Two types of coronaelektrets discharge characteristics

• Published in: Functional Materials
• Date: 2005
• Main Authors: Kuzmin, R.N., Mokrynskaya, E.V.
• Format: Article
• Language: English
• Published: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137709
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Two types of coronaelektrets discharge characteristics / R.N. Kuzmin, E.V. Mokrynskaya // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 391-395. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Photodischarge characteristics of coronaelectrets were investigated. It proposed a simple model of photocondactive coronaelectrets relaxation. This model is based on the assumption of internal opposite-EMF formation. The expression for geometrical parameter of opposite-EMF was obtained. On the base of obtained experimental data, the electrical field strength and thickness dependencies of free charge carriers lifetime was calculated. It was corroborated that in riched on structural defects anthracene crystals the transport of holes attributed by their moving along nonbasic edge dislocations. Изучены фоторазрядные характеристики короноэлектретов. Предложена простая модель релаксации фотопроводящих короноэлектретов. Эта модель основана на предположении о формировании внутренней противо-ЭДС. Получено выражение для геометрического параметра, описывающего противо-ЭДС. На основании экспериментальных данных рассчитаны электрополевые и толщинные зависимости времени жизни свободных носителей заряда. Подтверждено, что в богатых структурными дефектами кристаллах антрацена транспорт дырок обусловлен их движением вдоль небазисных краевых дислокаций. Вивчено фоторозряднi характеристики короноелектретiв. 3апропоновано просту модель релаксацiї фотопровiдних короноелектретiв. Ця модель заснована на припущеннi про формування внутрiшньої противо-едс. Отримано вираз для геометричного параметра, що описує противо-едс. На пiдставi експериментальних даних розраховано електропольовi й товщиннi залежностi часу життя вiльних носiїв заряду. Пiдтверджено, що у багатих структурними дефектами кристалах антрацену транспорт дiрок обумовлений їхнiм рухом уздовж небазисних крайових дислокацiй.