The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation
Using the electron microscopy methods the process of crystallization of amorphous Sb₂S₃ films was investigated. The amorphous films were prepared by the vacuum condensation (10⁻⁵ Torr) on a surface of KCI crystals at a temperature of 20-185 ℃. The crystallization of amrphous films was initiated by t...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137679 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation / A.G. Bagmut, S.N. Grigorov, V.Yu. Kolosov, V.M. Kosevich, G.P. Nikolaychuk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 461-466. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862559138987376640 |
|---|---|
| author | Bagmut, A.G. Grigorov, S.N. Kolosov, V.Yu. Kosevich, V.M. Nikolaychuk, G.P. |
| author_facet | Bagmut, A.G. Grigorov, S.N. Kolosov, V.Yu. Kosevich, V.M. Nikolaychuk, G.P. |
| citation_txt | The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation / A.G. Bagmut, S.N. Grigorov, V.Yu. Kolosov, V.M. Kosevich, G.P. Nikolaychuk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 461-466. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | Using the electron microscopy methods the process of crystallization of amorphous Sb₂S₃ films was investigated. The amorphous films were prepared by the vacuum condensation (10⁻⁵ Torr) on a surface of KCI crystals at a temperature of 20-185 ℃. The crystallization of amrphous films was initiated by their heating with the electron beam in a column of electron microscope (in situ technique). The partial crystallization of Sb₂S₃ films occurred also directly during the condensation process when the substrate temperature was in the range of 183-185 ℃. It was established, that in amorphous Sb₂S₃ films the crystals with the bent crystal lattice are formed. The local bend of a lattice makes -20 degree/microns. At a slow heating of a film by an electron beam it was revealed, that at first in a surface layer of the film a thin crystals with the undistorted lattice was nucleated. The bend of a crystal lattice occurs during the increasing of the Sb₂S₃ crystals thickness.
Методами электронной микроскопии исследована кристаллизация аморфных пленок Sb₂S₃. Аморфные пленки конденсировались в вакууме 10⁻⁵ Торр на поверхности кристаллов KСI при температуре подложки 20-185 ℃. Kристаллизация аморфных пленок осуществлялась путем их нагрева электронным лучом в колонне электронного микроскопа (методика "in situ"). Частичная кристаллизация пленок Sb₂S₃ происходила также непосредственно в ходе конденсации при температуре подложки 183-185 ℃. Установлено, что в аморфных пленках Sb₂S₃ образуются кристаллы с изогнутой кристаллической решеткой. Локальный изгиб решетки составляет -20 град/мкм. При медленном нагреве пленки электронным пучком обнаружено, что сначала в приповерхностном слое пленки возникают тонкие кристаллы с неизогнутой решеткой. Изгиб кристаллической решетки происходит в процессе увеличения толщины кристаллов.
Методами електронної мiкроскопiї дослiджено кристалiзацiю аморфних плiвок Sb₂S₃. Аморфнi плiвки сконденсованi у вакуумi 10⁻⁵ Торр на поверхнi кристалiв KСI при температурi пiдкладки 20-185 ℃. Kристалiзацiя аморфних плiвок здiйснювалася
шляхом їх нагрiву електронним променем у колоннi електронного мiкроскопа (методика "in situ"). Часткова кристалiзацiя плiвок вiдбувалася також безпосередньо пiд час конденсацiї при температурi пiдкладки 183-185 ℃. Встановлено, що в аморфних плiвках Sb₂S₃ виникають кристали з вигнутою кристалiчною решiткою. Локальний вигiн решiтки складає -20 град/мкм. При повiльному нагрiвi плiвки електронним променем знайдено, що спочатку у приповерхньому шарi плiвки виникають тонкi кристали з невигнутою решiткою. Вигiн кристалiчної решiтки вiдбувається у процесi збiльшення товщини кристалiв.
