Crystal field parameter calculations for doped Pr³⁺ ion in Y₂SiO₅ crystal

Аb initio calculation of term split of D₂ a Pr³⁺ ion in У Y₂SiO₅ crystal for two non-equivalent optical centers is carried out. The calculated splitting values agree satisfactorily with experimental data and allow to ascribe uniquely the spectral lines belonging to different optical centers. Провед...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Functional Materials
Date:2005
ISSN:1027-5495
Main Authors: Zhmurin, P.N., Masalov, A.A.
Format: Article
Language:English
Published: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137635
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Crystal field parameter calculations for doped Pr³⁺ ion in Y₂SiO₅ crystal / P.N. Zhmurin, A.A. Masalov // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 484-486. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Аb initio calculation of term split of D₂ a Pr³⁺ ion in У Y₂SiO₅ crystal for two non-equivalent optical centers is carried out. The calculated splitting values agree satisfactorily with experimental data and allow to ascribe uniquely the spectral lines belonging to different optical centers. Проведен ab initio расчет расщепления терма D₂ иона Pr³⁺ в кристалле Y₂SiO₅ для двух неэквивалентных оптических центров. Рассчитанные величины расщепления удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными и позволяют однозначно соотнести спектральные линии, принадлежащие различным оптическим центрам. Проведено ab initio розрахунок розщеплення D₂ терма iона Pr³⁺ у кристалi Y₂SiO₅ для двох нееквiвалентних оптичних центрiв. Розрахованi величини розщеплення задовiльно узгоджуються з експериментальними даними та дозволяють однозначно спiввiднести спектральнi лiнii, що належать рiзним оптичним центрам.
ISSN:1027-5495