nm (periods: 0.7…38.9 nm) were deposited by direct current magnetron sputtering and studied by X-ray diffraction and cross-sectional transmission electron microscopy (TEM). Carbide and silicon layers are amorphous throughout the studied thickness range. The WC layers interact with Si layers with formation of tungsten silicides (WSi₂, W₅Si₃) and silicon carbide in as-deposited state. The bottom interlayer (WC-on-Si) consists of two subzones of approximately equal thickness. An estimation of the thickness, density, and composition of all layers is made. Based on the experimental data, a five-layer model of the WC/Si MXM structure is suggested.
Методами рентгенівської дифракції та просвічувальної електронної мікроскопії досліджені багатошарові рентгенівські дзеркала (БРД) WC/Si, що виготовлені методом прямоточного магнетронного розпилення з фіксованими швидкостями осадження з номінальними товщинами шарів у діапазоні 0,2…30,3 нм (періоди 0,7…38,9 нм). У всьому діапазоні досліджуваних товщин шари WC та Si являються аморфними. Шари WC та Si взаємодіють з утворенням силіцидів вольфраму (WSi₂, W₅Si₃) та карбіду кремнію в початковому стані. Нижня перемішана зона складається з двох перемішаних підзон приблизно рівної товщини. Зроблена оцінка товщини, щільності та складу всіх шарів. Спираючись на експериментальні результати запропонована п’ятишарова модель будови БРД WC/Si.
Методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы особенности роста многослойных рентгеновских зеркал (МРЗ) WC/Si, изготовленных методом прямоточного магнетронного распыления с номинальными толщинами слоев в диапазоне 0,2…30,3 нм (периоды 0,7…38,9 нм). Во всем диапазоне исследуемых толщин слои WC и Si находятся в аморфном состоянии. Установлено взаимодействие слоев WC и Si с образованием силицидов вольфрама (WSi₂, W₅Si₃) и карбида кремния в исходном состоянии. Нижняя перемешанная зона состоит из двух подзон примерно равной толщины. Сделана оценка толщины, плотности и состава всех слоев. На основе определенных параметров предложена пятислойная модель строения МРЗ WC/Si.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:45:55Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-137337 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T17:45:55Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Pershyn, Y.P. Chumak, V.S. Shypkova, I.G. Mamon, V.V. Devizenko, A.Yu. Kondratenko, V.V. Reshetnyak, M.V. Zubarev, E.N. 2018-06-17T10:28:43Z 2018-06-17T10:28:43Z 2018 Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror / Y.P. Pershyn, V.S. Chumak, I.G. Shypkova, V.V. Mamon, A.Yu. Devizenko, V.V. Kondratenko, M.V. Reshetnyak, E.N. Zubarev // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 1. — С. 69-76. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 61.05.cm, 61.43.Dq, 68.65.Ac, 41.50.+h, 07.85.Fv https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137337 WC/Si multilayer X-ray mirrors (MXMs) with nominal layers thicknesses of 0.2…30.3 nm (periods: 0.7…38.9 nm) were deposited by direct current magnetron sputtering and studied by X-ray diffraction and cross-sectional transmission electron microscopy (TEM). Carbide and silicon layers are amorphous throughout the studied thickness range. The WC layers interact with Si layers with formation of tungsten silicides (WSi₂, W₅Si₃) and silicon carbide in as-deposited state. The bottom interlayer (WC-on-Si) consists of two subzones of approximately equal thickness. An estimation of the thickness, density, and composition of all layers is made. Based on the experimental data, a five-layer model of the WC/Si MXM structure is suggested. Методами рентгенівської дифракції та просвічувальної електронної мікроскопії досліджені багатошарові рентгенівські дзеркала (БРД) WC/Si, що виготовлені методом прямоточного магнетронного розпилення з фіксованими швидкостями осадження з номінальними товщинами шарів у діапазоні 0,2…30,3 нм (періоди 0,7…38,9 нм). У всьому діапазоні досліджуваних товщин шари WC та Si являються