The influence of point defects on the temperature dependence of quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ resistivity

The influence of point defects on the temperature dependence of quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ resistivity

The processes of point defects forming in quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ crystals were studied experimentally by measuring the temperature-time resistivity dependencies in the temperature range 300-500 K. It is found out that the special property of (selenium vacancies) formation is the dependence o...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Functional Materials
Дата:2005
Автори: Mamalui, A.A., Shelest, T.N., Fatyanova, N.B., Sirenko, V.A.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137632
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:The influence of point defects on the temperature dependence of quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ resistivity / A.A. Mamalui, T.N. Shelest, N.B. Fatyanova, V.A. Sirenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 521-525. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-137632
record_format dspace
spelling Mamalui, A.A.
Shelest, T.N.
Fatyanova, N.B.
Sirenko, V.A.
2018-06-17T14:23:07Z
2018-06-17T14:23:07Z
2005
The influence of point defects on the temperature dependence of quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ resistivity / A.A. Mamalui, T.N. Shelest, N.B. Fatyanova, V.A. Sirenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 521-525. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137632
The processes of point defects forming in quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ crystals were studied experimentally by measuring the temperature-time resistivity dependencies in the temperature range 300-500 K. It is found out that the special property of (selenium vacancies) formation is the dependence of their formation energy on the time of isothermal exposure, i.e. concentration.
Экспериментально исследовались процессы образования точечных дефектов в квазидвумерных монокристаллах 2H-NbSe₂ посредством измерения температурно-временных зависимостей электросопротивления в области температур 300-550 К. Установлено, что характерной особенностью процесса образования точечных дефектов (вакансий селена) является зависимость их энергии образования от времени изотермической выдержки, т.е. от концентрации.
Процеси утворення точкових дефектiв у квазiдвовимiрних монокристалах 2H-NbSe₂ дослiджувалися експериментально вимiрюванням температурно-часових залежностей електроопору в областi температур 300-550 К. Встановлено, що характерною особливiстю процесу утворення точкових дефектiв (вакансiй селену) є залежнiсть їхньої енергiї утворення вiд часу iзотермiчної витримки, тобто концентрацiї.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
The influence of point defects on the temperature dependence of quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ resistivity
Вплив точкових дефектiв на температурну залежнiсть електроопору квазiдвовимiрного 2H-NbSe₂
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title The influence of point defects on the temperature dependence of quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ resistivity
spellingShingle The influence of point defects on the temperature dependence of quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ resistivity
Mamalui, A.A.
Shelest, T.N.
Fatyanova, N.B.
Sirenko, V.A.
title_short The influence of point defects on the temperature dependence of quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ resistivity
title_full The influence of point defects on the temperature dependence of quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ resistivity
title_fullStr The influence of point defects on the temperature dependence of quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ resistivity
title_full_unstemmed The influence of point defects on the temperature dependence of quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ resistivity
title_sort influence of point defects on the temperature dependence of quasi-two-dimensional 2h-nbse₂ resistivity
author Mamalui, A.A.
Shelest, T.N.
Fatyanova, N.B.
Sirenko, V.A.
author_facet Mamalui, A.A.
Shelest, T.N.
Fatyanova, N.B.
Sirenko, V.A.
publishDate 2005
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt Вплив точкових дефектiв на температурну залежнiсть електроопору квазiдвовимiрного 2H-NbSe₂
description The processes of point defects forming in quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ crystals were studied experimentally by measuring the temperature-time resistivity dependencies in the temperature range 300-500 K. It is found out that the special property of (selenium vacancies) formation is the dependence of their formation energy on the time of isothermal exposure, i.e. concentration. Экспериментально исследовались процессы образования точечных дефектов в квазидвумерных монокристаллах 2H-NbSe₂ посредством измерения температурно-временных зависимостей электросопротивления в области температур 300-550 К. Установлено, что характерной особенностью процесса образования точечных дефектов (вакансий селена) является зависимость их энергии образования от времени изотермической выдержки, т.е. от концентрации. Процеси утворення точкових дефектiв у квазiдвовимiрних монокристалах 2H-NbSe₂ дослiджувалися експериментально вимiрюванням температурно-часових залежностей електроопору в областi температур 300-550 К. Встановлено, що характерною особливiстю процесу утворення точкових дефектiв (вакансiй селену) є залежнiсть їхньої енергiї утворення вiд часу iзотермiчної витримки, тобто концентрацiї.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137632
citation_txt The influence of point defects on the temperature dependence of quasi-two-dimensional 2H-NbSe₂ resistivity / A.A. Mamalui, T.N. Shelest, N.B. Fatyanova, V.A. Sirenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 521-525. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT mamaluiaa theinfluenceofpointdefectsonthetemperaturedependenceofquasitwodimensional2hnbse2resistivity
AT shelesttn theinfluenceofpointdefectsonthetemperaturedependenceofquasitwodimensional2hnbse2resistivity
AT fatyanovanb theinfluenceofpointdefectsonthetemperaturedependenceofquasitwodimensional2hnbse2resistivity
AT sirenkova theinfluenceofpointdefectsonthetemperaturedependenceofquasitwodimensional2hnbse2resistivity
AT mamaluiaa vplivtočkovihdefektivnatemperaturnuzaležnistʹelektrooporukvazidvovimirnogo2hnbse2
AT shelesttn vplivtočkovihdefektivnatemperaturnuzaležnistʹelektrooporukvazidvovimirnogo2hnbse2
AT fatyanovanb vplivtočkovihdefektivnatemperaturnuzaležnistʹelektrooporukvazidvovimirnogo2hnbse2
AT sirenkova vplivtočkovihdefektivnatemperaturnuzaležnistʹelektrooporukvazidvovimirnogo2hnbse2
AT mamaluiaa influenceofpointdefectsonthetemperaturedependenceofquasitwodimensional2hnbse2resistivity
AT shelesttn influenceofpointdefectsonthetemperaturedependenceofquasitwodimensional2hnbse2resistivity
AT fatyanovanb influenceofpointdefectsonthetemperaturedependenceofquasitwodimensional2hnbse2resistivity
AT sirenkova influenceofpointdefectsonthetemperaturedependenceofquasitwodimensional2hnbse2resistivity
first_indexed 2025-12-07T13:23:07Z
last_indexed 2025-12-07T13:23:07Z
_version_ 1850855955108986880

Схожі ресурси