|
| first_indexed | 2025-11-25T22:46:40Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-137679 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-25T22:46:40Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Bagmut, A.G. Grigorov, S.N. Kolosov, V.Yu. Kosevich, V.M. Nikolaychuk, G.P. 2018-06-17T14:50:46Z 2018-06-17T14:50:46Z 2005 The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation / A.G. Bagmut, S.N. Grigorov, V.Yu. Kolosov, V.M. Kosevich, G.P. Nikolaychuk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 461-466. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137679 Using the electron microscopy methods the process of crystallization of amorphous Sb₂S₃ films was investigated. The amorphous films were prepared by the vacuum condensation (10⁻⁵ Torr) on a surface of KCI crystals at a temperature of 20-185 ℃. The crystallization of amrphous films was initiated by their heating with the electron beam in a column of electron microscope (in situ technique). The partial crystallization of Sb₂S₃ films occurred also directly during the condensation process when the substrate temperature was in the range of 183-185 ℃. It was established, that in amorphous Sb₂S₃ films the crystals with the bent crystal lattice are formed. The local bend of a lattice makes -20 degree/microns. At a slow heating of a film by an electron beam it was revealed, that at first in a surface layer of the film a thin crystals with the undistorted lattice was nucleated. The bend of a crystal lattice occurs during the increasing of the Sb₂S₃ crystals thickness. Методами электронной микроскопии исследована кристаллизация аморфных пленок Sb₂S₃. Аморфные пленки конденсировались в вакууме 10⁻⁵ Торр на поверхности кристаллов KСI при температуре подложки 20-185 ℃. Kристаллизация аморфных пленок осуществлялась путем их нагрева электронным лучом в колонне электронного микроскопа (методика "in situ"). Частичная кристаллизация пленок Sb₂S₃ происходила также непосредственно в ходе конденсации при температуре подложки 183-185 ℃. Установлено, что в аморфных пленках Sb₂S₃ образуются кристаллы с изогнутой кристаллической решеткой. Локальный изгиб решетки составляет -20 град/мкм. При медленном нагреве пленки электронным пучком обнаружено, что сначала в приповерхностном слое пленки возникают тонкие кристаллы с неизогнутой решеткой. Изгиб кристаллической решетки происходит в процессе увеличения толщины кристаллов. Методами електронної мiкроскопiї дослiджено кристалiзацiю аморфних плiвок Sb₂S₃. Аморфнi плiвки сконденсованi у вакуумi 10⁻⁵ Торр на поверхнi кристалiв KСI при температурi пiдкладки 20-185 ℃. Kристалiзацiя аморфних плiвок здiйснювалася
 шляхом їх нагрiву електронним променем у колоннi електронного мiкроскопа (методика "in situ"). Часткова кристалiзацiя плiвок вiдбувалася також безпосередньо пiд час конденсацiї при температурi пiдкладки 183-185 ℃. Встановлено, що в аморфних плiвках Sb₂S₃ виникають кристали з вигнутою кристалiчною решiткою. Локальний вигiн решiтки складає -20 град/мкм. При повiльному нагрiвi плiвки електронним променем знайдено, що спочатку у приповерхньому шарi плiвки виникають тонкi кристали з невигнутою решiткою. Вигiн кристалiчної решiтки вiдбувається у процесi збiльшення товщини кристалiв. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation Ріст кристалів Sb₂S₃ з вигнутою кристалічною решіткою при відпалі аморфних плівок у в процесі конденсації Article published earlier |
| spellingShingle | The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation Bagmut, A.G. Grigorov, S.N. Kolosov, V.Yu. Kosevich, V.M. Nikolaychuk, G.P. |
| title | The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation |
| title_alt | Ріст кристалів Sb₂S₃ з вигнутою кристалічною решіткою при відпалі аморфних плівок у в процесі конденсації |
| title_full | The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation |
| title_fullStr | The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation |
| title_full_unstemmed | The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation |
| title_short | The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation |
| title_sort | growth of sb₂s₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137679 |
| work_keys_str_mv | AT bagmutag thegrowthofsb2s3crystalswithbendlatticeduringamorphousfilmsannealingandcondensation AT grigorovsn thegrowthofsb2s3crystalswithbendlatticeduringamorphousfilmsannealingandcondensation AT kolosovvyu thegrowthofsb2s3crystalswithbendlatticeduringamorphousfilmsannealingandcondensation AT kosevichvm thegrowthofsb2s3crystalswithbendlatticeduringamorphousfilmsannealingandcondensation AT nikolaychukgp thegrowthofsb2s3crystalswithbendlatticeduringamorphousfilmsannealingandcondensation AT bagmutag rístkristalívsb2s3zvignutoûkristalíčnoûrešítkoûprivídpalíamorfnihplívokuvprocesíkondensacíí AT grigorovsn rístkristalívsb2s3zvignutoûkristalíčnoûrešítkoûprivídpalíamorfnihplívokuvprocesíkondensacíí AT kolosovvyu rístkristalívsb2s3zvignutoûkristalíčnoûrešítkoûprivídpalíamorfnihplívokuvprocesíkondensacíí AT kosevichvm rístkristalívsb2s3zvignutoûkristalíčnoûrešítkoûprivídpalíamorfnihplívokuvprocesíkondensacíí AT nikolaychukgp rístkristalívsb2s3zvignutoûkristalíčnoûrešítkoûprivídpalíamorfnihplívokuvprocesíkondensacíí AT bagmutag growthofsb2s3crystalswithbendlatticeduringamorphousfilmsannealingandcondensation AT grigorovsn growthofsb2s3crystalswithbendlatticeduringamorphousfilmsannealingandcondensation AT kolosovvyu growthofsb2s3crystalswithbendlatticeduringamorphousfilmsannealingandcondensation AT kosevichvm growthofsb2s3crystalswithbendlatticeduringamorphousfilmsannealingandcondensation AT nikolaychukgp growthofsb2s3crystalswithbendlatticeduringamorphousfilmsannealingandcondensation |