аморфними. Шари WC та Si взаємодіють з утворенням силіцидів вольфраму (WSi₂, W₅Si₃) та карбіду кремнію в початковому стані. Нижня перемішана зона складається з двох перемішаних підзон приблизно рівної товщини. Зроблена оцінка товщини, щільності та складу всіх шарів. Спираючись на експериментальні результати запропонована п’ятишарова модель будови БРД WC/Si. Методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы особенности роста многослойных рентгеновских зеркал (МРЗ) WC/Si, изготовленных методом прямоточного магнетронного распыления с номинальными толщинами слоев в диапазоне 0,2…30,3 нм (периоды 0,7…38,9 нм). Во всем диапазоне исследуемых толщин слои WC и Si находятся в аморфном состоянии. Установлено взаимодействие слоев WC и Si с образованием силицидов вольфрама (WSi₂, W₅Si₃) и карбида кремния в исходном состоянии. Нижняя перемешанная зона состоит из двух подзон примерно равной толщины. Сделана оценка толщины, плотности и состава всех слоев. На основе определенных параметров предложена пятислойная модель строения МРЗ WC/Si. YPP acknowledges ISKCON for the help in understanding
 the place and the meaning of this study. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика и технология конструкционных материалов Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror Ріст та структура багатошарових рентгенівських дзеркал WC/Si Рост и структура многослойных рентгеновских зеркал WC/Si Article published earlier |
| spellingShingle | Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror Pershyn, Y.P. Chumak, V.S. Shypkova, I.G. Mamon, V.V. Devizenko, A.Yu. Kondratenko, V.V. Reshetnyak, M.V. Zubarev, E.N. Физика и технология конструкционных материалов |
| title | Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror |
| title_alt | Ріст та структура багатошарових рентгенівських дзеркал WC/Si Рост и структура многослойных рентгеновских зеркал WC/Si |
| title_full | Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror |
| title_fullStr | Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror |
| title_full_unstemmed | Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror |
| title_short | Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror |
| title_sort | growth and structure of wc/si multilayer x-ray mirror |
| topic | Физика и технология конструкционных материалов |
| topic_facet | Физика и технология конструкционных материалов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137337 |
| work_keys_str_mv | AT pershynyp growthandstructureofwcsimultilayerxraymirror AT chumakvs growthandstructureofwcsimultilayerxraymirror AT shypkovaig growthandstructureofwcsimultilayerxraymirror AT mamonvv growthandstructureofwcsimultilayerxraymirror AT devizenkoayu growthandstructureofwcsimultilayerxraymirror AT kondratenkovv growthandstructureofwcsimultilayerxraymirror AT reshetnyakmv growthandstructureofwcsimultilayerxraymirror AT zubareven growthandstructureofwcsimultilayerxraymirror AT pershynyp rísttastrukturabagatošarovihrentgenívsʹkihdzerkalwcsi AT chumakvs rísttastrukturabagatošarovihrentgenívsʹkihdzerkalwcsi AT shypkovaig rísttastrukturabagatošarovihrentgenívsʹkihdzerkalwcsi AT mamonvv rísttastrukturabagatošarovihrentgenívsʹkihdzerkalwcsi AT devizenkoayu rísttastrukturabagatošarovihrentgenívsʹkihdzerkalwcsi AT kondratenkovv rísttastrukturabagatošarovihrentgenívsʹkihdzerkalwcsi AT reshetnyakmv rísttastrukturabagatošarovihrentgenívsʹkihdzerkalwcsi AT zubareven rísttastrukturabagatošarovihrentgenívsʹkihdzerkalwcsi AT pershynyp rostistrukturamnogosloinyhrentgenovskihzerkalwcsi AT chumakvs rostistrukturamnogosloinyhrentgenovskihzerkalwcsi AT shypkovaig rostistrukturamnogosloinyhrentgenovskihzerkalwcsi AT mamonvv rostistrukturamnogosloinyhrentgenovskihzerkalwcsi AT devizenkoayu rostistrukturamnogosloinyhrentgenovskihzerkalwcsi AT kondratenkovv rostistrukturamnogosloinyhrentgenovskihzerkalwcsi AT reshetnyakmv rostistrukturamnogosloinyhrentgenovskihzerkalwcsi AT zubareven rostistrukturamnogosloinyhrentgenovskihzerkalwcsi |