Зображення обкладинки

X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals

The results of X-ray photoelectron spectroscopy of the phase interface formation on the cleavage surfaces of layered semiconductor In₄Se₃, In₄Se₃(Cu) crystals are presented. The peculiarities of the process in the high-vacuum chamber atmosphere have been studied using the Auger electron spectroscopy...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Functional Materials
Дата:	2005
Автори:	Galiy, P.V., Musyanovych, A.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137680
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals / P.V. Galiy, A.V. Musyanovych // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 467-475. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals
за авторством: Grigas, J., та інші
Опубліковано: (2008)

The analysis of a nanoparticles surface by X - ray photoelectronic spectroscopy
за авторством: K. H. Lopatko, та інші
Опубліковано: (2009)

X-ray photoelectron spectroscopy and auger in research solid surface
за авторством: M. I. Terebinskaja, та інші
Опубліковано: (2016)

Investigation of the optical coatings on the DKDP single crystals by X-ray photoelectron spectroscopy
за авторством: Yu. Loya, та інші
Опубліковано: (2004)

Investigation of the optical coatings on the dkdp single ctystals by x-ray photoelectron spectroscopy
за авторством: Loya, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)

Features of X-ray photoelectron spectroscopy for determining the thickness of ultrathin films
за авторством: A. N. Stervoedov, та інші
Опубліковано: (2010)

Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface
за авторством: P. Galiy, та інші
Опубліковано: (2015)

Low-energy-electron-diffraction structural studies of (100) cleavage surfaces of In4Se3 layered crystals
за авторством: P. V. Galiy, та інші
Опубліковано: (2014)

TMR, MRE, and X-ray photoelectron spectroscopy of Fe-SiO₂ granular films
за авторством: Kravets, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)

Investigation of structure surface of the sorbent-catalyst modified by MnO2 X-ray photoelectron spectroscopy
за авторством: I. V. Jakupova, та інші
Опубліковано: (2016)

X-ray photoelectron spectroscopy of nanopowders of ZrO₂-Y₂O₃-Cr₂O₃ compounds
за авторством: Korduban, A.M., та інші
Опубліковано: (2007)

X-ray emission and photoelectron spectroscopy studies of interaction of nanocrystalline TiN and TiB₂ after highpressure sintering
за авторством: Bykov, A.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Low-energy-electron-diffraction structural studies of (100) cleavage surfaces of In4Se3 layered crystals
за авторством: P. V. Halii, та інші
Опубліковано: (2014)

Study of Mn2-хCoxP2O7·5H2O, at x=0, using X-ray photoelectron spectroscopy
за авторством: Smolyak Svitlana, та інші
Опубліковано: (2025)

X-ray characterization of ZnSe single crystals doped with Mg
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)

The Spectra of X-ray and photoluminescence of high-resistance crystals of ZnSe
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)

The Spectra of X-ray and photoluminescence of high-resistance crystals of ZnSe
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)

Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)

Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)

X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals
за авторством: I. L. Shulpina, та інші
Опубліковано: (2011)

Characterization of nanostructured In6Se7 inclusions in layered α-In2Se3 crystals using analytical X-ray diffractometry methods
за авторством: S. I. Drapak, та інші
Опубліковано: (2022)

Characterization of nanostructured In6Se7 inclusions in layered α-In2Se3 crystals using analytical X-ray diffractometry methods
за авторством: S. I. Drapak, та інші
Опубліковано: (2022)

Study of the electronic structure of Mn2-хCoxP2O7·5H2O at x=0.6, using X-ray photoelectron spectroscopy
за авторством: Smolyak Svitlana, та інші
Опубліковано: (2025)

X-ray photoelectron and Nuclear Magnetic Resonance studies of sol-gel glass doped with 5% Ga
за авторством: Smolyak Svitlana, та інші
Опубліковано: (2019)

Electronic Structure of GdMeO3 (Me = V, Ni) Oxides: X-Ray Photoelectron and X-Ray Fluorescence Spectra and Band Structure Calculations
за авторством: V. M. Uvarov, та інші
Опубліковано: (2013)

X-ray photoelectron spectroscopic study of the electronic structure of Mn₂₋ₓCoₓP₂O₇·5H₂O, at x=1.0
за авторством: Smolyak Svitlana, та інші
Опубліковано: (2025)

Dielectric spectroscopy of CuInSe₂ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2016)

On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)

The peculiarities of nickel nanostructures formed on interlayer (0001) cleavage surfaces of NikhInSe intercalates
за авторством: P. V. Halii, та інші
Опубліковано: (2018)

Dielectric spectroscopy of CuInSe2 single crystals
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2016)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Symmetry peculiarities of the intracrystalline fields layered semiconductor crystals (PbI₂)₍₁₋ₓ₎(BiI₃)ₓ
за авторством: Barabash, O.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Scanning-tunneling microscopy/spectroscopy and break-junction tunneling spectroscopy of FeSe₁–xTex
за авторством: Ekino, T., та інші
Опубліковано: (2013)

Theoretical and experimental study of Raman scattering in mixed (MoS₂)x(MoSe₂)₁₋x layered crystals
за авторством: Yaremko, A.M., та інші
Опубліковано: (2015)

Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: N. P. Tatyanenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)

The research of X-ray and gamma radiation absorption by layered structures
за авторством: Deiev, O.S., та інші
Опубліковано: (2016)