X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals
The results of X-ray photoelectron spectroscopy of the phase interface formation on the cleavage surfaces of layered semiconductor In₄Se₃, In₄Se₃(Cu) crystals are presented. The peculiarities of the process in the high-vacuum chamber atmosphere have been studied using the Auger electron spectroscopy...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137680 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals / P.V. Galiy, A.V. Musyanovych // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 467-475. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862555926548971520 |
|---|---|
| author | Galiy, P.V. Musyanovych, A.V. |
| author_facet | Galiy, P.V. Musyanovych, A.V. |
| citation_txt | X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals / P.V. Galiy, A.V. Musyanovych // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 467-475. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | The results of X-ray photoelectron spectroscopy of the phase interface formation on the cleavage surfaces of layered semiconductor In₄Se₃, In₄Se₃(Cu) crystals are presented. The peculiarities of the process in the high-vacuum chamber atmosphere have been studied using the Auger electron spectroscopy. The carbon and oxygen interface coatings are formed due to interaction of the air with atomically clean cleavage surfaces of the crystals pure In₄Se₃ and In₄Se₃(Cu) crystals.
Представлены результаты исследования формирования междуфазных границ на поверхностях скалывания кристаллов слоистых полупроводников In₄Se₃, In₄Se₃(Cu), полученные методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС). Особенности этого процесса в атмосфере остаточных газов сверхвысоковакуумной камеры исследованы методом оже-электронной спектроскопии (ОЭС). Углерод-кислородные интерфейсные покрытия на междуслойных поверхностях скалывания формируются вследствие взаимодействия воздуха с атомарно чистыми поверхностями скалывания кристаллов.
Представлено результати дослiдження формування мiжфазових меж на поверхнях сколювання кристалiв шаруватих напiвпровiдникiв In₄Se₃, In₄Se₃(Cu), одержанi методом рентгенiвської фотоелектронної спектроскопiї. Особливостi цього процесу в атмосферi залишкових газiв надвисоковакуумної камери дослiджено методом оже-електронної спектроскопiї. Вуглецево-кисневi iнтерфейснi покриття на мiжшарових поверхнях сколювання формуються у результатi взаемодiї повiтря з атомно чистими поверхнями сколювання кристалiв.
|
| first_indexed | 2025-11-25T22:33:31Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-137680 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-25T22:33:31Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Galiy, P.V. Musyanovych, A.V. 2018-06-17T14:51:46Z 2018-06-17T14:51:46Z 2005 X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals / P.V. Galiy, A.V. Musyanovych // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 467-475. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137680 The results of X-ray photoelectron spectroscopy of the phase interface formation on the cleavage surfaces of layered semiconductor In₄Se₃, In₄Se₃(Cu) crystals are presented. The peculiarities of the process in the high-vacuum chamber atmosphere have been studied using the Auger electron spectroscopy. The carbon and oxygen interface coatings are formed due to interaction of the air with atomically clean cleavage surfaces of the crystals pure In₄Se₃ and In₄Se₃(Cu) crystals. Представлены результаты исследования формирования междуфазных границ на поверхностях скалывания кристаллов слоистых полупроводников In₄Se₃, In₄Se₃(Cu), полученные методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС). Особенности этого процесса в атмосфере остаточных газов сверхвысоковакуумной камеры исследованы методом оже-электронной спектроскопии (ОЭС). Углерод-кислородные интерфейсные покрытия на междуслойных поверхностях скалывания формируются вследствие взаимодействия воздуха с атомарно чистыми поверхностями скалывания кристаллов. Представлено результати дослiдження формування мiжфазових меж на поверхнях сколювання кристалiв шаруватих напiвпровiдникiв In₄Se₃, In₄Se₃(Cu), одержанi методом рентгенiвської фотоелектронної спектроскопiї. Особливостi цього процесу в атмосферi залишкових газiв надвисоковакуумної камери дослiджено методом оже-електронної спектроскопiї. Вуглецево-кисневi iнтерфейснi покриття на мiжшарових поверхнях сколювання формуються у результатi взаемодiї повiтря з атомно чистими поверхнями сколювання кристалiв. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals Рентгенівська фотоелектронна спектроскопія міжфазових меж на поверхнях сколювання напівпровідникових шаруватих кристалів In₄Se₃ Article published earlier |
| spellingShingle | X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals Galiy, P.V. Musyanovych, A.V. |
| title | X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals |
| title_alt | Рентгенівська фотоелектронна спектроскопія міжфазових меж на поверхнях сколювання напівпровідникових шаруватих кристалів In₄Se₃ |
| title_full | X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals |
| title_fullStr | X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals |
| title_full_unstemmed | X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals |
| title_short | X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals |
| title_sort | x-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor in₄se₃ crystals |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137680 |
| work_keys_str_mv | AT galiypv xrayphotoelectronspectroscopyoftheinterfaceformationoncleavagesurfacesofthelayeredsemiconductorin4se3crystals AT musyanovychav xrayphotoelectronspectroscopyoftheinterfaceformationoncleavagesurfacesofthelayeredsemiconductorin4se3crystals AT galiypv rentgenívsʹkafotoelektronnaspektroskopíâmížfazovihmežnapoverhnâhskolûvannânapívprovídnikovihšaruvatihkristalívin4se3 AT musyanovychav rentgenívsʹkafotoelektronnaspektroskopíâmížfazovihmežnapoverhnâhskolûvannânapívprovídnikovihšaruvatihkristalívin4se3 |